Hír
-
Nagy pontosságú lézeres szeletelőberendezés 8 hüvelykes SiC ostyákhoz: A jövőbeli SiC ostyafeldolgozás alapvető technológiája
A szilícium-karbid (SiC) nemcsak kritikus fontosságú technológia a nemzetvédelem számára, hanem kulcsfontosságú anyag a globális autóipar és az energiaipar számára is. A SiC egykristályos feldolgozásának első kritikus lépéseként a lapkaszeletelés közvetlenül meghatározza a későbbi vékonyítás és polírozás minőségét. Tr...További információ -
Optikai minőségű szilícium-karbid hullámvezető AR-üvegek: Nagy tisztaságú félszigetelő hordozók előállítása
A mesterséges intelligencia forradalmának hátterében az AR-szemüvegek fokozatosan bekerülnek a köztudatba. A virtuális és a valós világot zökkenőmentesen ötvöző paradigmaként az AR-szemüvegek abban különböznek a VR-eszközöktől, hogy lehetővé teszik a felhasználók számára mind a digitálisan kivetített képek, mind a környezeti fény érzékelését...További információ -
3C-SiC heteroepitaxiális növekedése különböző orientációjú szilícium hordozókon
1. Bevezetés Az évtizedes kutatások ellenére a szilícium hordozókon növesztett heteroepitaxiális 3C-SiC még nem érte el az ipari elektronikai alkalmazásokhoz szükséges megfelelő kristályminőséget. A növesztést jellemzően Si(100) vagy Si(111) hordozókon végzik, amelyek mindegyike más-más kihívásokat jelent: antifázisú deformáció...További információ -
Szilícium-karbid kerámia vs. félvezető szilícium-karbid: ugyanaz az anyag, két különböző sorssal
A szilícium-karbid (SiC) egy figyelemre méltó vegyület, amely mind a félvezetőiparban, mind a fejlett kerámiatermékekben megtalálható. Ez gyakran zavart okozhat a laikusok körében, akik összetéveszthetik őket ugyanazon típusú termékkel. A valóságban, bár azonos kémiai összetételűek, a SiC...További információ -
Előrelépések a nagy tisztaságú szilícium-karbid kerámia előállítási technológiákban
A nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) kerámiák ideális anyaggá váltak a félvezető-, repülőgép- és vegyipar kritikus alkatrészeihez kivételes hővezető képességük, kémiai stabilitásuk és mechanikai szilárdságuk miatt. A nagy teljesítményű, alacsony polaritású...További információ -
A LED epitaxiális ostyák műszaki alapelvei és folyamatai
A LED-ek működési elvéből nyilvánvaló, hogy az epitaxiális ostyaanyag a LED központi alkotóeleme. Valójában a kulcsfontosságú optoelektronikai paramétereket, mint például a hullámhossz, a fényerő és az előremenő feszültség, nagymértékben az epitaxiális anyag határozza meg. Az epitaxiális ostyatechnológia és berendezések...További információ -
A kiváló minőségű szilícium-karbid egykristály előállításának fő szempontjai
A szilícium egykristályok előállításának fő módszerei a következők: fizikai gőztranszport (PVT), felső oltványos oldatnövekedés (TSSG) és magas hőmérsékletű kémiai gőzfázisú leválasztás (HT-CVD). Ezek közül a PVT módszert széles körben alkalmazzák az ipari termelésben az egyszerű berendezés, a könnyű kezelhetőség és a ...További információ -
Lítium-niobát szigetelőn (LNOI): A fotonikus integrált áramkörök fejlődésének előmozdítása
Bevezetés Az elektronikus integrált áramkörök (EIC-k) sikere ihlette a fotonikus integrált áramkörök (PIC-k) területét 1969-es megjelenése óta folyamatosan fejlesztik. Az EIC-kkel ellentétben azonban egy univerzális platform fejlesztése, amely képes a különféle fotonikus alkalmazásokat támogatni, továbbra is ...További információ -
Főbb szempontok a kiváló minőségű szilícium-karbid (SiC) egykristályok előállításához
A kiváló minőségű szilícium-karbid (SiC) egykristályok előállításának fő szempontjai A szilícium-karbid egykristályok növesztésének fő módszerei közé tartozik a fizikai gőzszállítás (PVT), a felső oltványos oldatnövekedés (TSSG) és a magas hőmérsékletű kémiai...További információ -
Következő generációs LED epitaxiális wafer technológia: A világítástechnika jövőjének motorja
A LED-ek beragyogják a világunkat, és minden nagy teljesítményű LED szívében az epitaxiális lapka található – egy kritikus alkatrész, amely meghatározza a fényerőt, a színt és a hatékonyságot. Az epitaxiális növekedés tudományának elsajátításával...További információ -
Egy korszak vége? A Wolfspeed csődje átalakítja a SiC tájképét
A Wolfspeed csődje fordulópontot jelent a SiC félvezető iparban A Wolfspeed, a szilícium-karbid (SiC) technológia régóta vezető szereplője, ezen a héten csődöt jelentett, ami jelentős változást jelez a globális SiC félvezető piacban. A vállalat...További információ -
A feszültségképződés átfogó elemzése az olvasztott kvarcban: okok, mechanizmusok és hatások
1. Hőfeszültség hűtés közben (elsődleges ok) Az olvadt kvarc nem egyenletes hőmérsékleti viszonyok között feszültséget generál. Bármely adott hőmérsékleten az olvadt kvarc atomszerkezete viszonylag "optimális" térbeli konfigurációt ér el. A hőmérséklet változásával az atomok térfo...További információ