2 hüvelykes szilícium-karbid ostya 6H-N típusú Prime Grade Research Grade Dummy minőségű 330 μm 430 μm vastagság

Rövid leírás:

A szilícium-karbidnak számos különböző polimorfja létezik, és a 6H szilícium-karbid egy a közel 200 polimorf közül. A 6H szilícium-karbid a szilikonkarbidok leggyakrabban előforduló, kereskedelmi célú módosítása. A 6H szilícium-karbid lapkák rendkívül fontosak. Használhatók félvezetőként. Tartóssága és alacsony anyagköltsége miatt széles körben használják csiszoló- és vágószerszámokban, például vágókorongokban. Modern kompozit testpáncélokban és golyóálló mellényekben használják. Az autóiparban is használják, ahol féktárcsák gyártására használják. Nagy öntödei alkalmazásokban olvadó fémek olvasztótégelyekben való tartására használják. Használata elektromos és elektronikus alkalmazásokban olyan jól ismert, hogy nem igényel vitát. Ezen túlmenően nagy teljesítményű elektronikai eszközökben, LED-ekben, csillagászatban, vékonyszálas pirometriában, ékszerekben, grafén- és acélgyártásban, valamint katalizátorként használják. Kínálunk 6H szilícium-karbid lapkákat, amelyek kiváló minőségűek és elképesztő 99,99%-ban.


Termék részletek

Termékcímkék

A szilícium-karbid lapka jellemzői a következők:

1. A szilícium-karbid (SiC) lapka kiváló elektromos tulajdonságokkal és kiváló termikus tulajdonságokkal rendelkezik. A szilícium-karbid (SiC) lapka alacsony hőtágulású.

2. A szilícium-karbid (SiC) lapka kiváló keménységi tulajdonságokkal rendelkezik. A szilícium-karbid (SiC) lapka jól teljesít magas hőmérsékleten.

3. A szilícium-karbid (SiC) lapka nagymértékben ellenáll a korróziónak, az eróziónak és az oxidációnak. Emellett a szilícium-karbid (SiC) lapka fényesebb is, mint akár a gyémánt, akár a cirkónia.

4.Jobb sugárzásállóság: A SIC lapkák erősebb sugárzásállósággal rendelkeznek, így alkalmasak sugárzási környezetben való használatra. Ilyenek például az űrhajók és a nukleáris létesítmények.
5.Magasabb keménység: A SIC lapkák keményebbek, mint a szilícium, ami növeli az ostyák tartósságát a feldolgozás során.

6. Alacsonyabb dielektromos állandó: A SIC lapkák dielektromos állandója alacsonyabb, mint a szilíciumé, ami segít csökkenteni a parazita kapacitást az eszközben és javítani a nagyfrekvenciás teljesítményt.

A szilícium-karbid ostyának számos felhasználási területe van

A SiC-t nagyon nagyfeszültségű és nagy teljesítményű eszközök, például diódák, teljesítménytranzisztorok és nagy teljesítményű mikrohullámú készülékek gyártására használják. A hagyományos Si-eszközökhöz képest a SiC alapú tápegységek gyorsabb kapcsolási sebességgel, nagyobb feszültséggel, kisebb parazita ellenállással, kisebb méretekkel, a magas hőmérsékleti képesség miatt kevesebb hűtéssel rendelkeznek.
Míg a szilícium-karbid (SiC-6H) - 6H lapka kiváló elektronikus tulajdonságokkal rendelkezik, a szilícium-karbid (SiC-6H) - 6H lapka a legkönnyebben elkészíthető és legjobban tanulmányozható.
1. Power Electronics: A szilícium-karbid ostyákat a Power Electronics gyártása során használják, amelyeket számos alkalmazásban alkalmaznak, beleértve az elektromos járműveket, a megújuló energiarendszereket és az ipari berendezéseket. A szilícium-karbid nagy hővezető képessége és alacsony teljesítményvesztesége ideális anyaggá teszi ezeket az alkalmazásokhoz.
2.LED világítás: A szilícium-karbid lapkákat a LED-es világítás gyártásához használják. A szilícium-karbid nagy szilárdsága lehetővé teszi olyan LED-ek előállítását, amelyek tartósabbak és tartósabbak, mint a hagyományos fényforrások.
3. Félvezető eszközök: A szilícium-karbid lapkákat félvezető eszközök gyártásához használják, amelyeket számos alkalmazásban használnak, beleértve a távközlést, a számítástechnikát és a fogyasztói elektronikát. A szilícium-karbid nagy hővezető képessége és alacsony teljesítményvesztesége ideális anyaggá teszi ezeket az alkalmazásokhoz.
4. Napelemek: A napelemek gyártásához szilícium-karbid lapkákat használnak. A szilícium-karbid nagy szilárdsága lehetővé teszi olyan napelemek gyártását, amelyek tartósabbak és tartósabbak, mint a hagyományos napelemek.
Összességében a ZMSH szilícium-karbid ostya sokoldalú és kiváló minőségű termék, amely számos alkalmazásban használható. Magas hővezető képessége, alacsony teljesítményvesztesége és nagy szilárdsága ideális anyaggá teszik a magas hőmérsékletű és nagy teljesítményű elektronikai eszközökhöz. A ≤50 um ív/hajlítás, ≤1,2 nm felületi érdesség és nagy/alacsony ellenállású szilícium-karbid ostya megbízható és hatékony választás minden olyan alkalmazáshoz, amely sík és sima felületet igényel.
A SiC Substrate termékünk átfogó műszaki támogatást és szolgáltatásokat kínál az optimális teljesítmény és az ügyfelek elégedettségének biztosítása érdekében.
Szakértői csapatunk készséggel áll rendelkezésére a termék kiválasztásában, telepítésében és hibaelhárításában.
Képzéseket és oktatást kínálunk termékeink használatával és karbantartásával kapcsolatban, hogy segítsünk ügyfeleinknek befektetéseik maximalizálásában.
Ezenkívül folyamatos termékfrissítéseket és fejlesztéseket biztosítunk, hogy ügyfeleink mindig hozzáférjenek a legújabb technológiához.

Részletes diagram

4
5
6

  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk