Iparági hírek
-
A lézeres szeletelés a jövőben a 8 hüvelykes szilícium-karbid vágásának fő technológiájává válik. Kérdések és válaszok gyűjteménye
K: Melyek a SiC szeletek szeletelésében és feldolgozásában használt fő technológiák? V: A szilícium-karbid (SiC) keménysége a gyémánt után a második legkeményebb, és rendkívül kemény és rideg anyagnak számít. A szeletelési folyamat, amely során a megnövesztett kristályokat vékony szeletekre vágják, időigényes és hajlamos...További információ -
A SiC ostyafeldolgozási technológia jelenlegi állapota és trendjei
Harmadik generációs félvezető szubsztrát anyagként a szilícium-karbid (SiC) egykristály széles körű alkalmazási lehetőségekkel rendelkezik a nagyfrekvenciás és nagy teljesítményű elektronikus eszközök gyártásában. A SiC feldolgozási technológiája döntő szerepet játszik a kiváló minőségű szubsztrátok előállításában...További információ -
A harmadik generációs félvezető felemelkedő csillaga: a gallium-nitrid számos új növekedési pontot kínál a jövőben
A szilícium-karbid eszközökkel összehasonlítva a gallium-nitrid teljesítményű eszközöknek több előnyük lesz olyan esetekben, amikor a hatékonyságra, a frekvenciára, a térfogatra és más átfogó szempontokra egyszerre van szükség, például a gallium-nitrid alapú eszközöket sikeresen alkalmazták...További információ -
Felgyorsult a hazai GaN-ipar fejlődése
A gallium-nitrid (GaN) tápegységek elterjedése drámaian növekszik, élükön a kínai szórakoztatóelektronikai gyártókkal, és a GaN tápegységek piaca várhatóan eléri a 2 milliárd dollárt 2027-re, szemben a 2021-es 126 millió dollárral. Jelenleg a szórakoztatóelektronikai szektor a gallium-nitrid...További információ