4 hüvelykes zafír lapka C-sík SSP/DSP 0,43 mm 0,65 mm
Alkalmazások
● Növekedési szubsztrát III-V és II-VI vegyületekhez.
● Elektronika és optoelektronika.
● IR-alkalmazások.
● Szilícium-zafír integrált áramkör (SOS).
● Rádiófrekvenciás integrált áramkör (RFIC).
A LED-gyártás során zafírlapokat használnak szubsztrátként a gallium-nitrid (GaN) kristályok növesztéséhez, amelyek elektromos áram hatására fényt bocsátanak ki. A zafír ideális szubsztrátanyag a GaN növesztéséhez, mivel hasonló kristályszerkezettel és hőtágulási együtthatóval rendelkezik, mint a GaN, ami minimalizálja a hibákat és javítja a kristályminőséget.
Az optikában a zafírlapokat ablakokként és lencsékként használják nagy nyomású és magas hőmérsékletű környezetben, valamint infravörös képalkotó rendszerekben, nagy átlátszóságuk és keménységük miatt.
Specifikáció
| Tétel | 4 hüvelykes C-síkú (0001) 650 μm-es zafír ostyák | |
| Kristályanyagok | 99,999%, nagy tisztaságú, monokristályos Al2O3 | |
| Fokozat | Prime, Epi-Ready | |
| Felületi orientáció | C-sík (0001) | |
| A C-sík M-tengelyhez viszonyított szöge 0,2 +/- 0,1° | ||
| Átmérő | 100,0 mm +/- 0,1 mm | |
| Vastagság | 650 μm +/- 25 μm | |
| Elsődleges sík tájolás | A-sík (11-20) +/- 0,2° | |
| Elsődleges sík hossza | 30,0 mm +/- 1,0 mm | |
| Egyoldalas polírozott | Elülső felület | Epi-polírozott, Ra < 0,2 nm (AFM szerint) |
| (SSP) | Hátsó felület | Finomra köszörülve, Ra = 0,8 μm - 1,2 μm |
| Kétoldalas polírozott | Elülső felület | Epi-polírozott, Ra < 0,2 nm (AFM szerint) |
| (DSP) | Hátsó felület | Epi-polírozott, Ra < 0,2 nm (AFM szerint) |
| TTV | < 20 μm | |
| ÍJ | < 20 μm | |
| WARP | < 20 μm | |
| Tisztítás / Csomagolás | 100-as osztályú tisztatéri tisztítás és vákuumcsomagolás, | |
| 25 darab kazettás vagy egy darabos csomagolásban. | ||
Csomagolás és szállítás
Általánosságban elmondható, hogy 25 darabos kazettás dobozban szállítjuk a termékeket; az ügyfél igényei szerint egyetlen ostyatartóval is csomagolhatunk 100-as fokozatú tisztítóhelyiség alatt.
Részletes ábra
