12 hüvelykes SiC hordozó Átmérő 300 mm Vastagság 750 μm 4H-N Típus testreszabható

Rövid leírás:

A félvezetőipar hatékonyabb és kompaktabb megoldások felé való átállásának kritikus pontján a 12 hüvelykes SiC szubsztrát (12 hüvelykes szilícium-karbid szubsztrát) megjelenése alapvetően átalakította a piacot. A hagyományos 6 és 8 hüvelykes specifikációkhoz képest a 12 hüvelykes szubsztrát nagyméretű előnye több mint négyszeresére növeli a lapkánként előállított chipek számát. Ezenkívül a 12 hüvelykes SiC szubsztrát egységköltsége 35-40%-kal csökken a hagyományos 8 hüvelykes szubsztrátokhoz képest, ami kulcsfontosságú a végtermékek széles körű elterjedése szempontjából.
Saját fejlesztésű gőzszállításos növekedési technológiánk alkalmazásával iparágvezető kontrollt értünk el a 12 hüvelykes kristályok diszlokációsűrűsége felett, kivételes anyagalapot biztosítva a későbbi eszközgyártáshoz. Ez a fejlesztés különösen jelentős a jelenlegi globális chiphiány közepette.

A mindennapi alkalmazásokban használt kulcsfontosságú energiaellátó eszközök – mint például az elektromos járművek gyorstöltő állomásai és az 5G bázisállomások – egyre inkább alkalmazzák ezt a nagyméretű aljzatot. Különösen magas hőmérsékleten, nagyfeszültségen és más zord üzemi környezetben a 12 hüvelykes SiC aljzat sokkal jobb stabilitást mutat a szilícium alapú anyagokhoz képest.

Küldjön nekünk e-mailt

Termék részletei

Termékcímkék

Műszaki paraméterek

12 hüvelykes szilícium-karbid (SiC) hordozó specifikáció
Fokozat		ZeroMPD gyártás Fokozat (Z fokozat)	Standard gyártás Osztály (P osztály)		Dummy fokozat (D osztály)
Átmérő		300 mm~1305 mm
Vastagság	4H-N	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
	4H-SI	750 μm ± 15 μm	750 μm ± 25 μm
Ostya orientáció		Tengelyen kívül: 4,0° <1120 >±0,5° felé 4H-N esetén, Tengelyen belül: <0001>±0,5° 4H-SI esetén
Mikrocső sűrűsége	4H-N	≤0,4 cm-2	≤4 cm-2		≤25 cm-2
	4H-SI	≤5 cm-2	≤10 cm-2		≤25 cm-2
Ellenállás	4H-N	0,015~0,024 Ω·cm			0,015~0,028 Ω·cm
	4H-SI	≥1E10 Ω·cm			≥1E5 Ω·cm
Elsődleges sík tájolás		{10-10} ±5,0°
Elsődleges sík hossza	4H-N	Nem alkalmazható
	4H-SI	Bemetszés
Élkizárás		3 mm
LTV/TTV/Íj/Form		≤5μm/≤15μm/≤35μm/≤55μm			≤5μm/≤15μm/≤35 □ μm/≤55 □ μm
Érdesség		Lengyel Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0,2 nm			Ra≤0,5 nm
Szélrepedések nagy intenzitású fény hatására Hex lemezek nagy intenzitású fény segítségével Politípus területek nagy intenzitású fénnyel Vizuális szénzárványok Szilikon felületi karcolások nagy intenzitású fény hatására		Egyik sem Kumulált terület ≤0,05% Egyik sem Kumulált terület ≤0,05% Egyik sem			Összesített hossz ≤ 20 mm, egyedi hossz ≤ 2 mm Kumulált terület ≤0,1% Kumulált terület ≤3% Összesített terület ≤3% Összesített hossz ≤1 × ostyaátmérő
Edge Chips nagy intenzitású fény segítségével		Nem megengedett ≥0,2 mm szélesség és mélység			7 megengedett, ≤1 mm mindegyik
(TSD) Menetcsavar-elmozdulás		≤500 cm⁻²		Nem alkalmazható
(BPD) Alapsík diszlokáció		≤1000 cm⁻²		Nem alkalmazható
Szilícium felületi szennyeződése nagy intenzitású fénnyel		Egyik sem
Csomagolás		Több ostyás kazetta vagy egyetlen ostyatartály
Megjegyzések:
1 A hibahatárok a teljes ostyafelületre vonatkoznak, kivéve a szélek kizárási területét. 2A karcolásokat csak a Si felületén kell ellenőrizni. 3 A diszlokációs adatok csak KOH-val maratott lapkákból származnak.

Főbb jellemzők

1. Termelési kapacitás és költségelőnyök: A 12 hüvelykes SiC szubsztrát (12 hüvelykes szilícium-karbid szubsztrát) tömeggyártása új korszakot nyit a félvezetőgyártásban. Az egyetlen ostyából kinyerhető chipek száma eléri a 2,25-szeresét a 8 hüvelykes szubsztrátokhoz képest, ami közvetlenül a termelési hatékonyság növekedését eredményezi. Az ügyfél-visszajelzések azt mutatják, hogy a 12 hüvelykes szubsztrátok bevezetése 28%-kal csökkentette a teljesítménymodulok gyártási költségeit, ami döntő versenyelőnyt teremtett a kiélezett piacon.
2. Kiemelkedő fizikai tulajdonságok: A 12 hüvelykes SiC hordozó örökli a szilícium-karbid anyag minden előnyét – hővezető képessége háromszorosa a szilíciuménak, míg átütési térerőssége eléri a szilíciumé tízszeresét. Ezek a tulajdonságok lehetővé teszik a 12 hüvelykes hordozókon alapuló eszközök számára, hogy stabilan működjenek 200 °C-ot meghaladó hőmérsékletű környezetben, így különösen alkalmasak igényes alkalmazásokhoz, például elektromos járművekhez.
3. Felületkezelési technológia: Kifejlesztettünk egy új kémiai mechanikai polírozási (CMP) eljárást kifejezetten 12 hüvelykes SiC hordozókhoz, amely atomi szintű felületi síkfelületet (Ra<0,15 nm) ér el. Ez az áttörés megoldja a nagy átmérőjű szilícium-karbid ostyák felületkezelésének világméretű kihívását, elhárítva az akadályokat a kiváló minőségű epitaxiális növekedés előtt.
4. Hőgazdálkodási teljesítmény: A gyakorlati alkalmazásokban a 12 hüvelykes SiC szubsztrátok figyelemre méltó hőelvezetési képességeket mutatnak. A tesztadatok azt mutatják, hogy azonos teljesítménysűrűség mellett a 12 hüvelykes szubsztrátumokat használó eszközök 40-50°C-kal alacsonyabb hőmérsékleten működnek, mint a szilícium alapú eszközök, ami jelentősen meghosszabbítja a berendezések élettartamát.

Fő alkalmazások

1. Új energiahordozó-ökoszisztéma: A 12 hüvelykes SiC aljzat (12 hüvelykes szilícium-karbid aljzat) forradalmasítja az elektromos járművek hajtáslánc-architektúráját. A fedélzeti töltőktől (OBC) a fő hajtásirányítókig és az akkumulátorkezelő rendszerekig a 12 hüvelykes aljzatok által nyújtott hatékonyságnövekedés 5-8%-kal növeli a járművek hatótávolságát. Egy vezető autógyártó jelentései azt mutatják, hogy 12 hüvelykes aljzataink bevezetése lenyűgöző, 62%-os csökkenést mutatott a gyorstöltő rendszerük energiaveszteségében.
2. Megújuló energia szektor: A fotovoltaikus erőművekben a 12 hüvelykes SiC aljzatokon alapuló inverterek nemcsak kisebb alaktényezőkkel rendelkeznek, hanem 99%-ot meghaladó konverziós hatásfokot is elérnek. Különösen az elosztott energiatermelési forgatókönyvekben ez a magas hatásfok több százezer jüan éves megtakarítást jelent az üzemeltetők számára az áramveszteségben.
3. Ipari automatizálás: A 12 hüvelykes aljzatokat használó frekvenciaváltók kiváló teljesítményt nyújtanak ipari robotokban, CNC szerszámgépekben és egyéb berendezésekben. Nagyfrekvenciás kapcsolási jellemzőik 30%-kal javítják a motor válaszidejét, miközben az elektromágneses interferenciát a hagyományos megoldásokhoz képest egyharmadára csökkentik.
4. Szórakoztatóelektronikai innováció: A következő generációs okostelefon-gyorstöltési technológiák elkezdték alkalmazni a 12 hüvelykes SiC-aljzatokat. A várakozások szerint a 65 W feletti gyorstöltő termékek teljes mértékben átállnak a szilícium-karbid megoldásokra, és a 12 hüvelykes aljzatok válnak az optimális költség-teljesítmény arányú választássá.

XKH Testreszabott Szolgáltatások 12 hüvelykes SiC Aljzathoz

A 12 hüvelykes SiC szubsztrátok (12 hüvelykes szilícium-karbid szubsztrátok) speciális követelményeinek kielégítésére az XKH átfogó szerviztámogatást kínál:
1. Vastagság testreszabása:
12 hüvelykes hordozókat kínálunk különböző vastagságokban, beleértve a 725 μm-t is, hogy megfeleljünk a különböző alkalmazási igényeknek.
2. Doppingkoncentráció:
Gyártásunk többféle vezetőképességi típust támogat, beleértve az n-típusú és a p-típusú szubsztrátokat, precíz ellenállásszabályozással 0,01-0,02 Ω·cm tartományban.
3. Tesztelési szolgáltatások:
Teljes ostya szintű vizsgálóberendezéssel teljes körű ellenőrzési jelentéseket készítünk.
Az XKH megérti, hogy minden ügyfélnek egyedi igényei vannak a 12 hüvelykes SiC aljzatokkal szemben. Ezért rugalmas üzleti együttműködési modelleket kínálunk, hogy a legversenyképesebb megoldásokat nyújtsuk, legyen szó akár:
· K+F minták
· Mennyiségi termelés beszerzése
Testreszabott szolgáltatásaink biztosítják, hogy megfeleljünk a 12 hüvelykes SiC szubsztrátok iránti speciális műszaki és gyártási igényeinek.