3 hüvelykes SiC hordozó gyártása Dia76.2mm 4H-N

A 3 hüvelykes szilícium-karbid MOSFET ostyák főbb jellemzői a következők;

A szilícium-karbid (SiC) egy széles tiltott sávú félvezető anyag, amelyet magas hővezető képesség, nagy elektronmobilitás és nagy átütési elektromos térerősség jellemez. Ezek a tulajdonságok teszik a SiC szeleteket kiemelkedővé nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és magas hőmérsékletű alkalmazásokban. Különösen a 4H-SiC politípusban kristályszerkezete kiváló elektronikus teljesítményt biztosít, így a teljesítményelektronikai eszközök kedvelt anyagává vált.

A 3 hüvelykes szilícium-karbid 4H-N ostya egy nitrogénnel adalékolt ostya N-típusú vezetőképességgel. Ez az adalékolási módszer nagyobb elektronkoncentrációt biztosít az ostyának, ezáltal javítva az eszköz vezetőképességét. Az ostya mérete, 3 hüvelyk (76,2 mm átmérő), egy általánosan használt méret a félvezetőiparban, amely különféle gyártási folyamatokhoz alkalmas.

A 3 hüvelykes szilícium-karbid 4H-N ostyát fizikai gőzszállítással (PVT) állítják elő. Ez az eljárás magában foglalja a SiC por egykristályokká alakítását magas hőmérsékleten, biztosítva a kristályminőséget és az ostya egyenletességét. Ezenkívül az ostya vastagsága jellemzően 0,35 mm körül van, és a felületét kétoldalas polírozásnak vetik alá, hogy rendkívül magas szintű síkfelületet és simaságot érjenek el, ami kulcsfontosságú a későbbi félvezető-gyártási folyamatokhoz.

A 3 hüvelykes szilícium-karbid 4H-N ostya alkalmazási területe széles, beleértve a nagy teljesítményű elektronikus eszközöket, a magas hőmérsékletű érzékelőket, az RF eszközöket és az optoelektronikai eszközöket. Kiváló teljesítménye és megbízhatósága lehetővé teszi ezeknek az eszközöknek a stabil működését extrém körülmények között, kielégítve a modern elektronikai ipar nagy teljesítményű félvezető anyagok iránti igényét.

4H-N 3 hüvelykes SiC szubsztrátot, különböző minőségű szubsztrát alapanyag ostyákat tudunk biztosítani. Igény szerint egyedi megrendeléseket is vállalunk. Szeretettel várjuk!