8 hüvelykes, 200 mm-es 4H-N SiC Wafer, vezetőképes próbabábu kutatási minőségű

Rövid leírás:

A szállítási, energia- és ipari piacok fejlődésével a megbízható, nagy teljesítményű teljesítményelektronika iránti kereslet folyamatosan növekszik. A jobb félvezető-teljesítmény iránti igények kielégítése érdekében az eszközgyártók széles sávszélességű félvezető anyagokat keresnek, mint például a 4H n-típusú szilícium-karbid (SiC) lapkák 4H SiC Prime Grade portfólióját.


Termék részletek

Termékcímkék

Egyedülálló fizikai és elektronikai tulajdonságainak köszönhetően a 200 mm-es SiC lapka félvezető anyagból nagy teljesítményű, magas hőmérsékletű, sugárzásálló és nagyfrekvenciás elektronikai eszközöket készítenek. A 8 hüvelykes SiC hordozó ára fokozatosan csökken, ahogy a technológia egyre fejlettebb és a kereslet nő. A legújabb technológiai fejlesztések a 200 mm-es SiC lapkák gyártási léptékű gyártásához vezetnek. A SiC lapka félvezető anyagok fő előnyei a Si és GaAs lapkákhoz képest: A 4H-SiC elektromos térerőssége a lavina letörése során több mint egy nagyságrenddel magasabb, mint a Si és GaAs megfelelő értékei. Ez a Ron bekapcsolt állapotú ellenállás jelentős csökkenéséhez vezet. Az alacsony üzemi ellenállás a nagy áramsűrűséggel és hővezető képességgel kombinálva lehetővé teszi nagyon kis szerszámok használatát az erősáramú eszközökhöz. A SiC magas hővezető képessége csökkenti a chip hőellenállását. A SiC ostyákon alapuló eszközök elektronikus tulajdonságai nagyon stabilak az időben és a hőmérsékleten stabilak, ami biztosítja a termékek nagy megbízhatóságát. A szilícium-karbid rendkívül ellenáll a kemény sugárzásnak, ami nem rontja a chip elektronikus tulajdonságait. A kristály magas korlátozó üzemi hőmérséklete (több mint 6000 C) lehetővé teszi, hogy rendkívül megbízható eszközöket hozzon létre zord üzemi körülményekhez és speciális alkalmazásokhoz. Jelenleg kis tételben, 200 mm-es SiC ostyákat tudunk folyamatosan és folyamatosan szállítani, és van némi készletünk a raktárban.

Specifikáció

Szám Tétel Egység Termelés Kutatás Színlelt
1. Paraméterek
1.1 politípus -- 4H 4H 4H
1.2 felületi tájolás ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2. Elektromos paraméter
2.1 adalékanyag -- n-típusú nitrogén n-típusú nitrogén n-típusú nitrogén
2.2 ellenállás ohm · cm 0,015-0,025 0,01-0,03 NA
3. Mechanikai paraméter
3.1 átmérő mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 vastagság μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Bevágás tájolás ° [1-100]±5 [1-100]±5 [1-100]±5
3.4 Bevágás mélység mm 1-1,5 1-1,5 1-1,5
3.5 LTV μm ≤5 (10mm*10mm) ≤5 (10mm*10mm) ≤10 (10mm*10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Íj μm -25-25 -45-45 -65-65
3.8 Warp μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4. Struktúra
4.1 mikrocső sűrűsége ea/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 fémtartalom atom/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 BPD ea/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED ea/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Pozitív minőség
5.1 elülső -- Si Si Si
5.2 felületkezelés -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 részecske ea/ostya ≤100 (méret≥0,3 μm) NA NA
5.4 karcolás ea/ostya ≤5,Teljes hossz≤200mm NA NA
5.5 Él
forgácsok/benyomódások/repedések/foltok/szennyeződés
-- Egyik sem Egyik sem NA
5.6 Politípus területek -- Egyik sem Terület ≤10% Terület ≤30%
5.7 elülső jelölés -- Egyik sem Egyik sem Egyik sem
6. Hátsó minőség
6.1 hátsó befejezés -- C-arcú MP C-arcú MP C-arcú MP
6.2 karcolás mm NA NA NA
6.3 Hátsó szélhibák
chipek/behúzások
-- Egyik sem Egyik sem NA
6.4 Hát érdesség nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Hátsó jelölés -- Bemetszés Bemetszés Bemetszés
7. Él
7.1 él -- Letörés Letörés Letörés
8. Csomag
8.1 csomagolás -- Epi-ready vákuummal
csomagolás
Epi-ready vákuummal
csomagolás
Epi-ready vákuummal
csomagolás
8.2 csomagolás -- Több ostya
kazettás csomagolás
Több ostya
kazettás csomagolás
Több ostya
kazettás csomagolás

Részletes diagram

8 hüvelykes SiC03
8 hüvelykes SiC4
8 hüvelykes SiC5
8 hüvelykes SiC6

  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk