A SiC lapkák szilícium-karbidból készült félvezetők. Ezt az anyagot 1893-ban fejlesztették ki, és számos alkalmazáshoz ideális. Különösen alkalmas Schottky-diódákhoz, Schottky-diódákhoz, kapcsolókhoz és fém-oxid-félvezető térhatású tranzisztorokhoz. Nagy keménységének köszönhetően kiváló választás erősáramú elektronikai alkatrészekhez.
Jelenleg a SiC lapkáknak két fő típusa van. Az első egy polírozott ostya, amely egyetlen szilícium-karbid lapka. Nagy tisztaságú SiC kristályokból készül, és 100 mm vagy 150 mm átmérőjű lehet. Nagy teljesítményű elektronikus eszközökben használják. A második típus az epitaxiális kristály szilícium-karbid lapka. Ez a fajta ostya úgy készül, hogy egyetlen réteg szilícium-karbid kristályt adnak a felülethez. Ez a módszer az anyag vastagságának pontos szabályozását igényli, és N-típusú epitaxia néven ismert.
A következő típus a béta szilícium-karbid. A béta SiC 1700 Celsius fok feletti hőmérsékleten keletkezik. Az alfa-karbidok a leggyakoribbak, és a wurtzithoz hasonló hatszögletű kristályszerkezetük van. A béta forma hasonló a gyémánthoz, és bizonyos alkalmazásokban használják. Mindig is ez volt az első választás az elektromos járművek félkész termékekhez. Számos külső szilícium-karbid lapka beszállító dolgozik jelenleg ezen az új anyagon.
A ZMSH SiC lapkák nagyon népszerű félvezető anyagok. Ez egy kiváló minőségű félvezető anyag, amely számos alkalmazáshoz kiválóan alkalmas. A ZMSH szilícium-karbid lapkák nagyon hasznos anyagok különféle elektronikus eszközökhöz. A ZMSH kiváló minőségű SiC lapkák és hordozók széles választékát szállítja. N-típusú és félszigetelt kivitelben kaphatók.
2 --- Szilícium-karbid: Az ostyák új korszaka felé
A szilícium-karbid fizikai tulajdonságai és jellemzői
A szilícium-karbid speciális kristályszerkezettel rendelkezik, a gyémánthoz hasonló hatszögletű, szorosan tömörített szerkezettel. Ez a szerkezet lehetővé teszi, hogy a szilícium-karbid kiváló hővezető képességgel és magas hőmérséklettel szembeni ellenállással rendelkezzen. A hagyományos szilícium anyagokhoz képest a szilícium-karbid nagyobb sávszélességgel rendelkezik, ami nagyobb elektronsáv távolságot biztosít, ami nagyobb elektronmobilitást és kisebb szivárgási áramot eredményez. Ezenkívül a szilícium-karbidnak nagyobb az elektrontelítési sodródási sebessége és magának az anyagnak is kisebb az ellenállása, így jobb teljesítményt nyújt a nagy teljesítményű alkalmazásokhoz.
A szilícium-karbid lapkák alkalmazási esetei és kilátásai
Erőteljes elektronikai alkalmazások
A szilícium-karbid lapka széles körű alkalmazási lehetőségekkel rendelkezik a teljesítményelektronika területén. Nagy elektronmobilitásuk és kiváló hővezető képességük miatt a SIC lapkákból nagy teljesítménysűrűségű kapcsolókészülékek, például elektromos járművek teljesítménymoduljai és szoláris inverterek gyárthatók. A szilícium-karbid lapkák magas hőmérsékleti stabilitása lehetővé teszi, hogy ezek az eszközök magas hőmérsékletű környezetben is működjenek, nagyobb hatékonyságot és megbízhatóságot biztosítva.
Optoelektronikai alkalmazások
Az optoelektronikai eszközök területén a szilícium-karbid lapkák egyedülálló előnyeiket mutatják meg. A szilícium-karbid anyag széles sávszélességgel rendelkezik, ami lehetővé teszi, hogy magas fotonenergiát és alacsony fényveszteséget érjen el az optoelektronikai eszközökben. A szilícium-karbid lapkák felhasználhatók nagy sebességű kommunikációs eszközök, fotodetektorok és lézerek előkészítésére. Kiváló hővezető képessége és alacsony kristályhiba-sűrűsége ideálissá teszi kiváló minőségű optoelektronikai eszközök készítéséhez.
Outlook
A nagy teljesítményű elektronikai eszközök iránti növekvő kereslet miatt a szilícium-karbid ostyák ígéretes jövő előtt állnak, mint kiváló tulajdonságokkal és széles körű alkalmazási lehetőségekkel rendelkező anyag. Az előállítási technológia folyamatos fejlesztésével és a költségek csökkentésével a szilícium-karbid lapkák kereskedelmi alkalmazása is előmozdításra kerül. Várhatóan a következő néhány évben a szilícium-karbid lapkák fokozatosan belépnek a piacra, és a nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és magas hőmérsékletű alkalmazások általános választásává válnak.
3 --- A SiC lapkapiaci és technológiai trendek mélyreható elemzése
A szilícium-karbid (SiC) lapkapiaci tényezők mélyreható elemzése
A szilícium-karbid (SiC) lapka piacának növekedését számos kulcsfontosságú tényező befolyásolja, és ezeknek a tényezőknek a piacra gyakorolt hatásának mélyreható elemzése kritikus fontosságú. Íme néhány fő piaci hajtóerő:
Energiatakarékosság és környezetvédelem: A szilícium-karbid anyagok nagy teljesítménye és alacsony energiafogyasztási jellemzői népszerűvé teszik az energiatakarékosság és a környezetvédelem területén. Az elektromos járművek, szoláris inverterek és más energiaátalakító eszközök iránti kereslet a szilícium-karbid lapkák piacának növekedését segíti elő, mivel segít csökkenteni az energiapazarlást.
Erőteljesítmény-elektronikai alkalmazások: A szilícium-karbid kiváló teljesítményelektronikai alkalmazásokban, és nagy nyomású és magas hőmérsékletű környezetben is használható teljesítményelektronikában. A megújuló energia népszerűsítésével és az elektromos áramra való átállás elősegítésével a szilícium-karbid lapkák iránti kereslet a teljesítményelektronikai piacon tovább növekszik.
SiC ostyák jövőbeli gyártástechnológiai fejlesztési trendek részletes elemzése
Tömeggyártás és költségcsökkentés: A jövőbeni SiC lapkagyártás inkább a tömeggyártásra és a költségcsökkentésre fog összpontosítani. Ez magában foglalja a továbbfejlesztett növekedési technikákat, például a kémiai gőzleválasztást (CVD) és a fizikai gőzleválasztást (PVD) a termelékenység növelése és a termelési költségek csökkentése érdekében. Emellett az intelligens és automatizált gyártási folyamatok bevezetése várhatóan tovább javítja a hatékonyságot.
Új lapkaméret és -struktúra: A SiC lapkák mérete és szerkezete a jövőben változhat, hogy megfeleljen a különböző alkalmazások igényeinek. Ide tartozhatnak a nagyobb átmérőjű lapkák, a heterogén szerkezetek vagy a többrétegű lapkák, hogy nagyobb tervezési rugalmasságot és nagyobb teljesítményt biztosítsanak.
Energiahatékonyság és zöld gyártás: A SiC lapkák gyártása a jövőben nagyobb hangsúlyt fektet az energiahatékonyságra és a zöld gyártásra. A megújuló energiával, zöld anyagokkal, hulladék-újrahasznosítással és alacsony szén-dioxid-kibocsátású termelési folyamatokkal működő gyárak a gyártás trendjévé válnak.
Feladás időpontja: 2024. január 19