4H-SiC epitaxiális ostyák ultra nagyfeszültségű MOSFET-ekhez (100–500 μm, 6 hüvelyk)
Részletes ábra
Termékáttekintés
Az elektromos járművek, az intelligens hálózatok, a megújuló energiarendszerek és a nagy teljesítményű ipari berendezések gyors növekedése sürgető igényt teremtett olyan félvezető eszközökre, amelyek képesek kezelni a magasabb feszültségeket, nagyobb teljesítménysűrűséget és nagyobb hatékonyságot. A széles tiltott sávú félvezetők közül aszilícium-karbid (SiC)széles tiltott sávjával, magas hővezető képességével és kiváló kritikus elektromos térerősségével tűnik ki.
A miénk4H-SiC epitaxiális ostyákkifejezetten a következőkre lettek tervezveultra nagyfeszültségű MOSFET alkalmazásokEpitaxiális rétegekkel, amelyek a következőktől kezdődnek:100 μm-től 500 μm-ig on 6 hüvelykes (150 mm-es) aljzatokEzek a waferek a kV-osztályú eszközökhöz szükséges kiterjesztett sodródási tartományokat biztosítják, miközben kivételes kristályminőséget és skálázhatóságot biztosítanak. A standard vastagságok közé tartozik a 100 μm, 200 μm és 300 μm, de testreszabási lehetőségek is rendelkezésre állnak.
Epitaxiális rétegvastagság
Az epitaxiális réteg döntő szerepet játszik a MOSFET teljesítményének meghatározásában, különösen az egyensúlybanátütési feszültségésbekapcsolt ellenállás.
-
100–200 μmKözepes és nagyfeszültségű MOSFET-ekhez optimalizálva, kiváló egyensúlyt kínálva a vezetési hatékonyság és a blokkoló szilárdság között.
-
200–500 μmAlkalmas ultra nagyfeszültségű eszközökhöz (10 kV+), lehetővé téve a hosszú sodródási tartományokat a robusztus lebontási karakterisztika érdekében.
A teljes tartományban,a vastagság egyenletességét ±2%-on belül szabályozzuk, biztosítva az állandóságot lapkáról lapkára és tételről tételre. Ez a rugalmasság lehetővé teszi a tervezők számára, hogy finomhangolják az eszköz teljesítményét a célfeszültség-osztályokhoz, miközben fenntartják a reprodukálhatóságot a tömeggyártás során.
Gyártási folyamat
A ostyáink a következő felhasználási módokkal készülnek:a legmodernebb CVD (kémiai gőzfázisú leválasztás) epitaxia, amely lehetővé teszi a vastagság, az adalékolás és a kristályminőség pontos szabályozását, még nagyon vastag rétegek esetén is.
-
Szív- és érrendszeri epitaxia– A nagy tisztaságú gázok és az optimalizált körülmények sima felületeket és alacsony hibasűrűséget biztosítanak.
-
Vastag rétegnövekedés– A szabadalmaztatott eljárásreceptek akár epitaxiális vastagságot is lehetővé tesznek500 μmkiváló egyenletességgel.
-
Doppingellenőrzés– Állítható koncentráció a következők között:1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ cm⁻³, ±5%-nál jobb egyenletességgel.
-
Felület előkészítése– Az ostyákCMP polírozásés szigorú ellenőrzés, biztosítva a kompatibilitást olyan fejlett eljárásokkal, mint a kapuoxidáció, a fotolitográfia és a metallizálás.
Főbb előnyök
-
Ultra nagy feszültségű képesség– A vastag epitaxiális rétegek (100–500 μm) kV-osztályú MOSFET-kialakításokat tesznek lehetővé.
-
Kivételes kristályminőség– Az alacsony diszlokáció- és alapsíkbeli hibasűrűség biztosítja a megbízhatóságot és minimalizálja a szivárgást.
-
6 hüvelykes nagyméretű hordozók– Nagy volumenű gyártás támogatása, eszközönkénti költség csökkentése és gyártókompatibilitás.
-
Kiváló hőtulajdonságok– A magas hővezető képesség és a széles tiltott sáv hatékony működést tesz lehetővé nagy teljesítményen és hőmérsékleten.
-
Testreszabható paraméterek– A vastagság, az adalékolás, az orientáció és a felületkezelés az adott igényekhez igazítható.
Tipikus specifikációk
| Paraméter | Specifikáció |
|---|---|
| Vezetőképesség típusa | N-típusú (nitrogénnel adalékolt) |
| Ellenállás | Bármilyen |
| Tengelyen kívüli szög | 4° ± 0,5° ([11-20] felé) |
| Kristály orientáció | (0001) Si-felület |
| Vastagság | 200–300 μm (testreszabható 100–500 μm) |
| Felületkezelés | Előlap: CMP polírozott (epi-ready) Hátlap: leppelt vagy polírozott |
| TTV | ≤ 10 μm |
| Íj/Formlánc | ≤ 20 μm |
Alkalmazási területek
A 4H-SiC epitaxiális ostyák ideálisak a következőkhöz:MOSFET-ek ultra nagyfeszültségű rendszerekben, beleértve:
-
Elektromos járművek vontatási inverterei és nagyfeszültségű töltőmoduljai
-
Intelligens hálózati átviteli és elosztó berendezések
-
Megújuló energia inverterek (napelemes, szél-, energiatárolós)
-
Nagy teljesítményű ipari tápegységek és kapcsolórendszerek
GYIK
1. kérdés: Mi a vezetőképesség típusa?
A1: N-típusú, nitrogénnel adalékolt – az ipari szabvány a MOSFET-ek és más teljesítményeszközök esetében.
2. kérdés: Milyen epitaxiális vastagságok érhetők el?
A2: 100–500 μm, standard opciókkal 100 μm, 200 μm és 300 μm. Egyedi vastagságok kérésre elérhetők.
3. kérdés: Mi a lapka orientációja és a tengelyen kívüli szög?
A3: (0001) Si-felület, 4° ± 0,5°-kal eltérve a tengelytől a [11-20] irányba.
Rólunk
Az XKH speciális optikai üvegek és új kristályanyagok high-tech fejlesztésére, gyártására és értékesítésére specializálódott. Termékeink az optikai elektronikát, a szórakoztató elektronikát és a katonai ipart szolgálják ki. Zafír optikai alkatrészeket, mobiltelefon-lencsevédőket, kerámiákat, LT-t, szilícium-karbid SIC-t, kvarcot és félvezető kristálylapokat kínálunk. Szakképzett szakértelmünkkel és élvonalbeli berendezéseinkkel kiválóan teljesítünk a nem szabványos termékfeldolgozásban, és célunk, hogy vezető optoelektronikai anyagokat gyártó high-tech vállalattá váljunk.
