3 hüvelykes SiC hordozó Gyártási átmérő 76,2 mm 4H-N

A 3 hüvelykes szilícium-karbid mosfet lapkák főbb jellemzői a következők;

A szilícium-karbid (SiC) egy széles sávú félvezető anyag, amelyet nagy hővezető képesség, nagy elektronmobilitás és nagy áttörési elektromos térerő jellemez. Ezek a tulajdonságok teszik a SiC lapkákat kiemelkedővé a nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és magas hőmérsékletű alkalmazásokban. Különösen a 4H-SiC politípus esetében kristályszerkezete kiváló elektronikus teljesítményt nyújt, így ez a választás anyaga a teljesítményelektronikai eszközökhöz.

A 3 hüvelykes szilícium-karbid 4H-N lapka egy nitrogénnel adalékolt lapka, N-típusú vezetőképességgel. Ez az adalékolási módszer magasabb elektronkoncentrációt ad az ostyának, ezáltal javítva az eszköz vezetőképességét. Az ostya 3 hüvelykes (76,2 mm átmérőjű) mérete a félvezetőiparban általánosan használt méret, amely különféle gyártási folyamatokhoz alkalmas.

A 3 hüvelykes szilícium-karbid 4H-N lapka a fizikai gőzszállítás (PVT) módszerével készül. Ez a folyamat magában foglalja a szilícium-karbid-port egykristályokká alakítását magas hőmérsékleten, biztosítva a kristályminőséget és az ostya egyenletességét. Ezenkívül az ostya vastagsága jellemzően 0,35 mm körül van, és felületét kétoldali polírozásnak vetik alá, hogy rendkívül magas szintű síkságot és simaságot érjenek el, ami kulcsfontosságú a későbbi félvezető-gyártási folyamatokhoz.

A 3 hüvelykes szilícium-karbid 4H-N lapka alkalmazási köre széles, beleértve a nagy teljesítményű elektronikus eszközöket, a magas hőmérséklet-érzékelőket, az RF eszközöket és az optoelektronikai eszközöket. Kiváló teljesítménye és megbízhatósága lehetővé teszi, hogy ezek az eszközök extrém körülmények között is stabilan működjenek, kielégítve a modern elektronikai iparban a nagy teljesítményű félvezető anyagok iránti igényt.

4H-N 3 hüvelykes SiC hordozót, különböző minőségű szubsztrát ostyákat tudunk biztosítani. Igényeinek megfelelő testreszabást is meg tudjuk szervezni. Üdvözöljük az érdeklődést!