A szilícium-karbid eszközökkel összehasonlítva a gallium-nitrid teljesítményű eszközök több előnnyel rendelkeznek azokban a forgatókönyvekben, ahol a hatékonyság, a frekvencia, a térfogat és egyéb átfogó szempontok egyidejűleg szükségesek, például a gallium-nitrid alapú eszközöket sikeresen alkalmazzák a gyorstöltés területén. nagy léptékű.Az új downstream alkalmazások kitörésével és a gallium-nitrid szubsztrát-előkészítési technológia folyamatos áttörésével a GaN eszközök mennyisége várhatóan tovább növekszik, és a költségcsökkentés és a hatékonyság, valamint a fenntartható zöld fejlődés egyik kulcsfontosságú technológiájává válik.
Jelenleg a félvezető anyagok harmadik generációja a stratégiailag feltörekvő iparágak fontos részévé vált, és az információs technológia, az energiatakarékosság és a kibocsátáscsökkentés, valamint a honvédelmi biztonsági technológia következő generációjának megragadásának stratégiai vezérpontjává válik.Közülük a gallium-nitrid (GaN) az egyik legreprezentatívabb harmadik generációs félvezető anyag, mint széles sávú félvezető anyag, amelynek sávszélessége 3,4 eV.
Július 3-án Kína megszigorította a galliumhoz és germániumhoz kapcsolódó termékek exportját, ami fontos politikai kiigazítás a gallium, egy ritka fém, mint "a félvezetőipar új szemcséje" fontos tulajdonságán és széleskörű alkalmazási előnyein alapul. félvezető anyagok, új energia és egyéb területek.Tekintettel erre a politikai változásra, ez a cikk a gallium-nitridet tárgyalja és elemzi az előállítási technológia és a kihívások, a jövőbeni új növekedési pontok és a versenyminta szempontjából.
Egy rövid bemutatkozás:
A gallium-nitrid egyfajta szintetikus félvezető anyag, amely a félvezető anyagok harmadik generációjának tipikus képviselője.A hagyományos szilícium anyagokkal összehasonlítva a gallium-nitrid (GaN) előnye a nagy sávszélesség, az erős letörési elektromos mező, az alacsony ellenállás, a nagy elektronmobilitás, a nagy konverziós hatékonyság, a nagy hővezetőképesség és az alacsony veszteség.
A gallium-nitrid egykristály a félvezető anyagok új generációja, kiváló teljesítménnyel, amely széles körben használható kommunikációs, radar, fogyasztói elektronika, autóelektronika, energiaenergia, ipari lézeres feldolgozás, műszerek és egyéb területeken, így fejlesztése és tömeggyártása a világ országai és iparágai figyelmének középpontjában.
A GaN alkalmazása
1--5G kommunikációs bázisállomás
A vezeték nélküli kommunikációs infrastruktúra a gallium-nitrid rádiófrekvenciás eszközök fő alkalmazási területe, amely 50%-ot tesz ki.
2 - Nagy teljesítményű
A GaN „dupla magasságú” funkciója nagy behatolási potenciállal rendelkezik a nagy teljesítményű fogyasztói elektronikai eszközökben, amelyek megfelelnek a gyorstöltési és töltésvédelmi forgatókönyvek követelményeinek.
3--Új energiajármű
Gyakorlati alkalmazási szempontból a jelenlegi harmadik generációs félvezető eszközök az autóban főként szilícium-karbid eszközök, de vannak megfelelő gallium-nitrid anyagok, amelyek átmennek a teljesítményeszköz modulok autószabályozási tanúsítványán, vagy más megfelelő csomagolási módokon. továbbra is elfogadja az egész üzem és az OEM gyártók.
4 - Adatközpont
A GaN teljesítmény-félvezetőket főként adatközpontok PSU tápegységeiben használják.
Összefoglalva, az új downstream alkalmazások kitörésével és a gallium-nitrid szubsztrát-előkészítési technológia folyamatos áttöréseivel a GaN készülékek mennyisége várhatóan tovább növekszik, és a költségcsökkentés és a hatékonyság, valamint a fenntartható zöld fejlődés egyik kulcsfontosságú technológiájává válik.
Feladás időpontja: 2023. július 27