Áttörés a 12 hüvelykes szilícium-karbid szeletlézeres kilövési technológiában

Tartalomjegyzék

1.​​Áttörés a 12 hüvelykes szilícium-karbid szeletlézeres kilövési technológiában​​

2.​​A technológiai áttörés többszörös jelentősége a SiC ipar fejlődése szempontjából​​

3.​​Jövőbeli kilátások: Az XKH átfogó fejlesztési és ipari együttműködése​​

A közelmúltban a Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd., egy vezető hazai félvezetőberendezés-gyártó, jelentős áttörést ért el a szilícium-karbid (SiC) ostyafeldolgozási technológiában. A vállalat sikeresen elérte a 12 hüvelykes szilícium-karbid ostyák felemelését saját fejlesztésű lézeres emelőberendezésével. Ez az áttörés fontos lépést jelent Kína számára a harmadik generációs félvezetőkulcs-gyártó berendezések területén, és új megoldást kínál a költségek csökkentésére és a hatékonyság növelésére a globális szilícium-karbid iparágban. Ezt a technológiát korábban több ügyfél is validálta a 6/8 hüvelykes szilícium-karbid területen, a berendezések teljesítménye pedig elérte a nemzetközileg fejlett szintet.

 

77622d0dfa5edd67f125022c52e8e06c_副本

 

Ez a technológiai áttörés több szempontból is jelentős a szilícium-karbid ipar fejlődése szempontjából, beleértve:

 

1. Jelentős csökkenés a termelési költségekben:A hagyományos 6 hüvelykes szilícium-karbid lapkákhoz képest a 12 hüvelykes szilícium-karbid lapkák körülbelül négyszeresére növelik a rendelkezésre álló területet, így az egységnyi chip költségét 30-40%-kal csökkentik.

2. ​​Megnövelt ipari ellátási kapacitás:Kezeli a nagyméretű szilícium-karbid ostyák feldolgozásának technikai szűk keresztmetszeteit, és berendezéstámogatást nyújt a szilícium-karbid gyártási kapacitás globális bővítéséhez.

3. Gyorsított lokalizációs helyettesítési folyamat:Megszakítja a külföldi vállalatok technológiai monopóliumát a nagyméretű szilícium-karbid feldolgozó berendezések területén, fontos támogatást nyújtva Kína félvezető berendezéseinek autonóm és szabályozható fejlesztéséhez.

4. ​​A downstream alkalmazások népszerűsítésének előmozdítása:A költségcsökkentés felgyorsítja a szilícium-karbid eszközök alkalmazását olyan kulcsfontosságú területeken, mint az új energiahordozókkal ellátott járművek és a megújuló energia.

 

2

 

A Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd. a Kínai Tudományos Akadémia Félvezető Intézetének vállalata, amely speciális félvezető berendezések kutatására és fejlesztésére, gyártására és értékesítésére összpontosít. A lézeres alkalmazástechnológiára alapozva a vállalat független szellemi tulajdonjogokkal védett félvezető-feldolgozó berendezések sorozatát fejlesztette ki, amelyek a jelentős hazai félvezetőgyártó ügyfeleket szolgálják ki.

 

A Jingfei Semiconductor vezérigazgatója kijelentette: „Mindig ragaszkodunk a technológiai innovációhoz az ipari fejlődés előmozdítása érdekében. A 12 hüvelykes szilícium-karbid lézeres kilövési technológia sikeres fejlesztése nemcsak a vállalat műszaki képességeit tükrözi, hanem a Pekingi Városi Tudományos és Technológiai Bizottság, a Kínai Tudományos Akadémia Félvezető Intézete, valamint a Peking-Tianjin-Hebei Nemzeti Technológiai Innovációs Központ által szervezett és megvalósított „Forradalmi Technológiai Innováció” kulcsfontosságú különprojekt határozott támogatásának is köszönhető. A jövőben továbbra is növelni fogjuk a K+F beruházásokat, hogy ügyfeleinknek több kiváló minőségű félvezető berendezés megoldást kínálhassunk.”

 

Következtetés

A jövőre nézve az XKH átfogó szilícium-karbid szubsztrát termékportfólióját (2-12 hüvelykes vastagságig, kötéssel és testreszabott feldolgozási képességekkel) és többanyagú technológiáját (beleértve a 4H-N, 4H-SEMI, 4H-6H/P, 3C-N stb.) fogja felhasználni, hogy aktívan reagáljon a SiC iparág technológiai fejlődésére és piaci változásaira. A szeletek hozamának folyamatos javításával, a termelési költségek csökkentésével, valamint a félvezető berendezések gyártóival és a végfelhasználókkal való együttműködés elmélyítésével az XKH elkötelezett amellett, hogy nagy teljesítményű és nagy megbízhatóságú szubsztrát megoldásokat biztosítson a globális új energiák, a nagyfeszültségű elektronika és a magas hőmérsékletű ipari alkalmazások számára. Célunk, hogy segítsük ügyfeleinket a technikai akadályok leküzdésében és a skálázható telepítés elérésében, megbízható alapanyag-partnerként pozicionálva magunkat a SiC értékláncban.

 

https://www.xkh-semitech.com/4h-sic-epitaxial-wafers-for-ultra-high-voltage-mosfets-100-500-%ce%bcm-6-inch-product/

 


Közzététel ideje: 2025. szeptember 9.