Termékek Hírek
-
Nagy pontosságú lézeres szeletelőberendezés 8 hüvelykes SiC ostyákhoz: A jövőbeli SiC ostyafeldolgozás alapvető technológiája
A szilícium-karbid (SiC) nemcsak kritikus fontosságú technológia a nemzetvédelem számára, hanem kulcsfontosságú anyag a globális autóipar és az energiaipar számára is. A SiC egykristályos feldolgozásának első kritikus lépéseként a lapkaszeletelés közvetlenül meghatározza a későbbi vékonyítás és polírozás minőségét. Tr...További információ -
Optikai minőségű szilícium-karbid hullámvezető AR-üvegek: Nagy tisztaságú félszigetelő hordozók előállítása
A mesterséges intelligencia forradalmának hátterében az AR-szemüvegek fokozatosan bekerülnek a köztudatba. A virtuális és a valós világot zökkenőmentesen ötvöző paradigmaként az AR-szemüvegek abban különböznek a VR-eszközöktől, hogy lehetővé teszik a felhasználók számára mind a digitálisan kivetített képek, mind a környezeti fény érzékelését...További információ -
3C-SiC heteroepitaxiális növekedése különböző orientációjú szilícium hordozókon
1. Bevezetés Az évtizedes kutatások ellenére a szilícium hordozókon növesztett heteroepitaxiális 3C-SiC még nem érte el az ipari elektronikai alkalmazásokhoz szükséges megfelelő kristályminőséget. A növesztést jellemzően Si(100) vagy Si(111) hordozókon végzik, amelyek mindegyike más-más kihívásokat jelent: antifázisú deformáció...További információ -
Szilícium-karbid kerámia vs. félvezető szilícium-karbid: ugyanaz az anyag, két különböző sorssal
A szilícium-karbid (SiC) egy figyelemre méltó vegyület, amely mind a félvezetőiparban, mind a fejlett kerámiatermékekben megtalálható. Ez gyakran zavart okozhat a laikusok körében, akik összetéveszthetik őket ugyanazon típusú termékkel. A valóságban, bár azonos kémiai összetételűek, a SiC...További információ -
Előrelépések a nagy tisztaságú szilícium-karbid kerámia előállítási technológiákban
A nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) kerámiák ideális anyaggá váltak a félvezető-, repülőgép- és vegyipar kritikus alkatrészeihez kivételes hővezető képességük, kémiai stabilitásuk és mechanikai szilárdságuk miatt. A nagy teljesítményű, alacsony polaritású...További információ -
A LED epitaxiális ostyák műszaki alapelvei és folyamatai
A LED-ek működési elvéből nyilvánvaló, hogy az epitaxiális ostyaanyag a LED központi alkotóeleme. Valójában a kulcsfontosságú optoelektronikai paramétereket, mint például a hullámhossz, a fényerő és az előremenő feszültség, nagymértékben az epitaxiális anyag határozza meg. Az epitaxiális ostyatechnológia és berendezések...További információ -
A kiváló minőségű szilícium-karbid egykristály előállításának fő szempontjai
A szilícium egykristályok előállításának fő módszerei a következők: fizikai gőztranszport (PVT), felső oltványos oldatnövekedés (TSSG) és magas hőmérsékletű kémiai gőzfázisú leválasztás (HT-CVD). Ezek közül a PVT módszert széles körben alkalmazzák az ipari termelésben az egyszerű berendezés, a könnyű kezelhetőség és a ...További információ -
Lítium-niobát szigetelőn (LNOI): A fotonikus integrált áramkörök fejlődésének előmozdítása
Bevezetés Az elektronikus integrált áramkörök (EIC-k) sikere ihlette a fotonikus integrált áramkörök (PIC-k) területét 1969-es megjelenése óta folyamatosan fejlesztik. Az EIC-kkel ellentétben azonban egy univerzális platform fejlesztése, amely képes a különféle fotonikus alkalmazásokat támogatni, továbbra is ...További információ -
Főbb szempontok a kiváló minőségű szilícium-karbid (SiC) egykristályok előállításához
A kiváló minőségű szilícium-karbid (SiC) egykristályok előállításának fő szempontjai A szilícium-karbid egykristályok növesztésének fő módszerei közé tartozik a fizikai gőzszállítás (PVT), a felső oltványos oldatnövekedés (TSSG) és a magas hőmérsékletű kémiai...További információ -
Következő generációs LED epitaxiális wafer technológia: A világítástechnika jövőjének motorja
A LED-ek beragyogják a világunkat, és minden nagy teljesítményű LED szívében az epitaxiális lapka található – egy kritikus alkatrész, amely meghatározza a fényerőt, a színt és a hatékonyságot. Az epitaxiális növekedés tudományának elsajátításával...További információ -
Átfogó útmutató a szilícium-karbid ostyákhoz/SiC ostyákhoz
A SiC ostya absztraktja A szilícium-karbid (SiC) ostyák a nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és magas hőmérsékletű elektronikai eszközök előnyben részesített alapanyagává váltak az autóiparban, a megújuló energiaforrások előállításában és a repülőgépiparban. Portfóliónk a legfontosabb politípusokat...További információ -
Zafír: Az átlátszó drágakövekben rejlő „varázslat”
Gyönyörködtél már valaha egy zafír ragyogó kékjében? Ez a káprázatos drágakő, amelyet szépségéért nagyra becsülnek, egy titkos „tudományos szuperképességet” rejt, amely forradalmasíthatja a technológiát. Kínai tudósok legújabb áttörései feltárták a zafír kristályainak rejtett hőtani titkait...További információ