2 hüvelykes 3 hüvelykes 4 hüvelykes InP epitaxiális szelet hordozó APD fényérzékelő száloptikai kommunikációhoz vagy LiDAR
Az InP lézeres epitaxiális lap főbb jellemzői közé tartozik
1. Sávköz jellemzői: Az InP keskeny sávszélességgel rendelkezik, amely alkalmas hosszúhullámú infravörös fény érzékelésére, különösen az 1,3 μm és 1,5 μm közötti hullámhossz-tartományban.
2. Optikai teljesítmény: Az InP epitaxiális film jó optikai teljesítménnyel rendelkezik, mint például a fényerő és a külső kvantumhatékonyság különböző hullámhosszokon. Például 480 nm-en a fényerő és a külső kvantumhatékonyság 11,2%, illetve 98,8%.
3. Hordozódinamika: Az InP nanorészecskék (NP-k) kettős exponenciális bomlási viselkedést mutatnak az epitaxiális növekedés során. A gyors lebomlási idő az InGaAs rétegbe történő hordozó injekciónak tulajdonítható, míg a lassú lebomlási idő az InP NP-k hordozó rekombinációjához kapcsolódik.
4. Magas hőmérsékleti jellemzők: Az AlGaInAs / InP kvantumkút anyaga kiváló teljesítményt nyújt magas hőmérsékleten, ami hatékonyan megakadályozza az áramlás szivárgását és javítja a lézer magas hőmérsékleti jellemzőit.
5. Gyártási folyamat: Az InP epitaxiális lapokat általában molekuláris nyaláb epitaxiás (MBE) vagy fém-szerves kémiai gőzleválasztásos (MOCVD) technológiával növesztik a szubsztrátumon, hogy kiváló minőségű filmeket kapjanak.
Ezek a jellemzők teszik az InP lézeres epitaxiális lapkákat fontos alkalmazásokká az optikai szálas kommunikációban, a kvantumkulcs-elosztásban és a távoli optikai érzékelésben.
Az InP lézeres epitaxiális tabletták fő alkalmazásai a következők:
1. Fotonika: Az InP lézereket és detektorokat széles körben használják az optikai kommunikációban, adatközpontokban, infravörös képalkotásban, biometrikus adatokban, 3D-s érzékelésben és LiDAR-ban.
2. Távközlés: Az InP anyagoknak fontos alkalmazásai vannak a szilícium alapú hosszú hullámhosszú lézerek nagyszabású integrációjában, különösen az optikai szálas kommunikációban.
3. Infravörös lézerek: InP-alapú kvantumkút lézerek alkalmazása a közép-infravörös sávban (például 4-38 mikron), beleértve a gázérzékelést, a robbanásérzékelést és az infravörös képalkotást.
4. Szilícium fotonika: A heterogén integrációs technológia révén az InP lézer szilícium alapú hordozóra kerül, így többfunkciós szilícium optoelektronikai integrációs platform jön létre.
5. Nagy teljesítményű lézerek: InP anyagokat használnak nagy teljesítményű lézerek, például 1,5 mikron hullámhosszú InGaAsP-InP tranzisztoros lézerek gyártásához.
Az XKH testreszabott, különböző szerkezetű és vastagságú InP epitaxiális lapkákat kínál, amelyek számos alkalmazási területet lefednek, például optikai kommunikációt, érzékelőket, 4G/5G bázisállomásokat stb. Az XKH termékeit fejlett MOCVD berendezésekkel gyártják a nagy teljesítmény és megbízhatóság érdekében. Logisztikai szempontból az XKH széles nemzetközi forráscsatornával rendelkezik, rugalmasan tudja kezelni a rendelések számát, és értéknövelt szolgáltatásokat nyújt, mint pl. ritkítás, szegmentálás, stb. minőség és szállítási határidők. Érkezés után az ügyfelek átfogó műszaki támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást kaphatnak, hogy biztosítsák a termék zökkenőmentes használatba vételét.