26-án a Power Cube Semi bejelentette Dél-Korea első 2300 V-os SiC (szilícium-karbid) MOSFET félvezetőjének sikeres fejlesztését.
A meglévő Si (szilícium) alapú félvezetőkkel összehasonlítva a SiC (szilícium-karbid) képes ellenállni a nagyobb feszültségeknek, ezért a következő generációs eszközként emlegetik, amely az erősáramú félvezetők jövőjét vezeti. Kulcsfontosságú elemként szolgál az élvonalbeli technológiák bevezetéséhez, mint például az elektromos járművek elterjedéséhez és az adatközpontok mesterséges intelligencia által vezérelt bővítéséhez.
A Power Cube Semi egy fables cég, amely három fő kategóriába tartozó teljesítmény-félvezető eszközöket fejleszt: SiC (szilícium-karbid), Si (szilícium) és Ga2O3 (gallium-oxid). A közelmúltban a vállalat nagy kapacitású Schottky-záródiódákat (SBD) alkalmazott és értékesített egy globális elektromosjármű-gyártó cégnek Kínában, amivel elismerést szerzett félvezető tervezésével és technológiájával.
A 2300 V-os SiC MOSFET megjelenése az első ilyen fejlesztési eset Dél-Koreában. Az Infineon, a németországi székhelyű globális teljesítmény-félvezetőgyártó cég szintén márciusban jelentette be 2000 V-os termékének piacra dobását, de 2300 V-os termékcsalád nélkül.
Az Infineon 2000 V-os CoolSiC MOSFET-je, amely a TO-247PLUS-4-HCC csomagot használja, kielégíti a tervezők megnövekedett teljesítménysűrűsége iránti igényét, biztosítva a rendszer megbízhatóságát még szigorú nagyfeszültségű és kapcsolási frekvencia feltételek mellett is.
A CoolSiC MOSFET magasabb egyenáramú kapcsolati feszültséget kínál, amely lehetővé teszi a teljesítmény növelését az áramerősség növelése nélkül. Ez az első diszkrét szilícium-karbid eszköz a piacon, 2000 V áttörési feszültséggel, amely a TO-247PLUS-4-HCC csomagot használja, 14 mm-es kúszótávolsággal és 5,4 mm-es hézaggal. Ezek az eszközök alacsony kapcsolási veszteséggel rendelkeznek, és alkalmasak olyan alkalmazásokhoz, mint a szoláris inverterek, az energiatároló rendszerek és az elektromos járművek töltése.
A CoolSiC MOSFET 2000V termékcsalád nagyfeszültségű egyenáramú buszrendszerekhez alkalmas 1500V DC-ig. Az 1700 V-os SiC MOSFET-tel összehasonlítva ez az eszköz elegendő túlfeszültséget biztosít az 1500 V-os egyenáramú rendszerek számára. A CoolSiC MOSFET 4,5 V-os küszöbfeszültséget kínál, és robusztus testdiódákkal van felszerelve a kemény kommutáció érdekében. Az .XT csatlakozási technológiával ezek az alkatrészek kiváló hőteljesítményt és erős nedvességállóságot kínálnak.
A 2000 V-os CoolSiC MOSFET mellett az Infineon hamarosan piacra dobja a kiegészítő CoolSiC diódákat TO-247PLUS 4 tűs és TO-247-2 csomagokban 2024 harmadik negyedévében, illetve 2024 utolsó negyedévében. Ezek a diódák különösen alkalmasak szoláris alkalmazásokhoz. Hozzáillő kapumeghajtó termékkombinációk is rendelkezésre állnak.
A CoolSiC MOSFET 2000V terméksorozat már elérhető a piacon. Ezenkívül az Infineon megfelelő kiértékelő táblákat kínál: EVAL-COOLSIC-2KVHCC. A fejlesztők ezt a kártyát precíz általános tesztplatformként használhatják az összes 2000 V-os névleges CoolSiC MOSFET és dióda, valamint az EiceDRIVER kompakt egycsatornás 1ED31xx leválasztókapu-illesztőprogram terméksorozatának értékeléséhez kettős impulzusos vagy folyamatos PWM-működéssel.
Gung Shin-soo, a Power Cube Semi technológiai igazgatója így nyilatkozott: „Meg tudtuk 2300 V-ra bővíteni az 1700 V-os SiC MOSFET-ek fejlesztése és tömeggyártása terén meglévő tapasztalatunkat.
Feladás időpontja: 2024.08.08