4 hüvelykes Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Alkalmazások
● Növekedési szubsztrát III-V és II-VI vegyületekhez.
● Elektronika és optoelektronika.
● IR alkalmazások.
● Silicon On Sapphire integrált áramkör (SOS).
● Rádiófrekvenciás integrált áramkör (RFIC).
A LED-gyártás során a zafír lapkákat gallium-nitrid (GaN) kristályok növekedésének szubsztrátumaként használják, amelyek elektromos áram hatására fényt bocsátanak ki. A zafír ideális szubsztrát anyag a GaN növekedéséhez, mert hasonló kristályszerkezettel és hőtágulási együtthatóval rendelkezik, mint a GaN, ami minimalizálja a hibákat és javítja a kristály minőségét.
Az optikában a zafír lapkákat ablakként és lencséként használják nagy nyomású és magas hőmérsékletű környezetben, valamint infravörös képalkotó rendszerekben, nagy átlátszóságuk és keménységük miatt.
Specifikáció
Tétel | 4 hüvelykes C-sík (0001) 650 μm-es zafír ostya | |
Kristály anyagok | 99,999%, nagy tisztaságú, monokristályos Al2O3 | |
Fokozat | Prime, Epi-Ready | |
Felületi tájolás | C-sík(0001) | |
C-sík eltolási szöge az M-tengely felé 0,2 +/- 0,1° | ||
Átmérő | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
Vastagság | 650 μm +/- 25 μm | |
Elsődleges lapos tájolás | A-sík(11-20) +/- 0,2° | |
Elsődleges lapos hossz | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
Egyoldali polírozott | Elülső felület | Epipolírozott, Ra < 0,2 nm (AFM) |
(SSP) | Hátsó felület | Finom köszörülés, Ra = 0,8-1,2 μm |
Kétoldalas polírozott | Elülső felület | Epipolírozott, Ra < 0,2 nm (AFM) |
(DSP) | Hátsó felület | Epipolírozott, Ra < 0,2 nm (AFM) |
TTV | < 20 μm | |
ÍJ | < 20 μm | |
WARP | < 20 μm | |
Tisztítás / Csomagolás | 100. osztályú tisztatér tisztítás és vákuumcsomagolás, | |
25 darab egy kazettás csomagolásban vagy egy darabos csomagolásban. |
Csomagolás és szállítás
Általánosságban elmondható, hogy a csomagot 25 db-os kazettás dobozban biztosítjuk; Egyetlen ostyatartályba is csomagolhatunk 100 fokozatú takarítóhelyiség alatt az ügyfél igényei szerint.