3 hüvelykes nagy tisztaságú félszigetelő (HPSI) SiC ostya 350 um Dummy minőségű Prime minőségű

3 hüvelykes nagy tisztaságú félszigetelő (HPSI) SiC ostya 350 um Dummy minőségű, első osztályú Kiemelt kép

Rövid leírás:

A 3 hüvelykes átmérőjű és 350 µm ± 25 µm vastagságú HPSI (High-Purity Silicon Carbide) SiC lapka a legmodernebb teljesítményelektronikai alkalmazásokhoz készült. A SiC lapkák kivételes anyagtulajdonságaikról híresek, mint például a magas hővezető képesség, a nagy feszültségállóság és a minimális energiaveszteség, ami miatt előnyben részesítik őket az erősáramú félvezető eszközök számára. Ezeket az ostyákat extrém körülmények kezelésére tervezték, és jobb teljesítményt kínálnak magas frekvenciájú, nagyfeszültségű és magas hőmérsékletű környezetben, miközben nagyobb energiahatékonyságot és tartósságot biztosítanak.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

Alkalmazás

A HPSI SiC lapkák kulcsfontosságúak a következő generációs áramforrások lehetővé tételében, amelyeket számos nagy teljesítményű alkalmazásban használnak:
Teljesítményátalakító rendszerek: A SiC lapkák a tápegységek, például a teljesítmény MOSFET-ek, diódák és IGBT-k alapanyagaként szolgálnak, amelyek kulcsfontosságúak az elektromos áramkörök hatékony áramátalakításához. Ezek az alkatrészek megtalálhatók a nagy hatásfokú tápegységekben, motorhajtásokban és ipari inverterekben.

Elektromos járművek (EV):Az elektromos járművek iránti növekvő kereslet hatékonyabb teljesítményelektronika alkalmazását teszi szükségessé, és a SiC lapkák ebben az átalakulásban az élen járnak. Az elektromos járművek hajtásláncaiban ezek a lapkák nagy hatékonyságot és gyors kapcsolási képességeket biztosítanak, amelyek hozzájárulnak a gyorsabb töltési időhöz, a nagyobb hatótávhoz és a jármű általános teljesítményének javításához.

Megújuló energia:A megújuló energiarendszerekben, mint például a nap- és szélenergia, a SiC lapkákat inverterekben és konverterekben használják, amelyek hatékonyabb energiaelnyelést és -elosztást tesznek lehetővé. A SiC magas hővezető képessége és kiváló áttörési feszültsége biztosítja, hogy ezek a rendszerek még szélsőséges környezeti feltételek mellett is megbízhatóan működjenek.

Ipari automatizálás és robotika:Az ipari automatizálási rendszerekben és a robotikában a nagy teljesítményű teljesítményelektronikához olyan eszközökre van szükség, amelyek képesek gyorsan kapcsolni, kezelni a nagy teljesítményű terheléseket és nagy igénybevétel mellett működni. A SiC alapú félvezetők megfelelnek ezeknek a követelményeknek, mivel nagyobb hatékonyságot és robusztusságot biztosítanak még zord működési környezetben is.

Távközlési rendszerek:A távközlési infrastruktúrában, ahol a nagy megbízhatóság és a hatékony energiaátalakítás kritikus fontosságú, SiC lapkákat használnak tápegységekben és DC-DC átalakítókban. A SiC eszközök segítenek csökkenteni az energiafogyasztást és javítani a rendszer teljesítményét az adatközpontokban és a kommunikációs hálózatokban.

A nagy teljesítményű alkalmazásokhoz szilárd alapot biztosítva a HPSI SiC lapka lehetővé teszi az energiahatékony eszközök fejlesztését, segítve az iparágakat a környezetbarátabb, fenntarthatóbb megoldásokra való átállásban.

Tulajdonságok

operty	Gyártási fokozat	Kutatási fokozat	Dummy Grade
Átmérő	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm	75,0 mm ± 0,5 mm
Vastagság	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm	350 µm ± 25 µm
Ostya orientáció	A tengelyen: <0001> ± 0,5°	A tengelyen: <0001> ± 2,0°	A tengelyen: <0001> ± 2,0°
Mikrocső sűrűség az ostyák 95%-ához (MPD)	≤ 1 cm⁻²	≤ 5 cm⁻²	≤ 15 cm⁻²
Elektromos ellenállás	≥ 1E7 Ω·cm	≥ 1E6 Ω·cm	≥ 1E5 Ω·cm
Adalékanyag	Nem adalékolt	Nem adalékolt	Nem adalékolt
Elsődleges lapos tájolás	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°	{11-20} ± 5,0°
Elsődleges lapos hossz	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm	32,5 mm ± 3,0 mm
Másodlagos lapos hossz	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm	18,0 mm ± 2,0 mm
Másodlagos lapos tájolás	Si oldallal felfelé: 90° CW az elsődleges laptól ± 5,0°	Si oldallal felfelé: 90° CW az elsődleges laptól ± 5,0°	Si oldallal felfelé: 90° CW az elsődleges laptól ± 5,0°
Élek kizárása	3 mm	3 mm	3 mm
LTV/TTV/Íj/Warp	3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm	3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm	5 µm / 15 µm / ± 40 µm / 45 µm
Felületi érdesség	C-felület: polírozott, Si-felület: CMP	C-felület: polírozott, Si-felület: CMP	C-felület: polírozott, Si-felület: CMP
Repedések (nagy intenzitású fénnyel ellenőrizve)	Egyik sem	Egyik sem	Egyik sem
Hatlapú lemezek (nagy intenzitású fénnyel ellenőrizve)	Egyik sem	Egyik sem	Összesített terület 10%
Politípus területek (nagy intenzitású fénnyel ellenőrzött)	Összesített terület 5%	Összesített terület 5%	Összesített terület 10%
Karcolások (nagy intenzitású fénnyel ellenőrizve)	≤ 5 karcolás, kumulált hossz ≤ 150 mm	≤ 10 karcolás, kumulált hossz ≤ 200 mm	≤ 10 karcolás, kumulált hossz ≤ 200 mm
Edge Chipping	Egyik sem megengedett ≥ 0,5 mm szélesség és mélység	2 megengedett, ≤ 1 mm szélesség és mélység	5 megengedett, ≤ 5 mm szélesség és mélység
Felületi szennyeződés (nagy intenzitású fénnyel ellenőrizve)	Egyik sem	Egyik sem	Egyik sem

Főbb előnyök

Kiváló hőteljesítmény: A SiC magas hővezető képessége hatékony hőelvezetést biztosít az erősáramú eszközökben, lehetővé téve, hogy nagyobb teljesítményszinten és frekvencián működjenek túlmelegedés nélkül. Ez kisebb, hatékonyabb rendszereket és hosszabb működési élettartamot jelent.

Magas leállási feszültség: A szilíciumhoz képest szélesebb sávszélességgel a SiC lapkák támogatják a nagyfeszültségű alkalmazásokat, így ideálisak olyan teljesítményelektronikai alkatrészekhez, amelyeknek nagy áttörési feszültséget kell ellenállniuk, például elektromos járművekben, hálózati energiarendszerekben és megújuló energiarendszerekben.

Csökkentett teljesítményveszteség: A SiC eszközök alacsony bekapcsolási ellenállása és gyors kapcsolási sebessége csökkenti az energiaveszteséget működés közben. Ez nemcsak a hatékonyságot javítja, hanem növeli azon rendszerek általános energiamegtakarítását is, amelyekben ezeket telepítik.
Fokozott megbízhatóság zord környezetben: A SiC robusztus anyagtulajdonságai lehetővé teszik, hogy extrém körülmények között is működjön, például magas hőmérsékleten (akár 600°C-ig), magas feszültségen és magas frekvencián. Ez teszi a SiC lapkákat alkalmassá az igényes ipari, autóipari és energetikai alkalmazásokhoz.

Energiahatékonyság: A SiC eszközök nagyobb teljesítménysűrűséget kínálnak, mint a hagyományos szilícium alapú eszközök, csökkentve a teljesítményelektronikai rendszerek méretét és súlyát, miközben javítják általános hatékonyságukat. Ez költségmegtakarításhoz és kisebb környezeti lábnyomhoz vezet az olyan alkalmazásokban, mint a megújuló energia és az elektromos járművek.

Skálázhatóság: A HPSI SiC lapka 3 hüvelykes átmérője és precíz gyártási tűrései biztosítják, hogy méretezhető legyen a tömeggyártáshoz, megfelelve a kutatási és kereskedelmi gyártási követelményeknek.

Következtetés

A HPSI SiC lapka 3 hüvelykes átmérőjével és 350 µm ± 25 µm vastagságával az optimális anyag a nagy teljesítményű elektromos elektronikai eszközök következő generációjához. A hővezető képesség, a nagy áttörési feszültség, az alacsony energiaveszteség és az extrém körülmények közötti megbízhatóság egyedülálló kombinációja nélkülözhetetlen elemévé teszi az energiaátalakítás, a megújuló energia, az elektromos járművek, az ipari rendszerek és a telekommunikáció különféle alkalmazásainak.

Ez a SiC lapka különösen alkalmas azon iparágak számára, amelyek nagyobb hatékonyságot, nagyobb energiamegtakarítást és nagyobb rendszer-megbízhatóságot kívánnak elérni. Ahogy a teljesítményelektronikai technológia folyamatosan fejlődik, a HPSI SiC lapka biztosítja az alapot a következő generációs, energiahatékony megoldások kifejlesztéséhez, elősegítve az átmenetet a fenntarthatóbb, alacsony szén-dioxid-kibocsátású jövő felé.