2 hüvelykes, 3 hüvelykes, 4 hüvelykes InP epitaxiális ostya szubsztrát APD fénydetektor száloptikai kommunikációhoz vagy LiDAR-hoz
Az InP lézeres epitaxiális lemez főbb jellemzői a következők:
1. Sávrésű jellemzők: Az InP keskeny sávrésű, amely alkalmas hosszú hullámú infravörös fény detektálására, különösen az 1,3 μm és 1,5 μm közötti hullámhossztartományban.
2. Optikai teljesítmény: Az InP epitaxiális film jó optikai teljesítményt nyújt, például fényerőt és külső kvantumhatásfokot különböző hullámhosszakon. Például 480 nm-en a fényerő és a külső kvantumhatásfok 11,2%, illetve 98,8%.
3. Hordozódinamika: Az InP nanorészecskék (NP-k) kettős exponenciális bomlási viselkedést mutatnak epitaxiális növekedés során. A gyors bomlási idő az InGaAs rétegbe történő töltéshordozó-befecskendezéshez, míg a lassú bomlási idő az InP NP-kben lévő töltéshordozó-rekombinációhoz kapcsolódik.
4. Magas hőmérsékleti jellemzők: Az AlGaInAs/InP kvantumkút anyag kiváló teljesítményt nyújt magas hőmérsékleten, ami hatékonyan megakadályozza az áramlás szivárgását és javítja a lézer magas hőmérsékleti jellemzőit.
5. Gyártási folyamat: Az InP epitaxiális lemezeket általában molekulasugaras epitaxiával (MBE) vagy fémorganikus kémiai gőzfázisú leválasztással (MOCVD) növesztik az aljzatra a kiváló minőségű filmek elérése érdekében.
Ezek a jellemzők teszik az InP lézeres epitaxiális ostyákat fontos alkalmazási területekké az optikai szálas kommunikációban, a kvantumkulcs-elosztásban és a távoli optikai detektálásban.
Az InP lézeres epitaxiális tabletták főbb alkalmazásai a következők:
1. Fotonika: Az InP lézereket és detektorokat széles körben használják optikai kommunikációban, adatközpontokban, infravörös képalkotásban, biometriában, 3D érzékelésben és LiDAR-ban.
2. Távközlés: Az InP anyagok fontos alkalmazási területek a szilícium alapú hosszú hullámhosszú lézerek nagyméretű integrációjában, különösen az optikai szálas kommunikációban.
3. Infravörös lézerek: InP-alapú kvantumkútlézerek alkalmazásai a közép-infravörös sávban (például 4-38 mikron), beleértve a gázérzékelést, a robbanóanyagok észlelését és az infravörös képalkotást.
4. Szilícium-fotonika: Heterogén integrációs technológián keresztül az InP lézert egy szilícium alapú hordozóra viszik át, így egy multifunkcionális szilícium optoelektronikai integrációs platformot hoznak létre.
5. Nagy teljesítményű lézerek: Az InP anyagokat nagy teljesítményű lézerek, például 1,5 mikron hullámhosszú InGaAsP-InP tranzisztorlézerek gyártására használják.
Az XKH testreszabott InP epitaxiális ostyákat kínál különböző szerkezetekben és vastagságokban, számos alkalmazási területet lefedve, mint például optikai kommunikáció, érzékelők, 4G/5G bázisállomások stb. Az XKH termékeit fejlett MOCVD berendezésekkel gyártják a nagy teljesítmény és megbízhatóság biztosítása érdekében. Logisztika szempontjából az XKH széleskörű nemzetközi beszerzési csatornákkal rendelkezik, rugalmasan kezeli a megrendelések számát, és hozzáadott értékű szolgáltatásokat nyújt, mint például a vékonyítás, szegmentálás stb. A hatékony szállítási folyamatok biztosítják a pontos szállítást, és megfelelnek az ügyfelek minőségi és szállítási határidőkkel kapcsolatos követelményeinek. Az ügyfelek megérkezését követően átfogó műszaki támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást kaphatnak a termék zökkenőmentes üzembe helyezése érdekében.
Részletes ábra


