Sic
-
4H-N 8 hüvelykes SiC szubsztrát ostya Szilícium-karbid Dummy Research minőségű 500um vastagság
-
4H-N/6H-N SiC Wafer Research gyártás Dummy minőségű Dia150mm Szilícium-karbid hordozó
-
8 hüvelykes 200 mm-es szilícium-karbid SiC lapkák 4H-N típusú Gyártási fokozat 500um vastagság
-
HPSI SiC lapka átmérője: 3 hüvelyk vastagság: 350 um± 25 µm teljesítményelektronikához
-
3 hüvelykes nagy tisztaságú félszigetelő (HPSI) SiC ostya 350 um Dummy minőségű Prime minőségű
-
P-típusú SiC hordozó SiC ostya Dia2inch új termék
-
2 hüvelykes 6H-N szilícium-karbid szubsztrát Sic Wafer dupla polírozott vezetőképes, első osztályú Mos minőségű
-
Szilícium-karbid szilícium-karbid tömb 6 hüvelykes N típusú ál/első osztályú vastagság testreszabható
-
SiC öntvény 4H típusú Dia 4 hüvelyk 6 hüvelyk vastagság 5-10 mm Kutatás / Dummy Grade
-
6-os szilícium-karbid 4H-SiC félszigetelő öntvény, próba minőségű
-
3 hüvelykes, nagy tisztaságú (adalékolatlan) szilícium-karbid lapkák, félig szigetelő szilikon szubsztrátok (HPSl)
-
SiC hordozó 3 hüvelyk 350 um vastag HPSI típusú Prime Grade Dummy minőségű