Termékek Hírek
-
Szelettisztító technológia a félvezetőgyártásban
Lapka tisztítási technológia a félvezetőgyártásban A lapka tisztítása kritikus lépés a teljes félvezetőgyártási folyamat során, és az egyik kulcsfontosságú tényező, amely közvetlenül befolyásolja az eszköz teljesítményét és a gyártási hozamot. A chipgyártás során még a legkisebb szennyeződés is...További információ -
Ostya tisztítási technológiák és műszaki dokumentáció
Tartalomjegyzék 1. Az ostyatisztítás fő célkitűzései és fontossága 2. Szennyeződésértékelés és fejlett analitikai technikák 3. Fejlett tisztítási módszerek és műszaki alapelvek 4. Műszaki megvalósítás és folyamatirányítási alapismeretek 5. Jövőbeli trendek és innovatív irányok 6. X...További információ -
Frissen termesztett egykristályok
Az egykristályok ritkák a természetben, és még ha előfordulnak is, általában nagyon kicsik – jellemzően milliméteres (mm) méretarányban –, és nehezen beszerezhetők. A jelentett gyémántok, smaragdok, agát stb. általában nem kerülnek forgalomba, nemhogy ipari alkalmazásokban; a legtöbbjüket kiállítják...További információ -
A nagy tisztaságú alumínium-oxid legnagyobb vásárlója: Mennyit tud a zafírról?
A zafírkristályokat nagy tisztaságú, 99,995%-nál nagyobb tisztaságú alumínium-oxid porból termesztik, így ezek a legnagyobb keresletű területek a nagy tisztaságú alumínium-oxidok iránt. Nagy szilárdsággal, nagy keménységgel és stabil kémiai tulajdonságokkal rendelkeznek, így képesek működni zord környezetben, például magas hőmérsékleten...További információ -
Mit jelentenek a TTV, BOW, WARP és TIR a Wafers-ben?
Amikor félvezető szilícium ostyákat vagy más anyagokból készült szubsztrátumokat vizsgálunk, gyakran találkozunk olyan műszaki mutatókkal, mint például: TTV, BOW, WARP, és esetleg TIR, STIR, LTV, többek között. Milyen paramétereket jelentenek ezek? TTV — Teljes vastagságváltozás BOW — Bow WARP — Warp TIR — ...További információ -
Nagy pontosságú lézeres szeletelőberendezés 8 hüvelykes SiC ostyákhoz: A jövőbeli SiC ostyafeldolgozás alapvető technológiája
A szilícium-karbid (SiC) nemcsak kritikus fontosságú technológia a nemzetvédelem számára, hanem kulcsfontosságú anyag a globális autóipar és az energiaipar számára is. A SiC egykristályos feldolgozásának első kritikus lépéseként a lapkaszeletelés közvetlenül meghatározza a későbbi vékonyítás és polírozás minőségét. Tr...További információ -
Optikai minőségű szilícium-karbid hullámvezető AR-üvegek: Nagy tisztaságú félszigetelő hordozók előállítása
A mesterséges intelligencia forradalmának hátterében az AR-szemüvegek fokozatosan bekerülnek a köztudatba. A virtuális és a valós világot zökkenőmentesen ötvöző paradigmaként az AR-szemüvegek abban különböznek a VR-eszközöktől, hogy lehetővé teszik a felhasználók számára, hogy digitálisan kivetített képeket és a környezeti fényt egyszerre érzékeljék...További információ -
3C-SiC heteroepitaxiális növekedése különböző orientációjú szilícium hordozókon
1. Bevezetés Az évtizedes kutatások ellenére a szilícium hordozókon növesztett heteroepitaxiális 3C-SiC még nem érte el az ipari elektronikai alkalmazásokhoz szükséges megfelelő kristályminőséget. A növesztést jellemzően Si(100) vagy Si(111) hordozókon végzik, amelyek mindegyike más-más kihívásokat jelent: antifázisú ...További információ -
Szilícium-karbid kerámia vs. félvezető szilícium-karbid: ugyanaz az anyag, két különböző sorssal
A szilícium-karbid (SiC) egy figyelemre méltó vegyület, amely mind a félvezetőiparban, mind a fejlett kerámiatermékekben megtalálható. Ez gyakran zavart okozhat a laikusok körében, akik összetéveszthetik őket ugyanazon típusú termékkel. A valóságban, bár azonos kémiai összetételűek, a SiC...További információ -
Előrelépések a nagy tisztaságú szilícium-karbid kerámia előállítási technológiákban
A nagy tisztaságú szilícium-karbid (SiC) kerámiák ideális anyaggá váltak a félvezető-, repülőgép- és vegyipar kritikus alkatrészeihez kivételes hővezető képességük, kémiai stabilitásuk és mechanikai szilárdságuk miatt. A nagy teljesítményű, alacsony polaritású...További információ -
A LED epitaxiális ostyák műszaki alapelvei és folyamatai
A LED-ek működési elvéből nyilvánvaló, hogy az epitaxiális ostyaanyag a LED központi alkotóeleme. Valójában a kulcsfontosságú optoelektronikai paramétereket, mint például a hullámhossz, a fényerő és az előremenő feszültség, nagymértékben az epitaxiális anyag határozza meg. Az epitaxiális ostyatechnológia és berendezések...További információ -
A kiváló minőségű szilícium-karbid egykristály előállításának fő szempontjai
A szilícium egykristályok előállításának fő módszerei a következők: fizikai gőztranszport (PVT), felső oltványos oldatnövekedés (TSSG) és magas hőmérsékletű kémiai gőzfázisú leválasztás (HT-CVD). Ezek közül a PVT módszert széles körben alkalmazzák az ipari termelésben az egyszerű berendezés, a könnyű kezelhetőség és a ...További információ