Hír
-
Vékonyrétegű lítium-tantalát (LTOI): A következő csillaganyag a nagysebességű modulátorokhoz?
A vékonyrétegű lítium-tantalát (LTOI) anyag jelentős új erőként jelenik meg az integrált optika területén. Idén számos magas szintű munka jelent meg az LTOI modulátorokról, a sanghaji intézetből származó, kiváló minőségű LTOI ostyákat Xin Ou professzor bocsátotta rendelkezésre...További információ -
Az SPC rendszer mélyreható ismerete a ostyagyártásban
Az SPC (statisztikai folyamatirányítás) kulcsfontosságú eszköz a wafer gyártási folyamatában, amelyet a gyártás különböző szakaszainak stabilitásának monitorozására, szabályozására és javítására használnak. 1. Az SPC rendszer áttekintése Az SPC egy olyan módszer, amely...További információ -
Miért végeznek epitaxiát ostyahordozón?
Egy további szilíciumatom-réteg szilíciumlapka-hordozóra növesztése számos előnnyel jár: A CMOS szilíciumfolyamatokban az epitaxiális növekedés (EPI) a lapkahordozón kritikus folyamatlépés. 1. A kristályminőség javítása...További információ -
Az ostyatisztítás alapelvei, folyamatai, módszerei és berendezései
A nedves tisztítás (Wet Clean) a félvezetőgyártási folyamatok egyik kritikus lépése, amelynek célja a különféle szennyeződések eltávolítása a lapka felületéről, hogy a következő folyamatlépések tiszta felületen végezhetők el. ...További információ -
A kristálysíkok és a kristályorientáció közötti kapcsolat.
A kristálysíkok és a kristályorientáció a kristálytan két alapfogalma, amelyek szorosan kapcsolódnak a szilícium alapú integrált áramköri technológia kristályszerkezetéhez. 1. A kristályorientáció fogalma és tulajdonságai A kristályorientáció egy adott irányt jelent...További információ -
Milyen előnyei vannak az üvegszálon keresztüli átvitelnek (TGV) és a szilíciumon keresztüli átvitelnek, a TSV-nek (TSV) a TGV-vel szemben?
Az üvegszálon keresztüli szigetelés (TGV) és a szilíciumon keresztüli szigetelés (TSV) eljárások előnyei a TGV-vel szemben főként a következők: (1) kiváló nagyfrekvenciás elektromos jellemzők. Az üveg anyaga szigetelőanyag, a dielektromos állandója csak körülbelül 1/3-a a szilícium anyagának, a veszteségi tényező pedig 2-...További információ -
Vezetőképes és félig szigetelt szilícium-karbid hordozó alkalmazások
A szilícium-karbid hordozót félszigetelő és vezető típusúra osztják. Jelenleg a félszigetelt szilícium-karbid hordozó termékek fő specifikációja 4 hüvelyk. A vezetőképes szilícium-karbid gyártmányban...További információ -
Vannak-e különbségek a különböző kristályorientációjú zafírlap-alkalmazások között is?
A zafír az alumínium-oxid egykristálya, a háromrészes kristályrendszerhez tartozik, hatszögletű szerkezetű, kristályszerkezete három oxigénatomból és két alumíniumatomból áll, kovalens kötésűek, nagyon szorosan elrendezve, erős kötési lánccal és rácsenergiával, míg kristályszerkezete...További információ -
Mi a különbség a SiC vezetőképes szubsztrát és a félig szigetelt szubsztrát között?
A SiC szilícium-karbid eszköz a szilícium-karbidból, mint alapanyagból készült eszközre utal. A különböző ellenállási tulajdonságok szerint vezetőképes szilícium-karbid teljesítményeszközökre és félig szigetelt szilícium-karbid rádiófrekvenciás eszközökre osztják. Fő eszközformák és...További információ -
Egy cikk elvezet a TGV mesterévé
Mi a TGV? A TGV (Through-Glass Via) egy üvegfelületen átmenő furatok létrehozásának technológiája. Egyszerűen fogalmazva, a TGV egy toronyház, amely lyukasztja, kitölti és összeköti az üveget, hogy integrált áramköröket építsen az üvegfelületre...További információ -
Milyen mutatókkal lehet értékelni az ostya felületének minőségét?
A félvezető technológia folyamatos fejlődésével a félvezetőiparban, sőt a fotovoltaikus iparban is nagyon szigorúak a wafer szubsztrát vagy epitaxiális lemez felületi minőségére vonatkozó követelmények. Milyen minőségi követelményeknek kell megfelelni...További információ -
Mennyit tudsz a SiC egykristályok növekedési folyamatáról?
A szilícium-karbid (SiC), mint egyfajta széles sávú félvezető anyag, egyre fontosabb szerepet játszik a modern tudomány és technológia alkalmazásában. A szilícium-karbid kiváló hőstabilitással, magas elektromos térerősség-tűréssel, szándékos vezetőképességgel és...További információ