4H-N Dia205mm SiC vetőmag Kínából P és D minőségű monokristályos

A PVT (fizikai gőzszállítás) módszer egy gyakori módszer a szilícium-karbid egykristályok növesztésére. A PVT növekedési folyamat során a szilícium-karbid egykristály anyagot fizikai párologtatással és szállítással rakják le a szilícium-karbid vetőkristályokra, így új szilícium-karbid egykristályok nőnek a vetőkristályok szerkezete mentén.

A PVT módszerben a szilícium-karbid oltókristály kulcsszerepet játszik a növekedés kiindulópontjaként és templátjaként, befolyásolva a végső egykristály minőségét és szerkezetét. A PVT növekedési folyamat során a hőmérséklet, a nyomás és a gázfázis-összetétel szabályozásával a szilícium-karbid egykristályok növekedése megvalósítható nagy méretű, kiváló minőségű egykristályos anyagok előállításával.

A szilícium-karbid oltókristályokra összpontosító, PVT-módszerrel végzett növekedési folyamat nagy jelentőséggel bír a szilícium-karbid egykristályok előállításában, és kulcsszerepet játszik a kiváló minőségű, nagyméretű szilícium-karbid egykristályos anyagok előállításában.

Az általunk kínált 8 hüvelykes SiC vetőkristály jelenleg nagyon ritka a piacon. A viszonylag magas technikai nehézségek miatt a gyárak túlnyomó többsége nem tud nagy méretű vetőkristályokat biztosítani. A kínai szilícium-karbid gyárral fennálló hosszú és szoros kapcsolatunknak köszönhetően azonban biztosítani tudjuk ügyfeleinknek ezt a 8 hüvelykes szilícium-karbid vetőkristályt. Ha bármilyen igénye van, kérjük, forduljon hozzánk bizalommal. Előzetesen megoszthatjuk Önnel a specifikációkat.