Hír
-
Szilícium-karbid kerámia vs. félvezető szilícium-karbid: ugyanaz az anyag, két különböző sorssal
A szilícium-karbid (SiC) egy figyelemre méltó vegyület, amely mind a félvezetőiparban, mind a fejlett kerámiatermékekben megtalálható. Ez gyakran zavart okozhat a laikusok körében, akik összetéveszthetik őket ugyanazon típusú termékkel. A valóságban, bár azonos kémiai összetételűek, a SiC...További információ -
Előrelépések a nagy tisztaságú szilícium-karbid kerámia előállítási technológiákban
A nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) kerámiák ideális anyaggá váltak a félvezető-, repülőgép- és vegyipar kritikus alkatrészeihez kivételes hővezető képességük, kémiai stabilitásuk és mechanikai szilárdságuk miatt. A nagy teljesítményű, alacsony polaritású...További információ -
A LED epitaxiális ostyák műszaki alapelvei és folyamatai
A LED-ek működési elvéből nyilvánvaló, hogy az epitaxiális ostyaanyag a LED központi alkotóeleme. Valójában a kulcsfontosságú optoelektronikai paramétereket, mint például a hullámhossz, a fényerő és az előremenő feszültség, nagymértékben az epitaxiális anyag határozza meg. Az epitaxiális ostyatechnológia és berendezések...További információ -
A kiváló minőségű szilícium-karbid egykristály előállításának fő szempontjai
A szilícium egykristályok előállításának fő módszerei a következők: fizikai gőztranszport (PVT), felső oltványos oldatnövekedés (TSSG) és magas hőmérsékletű kémiai gőzfázisú leválasztás (HT-CVD). Ezek közül a PVT módszert széles körben alkalmazzák az ipari termelésben az egyszerű berendezés, a könnyű kezelhetőség és a ...További információ -
Lítium-niobát szigetelőn (LNOI): A fotonikus integrált áramkörök fejlődésének előmozdítása
Bevezetés Az elektronikus integrált áramkörök (EIC-k) sikere ihlette a fotonikus integrált áramkörök (PIC-k) területét 1969-es megjelenése óta folyamatosan fejlesztik. Az EIC-kkel ellentétben azonban egy univerzális platform fejlesztése, amely képes a különféle fotonikus alkalmazásokat támogatni, továbbra is ...További információ -
Főbb szempontok a kiváló minőségű szilícium-karbid (SiC) egykristályok előállításához
A kiváló minőségű szilícium-karbid (SiC) egykristályok előállításának fő szempontjai A szilícium-karbid egykristályok növesztésének fő módszerei közé tartozik a fizikai gőzszállítás (PVT), a felső oltványos oldatnövekedés (TSSG) és a magas hőmérsékletű kémiai...További információ -
Következő generációs LED epitaxiális wafer technológia: A világítástechnika jövőjének motorja
A LED-ek beragyogják a világunkat, és minden nagy teljesítményű LED szívében az epitaxiális lapka található – egy kritikus alkatrész, amely meghatározza a fényerőt, a színt és a hatékonyságot. Az epitaxiális növekedés tudományának elsajátításával...További információ -
Egy korszak vége? A Wolfspeed csődje átalakítja a SiC tájképét
A Wolfspeed csődje fordulópontot jelent a SiC félvezető iparban A Wolfspeed, a szilícium-karbid (SiC) technológia régóta vezető szereplője, ezen a héten csődöt jelentett, ami jelentős változást jelez a globális SiC félvezető piacban. A vállalat...További információ -
A feszültségképződés átfogó elemzése az olvasztott kvarcban: okok, mechanizmusok és hatások
1. Hőfeszültség hűtés közben (elsődleges ok) Az olvadt kvarc nem egyenletes hőmérsékleti viszonyok között feszültséget generál. Bármely adott hőmérsékleten az olvadt kvarc atomszerkezete viszonylag "optimális" térbeli konfigurációt ér el. A hőmérséklet változásával az atomok térfo...További információ -
Átfogó útmutató a szilícium-karbid ostyákhoz/SiC ostyákhoz
A SiC ostya absztraktja A szilícium-karbid (SiC) ostyák a nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és magas hőmérsékletű elektronikai eszközök előnyben részesített alapanyagává váltak az autóiparban, a megújuló energiaforrások előállításában és a repülőgépiparban. Portfóliónk a legfontosabb politípusokat...További információ -
A vékonyréteg-leválasztási technikák átfogó áttekintése: MOCVD, magnetronos porlasztás és PECVD
A félvezetőgyártásban, míg a fotolitográfia és a maratás a leggyakrabban említett eljárások, az epitaxiális vagy vékonyréteg-leválasztási technikák ugyanolyan fontosak. Ez a cikk számos, a chipgyártásban használt elterjedt vékonyréteg-leválasztási módszert mutat be, beleértve a MOCVD-t, a magnetr...További információ -
Zafír hőelem védőcsövek: A precíziós hőmérséklet-érzékelés fejlesztése zord ipari környezetben
1. Hőmérsékletmérés – Az ipari vezérlés gerince A modern iparágak egyre összetettebb és szélsőségesebb körülmények között működnek, így a pontos és megbízható hőmérséklet-monitorozás elengedhetetlenné vált. A különféle érzékelési technológiák közül a hőelemek széles körben elterjedtek a...További információ