Hír
-
Vezetőképes és félig szigetelt szilícium-karbid hordozó alkalmazások
A szilícium-karbid hordozót félszigetelő és vezető típusúra osztják. Jelenleg a félszigetelt szilícium-karbid hordozó termékek fő specifikációja 4 hüvelyk. A vezetőképes szilícium-karbid gyártmányban...További információ -
Vannak-e különbségek a különböző kristályorientációjú zafírlap-alkalmazások között is?
A zafír az alumínium-oxid egykristálya, a háromrészes kristályrendszerhez tartozik, hatszögletű szerkezetű, kristályszerkezete három oxigénatomból és két alumíniumatomból áll, kovalens kötésűek, nagyon szorosan elrendezve, erős kötési lánccal és rácsenergiával, míg kristályszerkezete...További információ -
Mi a különbség a SiC vezetőképes szubsztrát és a félig szigetelt szubsztrát között?
A SiC szilícium-karbid eszköz a szilícium-karbidból, mint alapanyagból készült eszközre utal. A különböző ellenállási tulajdonságok szerint vezetőképes szilícium-karbid teljesítményeszközökre és félig szigetelt szilícium-karbid rádiófrekvenciás eszközökre osztják. Fő eszközformák és...További információ -
Egy cikk elvezet a TGV mesterévé
Mi a TGV? A TGV (Through-Glass Via) egy üvegfelületen átmenő furatok létrehozásának technológiája. Egyszerűen fogalmazva, a TGV egy toronyház, amely lyukasztja, kitölti és összeköti az üveget, hogy integrált áramköröket építsen az üvegfelületre...További információ -
Milyen mutatókkal lehet értékelni az ostya felületének minőségét?
A félvezető technológia folyamatos fejlődésével a félvezetőiparban, sőt a fotovoltaikus iparban is nagyon szigorúak a wafer szubsztrát vagy epitaxiális lemez felületi minőségére vonatkozó követelmények. Milyen minőségi követelményeknek kell megfelelni...További információ -
Mennyit tudsz a SiC egykristályok növekedési folyamatáról?
A szilícium-karbid (SiC), mint egyfajta széles sávú félvezető anyag, egyre fontosabb szerepet játszik a modern tudomány és technológia alkalmazásában. A szilícium-karbid kiváló hőstabilitással, magas elektromos térerősség-tűréssel, szándékos vezetőképességgel és...További információ -
A hazai SiC-szubsztrátok áttöréses csatája
Az utóbbi években, a downstream alkalmazások, mint például az új energiahordozók, a fotovoltaikus energiatermelés és az energiatárolás folyamatos térnyerésével, a SiC, mint új félvezető anyag, fontos szerepet játszik ezeken a területeken. A ...További információ -
SiC MOSFET, 2300 volt.
26-án a Power Cube Semi bejelentette Dél-Korea első 2300 V-os SiC (szilícium-karbid) MOSFET félvezetőjének sikeres kifejlesztését. A meglévő Si (szilícium) alapú félvezetőkkel összehasonlítva a SiC (szilícium-karbid) magasabb feszültségeket is elbír, ezért a ...További információ -
A félvezetők fellendülése csak illúzió?
2021 és 2022 között a globális félvezetőpiac gyors növekedést mutatott a COVID-19 járvány okozta speciális igények megjelenése miatt. Mivel azonban a COVID-19 világjárvány okozta speciális igények 2022 második felében véget értek és zuhantak...További információ -
2024-ben csökkentek a félvezető beruházások
Szerdán Biden elnök bejelentette a megállapodást, amelynek értelmében az Intel 8,5 milliárd dollár közvetlen finanszírozást és 11 milliárd dollár hitelt kap a CHIPS és Tudományos Törvény keretében. Az Intel ezt a finanszírozást az arizonai, ohiói, új-mexikói és oregoni ostyagyáraira fogja felhasználni. Ahogy arról beszámoltunk...További információ -
Mi az a SiC ostya?
A SiC szeletek szilícium-karbidból készült félvezetők. Ezt az anyagot 1893-ban fejlesztették ki, és ideális számos alkalmazáshoz. Különösen alkalmas Schottky-diódákhoz, átmenet-elválasztó Schottky-diódákhoz, kapcsolókhoz és fém-oxid-félvezető térvezérlésű tranzisztorokhoz...További információ -
A harmadik generációs félvezető – a szilícium-karbid – mélyreható értelmezése
Bevezetés a szilícium-karbidba A szilícium-karbid (SiC) egy szénből és szilíciumból álló összetett félvezető anyag, amely az egyik ideális anyag magas hőmérsékletű, nagyfrekvenciás, nagy teljesítményű és nagyfeszültségű eszközök gyártásához. A hagyományos ...További információ