A SiC szeletek szilícium-karbidból készült félvezetők. Ezt az anyagot 1893-ban fejlesztették ki, és ideális számos alkalmazáshoz. Különösen alkalmas Schottky-diódákhoz, átmenet-elválasztó Schottky-diódákhoz, kapcsolókhoz és fém-oxid-félvezető térvezérlésű tranzisztorokhoz. Nagy keménységének köszönhetően kiváló választás teljesítményelektronikai alkatrészekhez.
Jelenleg két fő típusa van a SiC ostyáknak. Az első a polírozott ostya, amely egyetlen szilícium-karbid ostya. Nagy tisztaságú SiC kristályokból készül, és 100 mm vagy 150 mm átmérőjű lehet. Nagy teljesítményű elektronikus eszközökben használják. A második típus az epitaxiális kristályos szilícium-karbid ostya. Ez a fajta ostya úgy készül, hogy egyetlen réteg szilícium-karbid kristályt adnak a felülethez. Ez a módszer az anyag vastagságának pontos szabályozását igényli, és N-típusú epitaxiának nevezik.
A következő típus a béta-szilícium-karbid. A béta-szilícium-karbidot 1700 Celsius-fok feletti hőmérsékleten állítják elő. Az alfa-karbidok a leggyakoribbak, és hexagonális kristályszerkezettel rendelkeznek, hasonlóan a wurtzithoz. A béta-forma hasonló a gyémánthoz, és bizonyos alkalmazásokban használják. Mindig is ez volt az elsődleges választás az elektromos járművek erőgépeinek félkész termékeihez. Számos harmadik féltől származó szilícium-karbid ostyabeszállító dolgozik jelenleg ezen az új anyagon.
A ZMSH SiC szeletek nagyon népszerű félvezető anyagok. Kiváló minőségű félvezető anyag, amely számos alkalmazáshoz jól alkalmazható. A ZMSH szilícium-karbid szeletek nagyon hasznos anyagok különféle elektronikus eszközökhöz. A ZMSH széles választékban kínál kiváló minőségű SiC szeleteket és szubsztrátokat. N-típusú és félig szigetelt formában kaphatók.
2---Szilícium-karbid: A lapkák új korszaka felé
A szilícium-karbid fizikai tulajdonságai és jellemzői
A szilícium-karbid speciális kristályszerkezettel rendelkezik, amely egy hatszögletű, szorosan csomagolt szerkezetet alkalmaz, hasonlóan a gyémánthoz. Ez a szerkezet lehetővé teszi a szilícium-karbid kiváló hővezető képességét és magas hőmérsékleti ellenállását. A hagyományos szilícium-anyagokhoz képest a szilícium-karbid nagyobb sávszélességgel rendelkezik, ami nagyobb elektronsáv-távolságot biztosít, ami nagyobb elektronmobilitást és alacsonyabb szivárgási áramot eredményez. Ezenkívül a szilícium-karbid nagyobb elektrontelítési sodródási sebességgel és alacsonyabb anyagi ellenállással is rendelkezik, ami jobb teljesítményt nyújt nagy teljesítményű alkalmazásokhoz.
Szilícium-karbid ostyák alkalmazási esetei és kilátásai
Teljesítményelektronikai alkalmazások
A szilícium-karbid szeletek széleskörű alkalmazási lehetőségekkel rendelkeznek az erősáramú elektronika területén. Nagy elektronmobilitásuknak és kiváló hővezető képességüknek köszönhetően a SIC szeletek nagy teljesítménysűrűségű kapcsolóeszközök gyártására használhatók, például elektromos járművek teljesítménymoduljaihoz és napelemes inverterekhez. A szilícium-karbid szeletek magas hőmérsékleti stabilitása lehetővé teszi ezeknek az eszközöknek a magas hőmérsékletű környezetben való működését, nagyobb hatékonyságot és megbízhatóságot biztosítva.
Optoelektronikai alkalmazások
Az optoelektronikai eszközök területén a szilícium-karbid ostyák egyedi előnyöket mutatnak. A szilícium-karbid anyag széles tiltott sávú jellemzőkkel rendelkezik, ami lehetővé teszi a magas fotonenergia és az alacsony fényveszteség elérését optoelektronikai eszközökben. A szilícium-karbid ostyák nagy sebességű kommunikációs eszközök, fotodetektorok és lézerek előállítására használhatók. Kiváló hővezető képessége és alacsony kristályhiba-sűrűsége ideálissá teszi kiváló minőségű optoelektronikai eszközök előállításához.
Kilátások
A nagy teljesítményű elektronikus eszközök iránti növekvő kereslettel a szilícium-karbid ostyák ígéretes jövőt jelentenek, mint kiváló tulajdonságokkal és széleskörű alkalmazási potenciállal rendelkező anyag. Az előállítási technológia folyamatos fejlesztésével és a költségek csökkentésével a szilícium-karbid ostyák kereskedelmi alkalmazása is előtérbe kerül. Várható, hogy a következő néhány évben a szilícium-karbid ostyák fokozatosan megjelennek a piacon, és a nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és magas hőmérsékletű alkalmazásokban a mainstream választássá válnak.
3. A SiC ostya piacának és a technológiai trendek mélyreható elemzése
A szilícium-karbid (SiC) ostyapiac mozgatórugóinak mélyreható elemzése
A szilícium-karbid (SiC) ostyapiac növekedését számos kulcsfontosságú tényező befolyásolja, és ezen tényezők piacra gyakorolt hatásának mélyreható elemzése kritikus fontosságú. Íme néhány a legfontosabb piaci mozgatórugók közül:
Energiatakarékosság és környezetvédelem: A szilícium-karbid anyagok nagy teljesítménye és alacsony energiafogyasztása népszerűvé teszi őket az energiatakarékosság és a környezetvédelem területén. Az elektromos járművek, napelemes inverterek és más energiaátalakító eszközök iránti kereslet a szilícium-karbid ostyák piacának növekedését hajtja, mivel segít csökkenteni az energiapazarlást.
Teljesítményelektronikai alkalmazások: A szilícium-karbid kiválóan alkalmas teljesítményelektronikai alkalmazásokhoz, és nagy nyomású és magas hőmérsékletű környezetben is használható teljesítményelektronikában. A megújuló energia elterjedésével és az elektromos áramra való átállás előmozdításával a szilícium-karbid ostyák iránti kereslet az erőelektronikai piacon folyamatosan növekszik.
SiC ostyák jövőbeli gyártástechnológiai fejlesztési trendjének részletes elemzése
Tömegtermelés és költségcsökkentés: A jövőbeli SiC ostyagyártás nagyobb hangsúlyt fektet majd a tömegtermelésre és a költségcsökkentésre. Ez magában foglalja a továbbfejlesztett növekedési technikákat, mint például a kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) és a fizikai gőzfázisú leválasztás (PVD) a termelékenység növelése és a termelési költségek csökkentése érdekében. Ezenkívül az intelligens és automatizált gyártási folyamatok bevezetése várhatóan tovább javítja a hatékonyságot.
Új ostyaméret és -szerkezet: A SiC ostyák mérete és szerkezete a jövőben változhat a különböző alkalmazások igényeinek kielégítése érdekében. Ez magában foglalhatja a nagyobb átmérőjű ostyákat, a heterogén szerkezeteket vagy a többrétegű ostyákat a nagyobb tervezési rugalmasság és a teljesítménybeli lehetőségek biztosítása érdekében.
Energiahatékonyság és zöld gyártás: A SiC ostyák gyártása a jövőben nagyobb hangsúlyt fektet majd az energiahatékonyságra és a zöld gyártásra. A megújuló energiával, zöld anyagokkal, hulladék-újrahasznosítással és alacsony szén-dioxid-kibocsátású gyártási folyamatokkal működő gyárak trenddé válnak a gyártásban.
Közzététel ideje: 2024. január 19.