2 hüvelykes SiC rúd Dia50,8mmx10mmt 4H-N monokristály
SiC Crystal Growth Technology
A SiC jellemzői megnehezítik az egykristályok termesztését.Ennek elsősorban az az oka, hogy atmoszférikus nyomáson nincs Si : C = 1 : 1 sztöchiometrikus arányú folyadékfázis, és nem lehetséges a SiC termesztése érettebb növesztési módszerekkel, mint pl. a falling cucible módszer, amelyek a félvezetőipar alappillérei.Elméletileg a Si : C = 1 : 1 sztöchiometrikus arányú oldat csak akkor nyerhető, ha a nyomás nagyobb, mint 10E5 atm, és a hőmérséklet magasabb, mint 3200 ℃.Jelenleg a főbb módszerek közé tartozik a PVT módszer, a folyadékfázisú módszer és a magas hőmérsékletű gőzfázisú kémiai leválasztási módszer.
Az általunk kínált SiC ostyákat és kristályokat főleg fizikai gőzszállítással (PVT) termesztik, és az alábbiakban röviden bemutatjuk a PVT-t:
A fizikai gőztranszport (PVT) módszer a Lely által 1955-ben feltalált gázfázisú szublimációs technikából származik, melynek során SiC port helyeznek egy grafitcsőbe és magas hőmérsékletre hevítik, hogy a SiC por lebomlik és szublimálódik, majd a grafit. A csövet lehűtik, és a SiC por lebomlott gázfázisú komponensei SiC kristályokként lerakódnak és kristályosodnak a grafitcső körül.Bár ezzel a módszerrel nehéz nagy méretű SiC egykristályokat előállítani, és a grafitcső belsejében zajló lerakódási folyamat nehezen szabályozható, ötleteket ad a későbbi kutatóknak.
YM Tairov et al.Oroszországban ezen az alapon vezették be az oltókristály fogalmát, amely megoldotta a SiC kristályok ellenőrizhetetlen kristályformájának és góchelyzetének problémáját.A későbbi kutatók tovább fejlesztették, és végül kifejlesztették a ma iparilag használt fizikai gőzátviteli (PVT) módszert.
A PVT, mint a legkorábbi SiC kristálytenyésztési módszer, jelenleg a legelterjedtebb SiC kristályok növesztési módszere.Más módszerekkel összehasonlítva ez a módszer alacsony követelményeket támaszt a növesztőberendezéssel szemben, egyszerű növekedési folyamattal, erős irányíthatósággal, alapos fejlesztéssel és kutatással rendelkezik, és már iparosodott.
Részletes diagram
![asd (1)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-19.jpg)
![asd (2)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-29.jpg)
![asd (3)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-35.jpg)
![asd (4)](http://www.xkh-semitech.com/uploads/asd-42.jpg)