4 hüvelykes, 6 hüvelykes, 8 hüvelykes SiC kristálynövesztő kemence CVD eljáráshoz

Rövid leírás:

Az XKH SiC kristálynövesztő kemencéje, a CVD kémiai gőzfázisú leválasztási rendszere világelső kémiai gőzfázisú leválasztási technológiát alkalmaz, amelyet kifejezetten a kiváló minőségű SiC egykristályok növesztésére terveztek. A folyamatparaméterek, például a gázáramlás, a hőmérséklet és a nyomás precíz szabályozásával lehetővé teszi a szabályozott SiC kristálynövekedést 4-8 hüvelykes hordozókon. Ez a CVD rendszer különféle SiC kristálytípusokat képes előállítani, beleértve a 4H/6H-N típusú és a 4H/6H-SEMI szigetelő típusúakat, így komplett megoldásokat kínál a berendezésektől a folyamatokig. A rendszer támogatja a 2-12 hüvelykes ostyák növekedési követelményeit, így különösen alkalmas teljesítményelektronikai és RF eszközök tömeggyártására.

Küldjön nekünk e-mailt

Jellemzők

Működési elv

CVD rendszerünk alapelve a szilíciumtartalmú (pl. SiH4) és széntartalmú (pl. C3H8) prekurzor gázok termikus bomlása magas hőmérsékleten (jellemzően 1500-2000°C), SiC egykristályok lerakódása a hordozókra gázfázisú kémiai reakciók révén. Ez a technológia különösen alkalmas nagy tisztaságú (>99,9995%) 4H/6H-SiC egykristályok előállítására, alacsony hibasűrűséggel (<1000/cm²), megfelelve a teljesítményelektronikai és rádiófrekvenciás eszközök szigorú anyagkövetelményeinek. A gázösszetétel, az áramlási sebesség és a hőmérsékleti gradiens pontos szabályozásán keresztül a rendszer lehetővé teszi a kristály vezetőképességének típusának (N/P típus) és ellenállásának pontos szabályozását.

Rendszertípusok és műszaki paraméterek

Rendszertípus	Hőmérséklet-tartomány	Főbb jellemzők	Alkalmazások
Magas hőmérsékletű CVD	1500-2300°C	Grafit indukciós fűtés, ±5°C hőmérséklet-egyenletesség	Tömeges SiC kristálynövekedés
Melegen ívelt CVD	800-1400°C	Volfrámszálas fűtés, 10-50 μm/h lerakódási sebesség	Vastag SiC epitaxia
VPE CVD	1200-1800°C	Többzónás hőmérséklet-szabályozás, >80%-os gázkihasználás	Tömeges epi-ostyagyártás
PECVD	400-800°C	Plazmával fokozott, 1-10 μm/h lerakódási sebesség	Alacsony hőmérsékletű SiC vékonyrétegek

Főbb műszaki jellemzők

1. Fejlett hőmérséklet-szabályozó rendszer
A kemence többzónás ellenállásos fűtőrendszerrel rendelkezik, amely akár 2300°C-os hőmérsékletet is képes fenntartani ±1°C egyenletességgel a teljes növekedési kamrában. Ez a precíziós hőszabályozás a következők révén érhető el:
12 függetlenül szabályozható fűtési zóna.
Redundáns hőelem-felügyelet (C típusú W-Re).
Valós idejű hőprofil-beállító algoritmusok.
Vízhűtéses kamrafalak a hőgradiens szabályozásához.

2. Gázszállítási és keverési technológia
Saját fejlesztésű gázelosztó rendszerünk biztosítja az optimális prekurzor-keverést és az egyenletes adagolást:
Tömegáramlás-szabályozók ±0,05 cm3 pontossággal.
Többpontos gázbefecskendező gyűjtőcső.
In situ gázösszetétel-monitorozás (FTIR spektroszkópia).
Automatikus áramláskompenzáció a növekedési ciklusok alatt.

3. Kristályminőség javítása
A rendszer számos újítást tartalmaz a kristályok minőségének javítása érdekében:
Forgatható hordozótartó (0-100 fordulat/perc programozható).
Fejlett határréteg-vezérlési technológia.
In situ hibafigyelő rendszer (UV lézerszórás).
Automatikus stresszkompenzáció a növekedés során.

4. Folyamatautomatizálás és -vezérlés
Teljesen automatizált recept végrehajtás.
Valós idejű növekedési paraméterek optimalizálása mesterséges intelligenciával.
Távoli monitorozás és diagnosztika.
1000+ paraméter adatnaplózása (5 évig tárolva).

5. Biztonsági és megbízhatósági jellemzők
Háromszoros redundáns túlmelegedés elleni védelem.
Automatikus vésztisztító rendszer.
Szeizmikus besorolású szerkezeti tervezés.
98,5%-os üzemidő garancia.

6. Skálázható architektúra
A moduláris kialakítás lehetővé teszi a kapacitásbővítést.
100 mm-től 200 mm-es ostyaméretekkel kompatibilis.
Támogatja mind a függőleges, mind a vízszintes konfigurációkat.
Gyorsan cserélhető alkatrészek karbantartáshoz.

7. Energiahatékonyság
30%-kal alacsonyabb energiafogyasztás a hasonló rendszerekhez képest.
A hővisszanyerő rendszer a keletkező hulladékhő 60%-át hasznosítja.
Optimalizált gázfogyasztási algoritmusok.
LEED-kompatibilis létesítménykövetelmények.

8. Anyagi sokoldalúság
Minden főbb SiC politípust (4H, 6H, 3C) növeszt.
Támogatja mind a vezetőképes, mind a félig szigetelő változatokat.
Különböző doppingrendszerekhez (N-típus, P-típus) alkalmas.
Kompatibilis alternatív prekurzorokkal (pl. TMS, TES).

9. Vákuumrendszer teljesítménye
Alapnyomás: <1×10⁻⁶ Torr
Szivárgási sebesség: <1×10⁻⁹ Torr·L/sec
Szivattyúzás sebessége: 5000L/s (SiH₄ esetén)

Automatikus nyomásszabályozás a növekedési ciklusok alatt
Ez az átfogó műszaki specifikáció bemutatja rendszerünk azon képességét, hogy kutatási minőségű és gyártási minőségű SiC kristályokat állítson elő iparágvezető konzisztenciával és hozammal. A precíziós vezérlés, a fejlett felügyelet és a robusztus mérnöki munka kombinációja teszi ezt a CVD rendszert optimális választássá mind a K+F, mind a tömeggyártási alkalmazásokhoz a teljesítményelektronikában, az RF eszközökben és más fejlett félvezető alkalmazásokban.

Főbb előnyök

1. Kiváló minőségű kristálynövekedés
• Akár <1000/cm²-es hibasűrűség (4H-SiC)
• Adalékolás egyenletessége <5% (6 hüvelykes ostyák)
• Kristálytisztaság >99,9995%

2. Nagyméretű gyártási képesség
• Akár 8 hüvelykes ostyaméret-növekedést is támogat
• Átmérő-egyenletesség >99%
• Vastagságváltozás <±2%

3. Precíz folyamatszabályozás
• Hőmérséklet-szabályozási pontosság ±1°C
• Gázáramlás-szabályozási pontosság ±0,1 cm3
• Nyomásszabályozási pontosság ±0,1 Torr

4. Energiahatékonyság
• 30%-kal energiahatékonyabb, mint a hagyományos módszerek
• Növekedési sebesség akár 50-200 μm/h
• A berendezések üzemideje >95%

Főbb alkalmazások

1. Teljesítményelektronikai eszközök
6 hüvelykes 4H-SiC szubsztrátok 1200 V+ MOSFET-ekhez/diódákhoz, 50%-kal csökkentve a kapcsolási veszteségeket.

2. 5G kommunikáció
Félszigetelő SiC szubsztrátok (ellenállás >10⁸Ω·cm) bázisállomások PA-ihoz, <0,3 dB beiktatási veszteséggel >10 GHz-en.

3. Új energiahordozók
Az autóipari minőségű SiC tápegységek 5-8%-kal növelik az elektromos járművek hatótávolságát, és 30%-kal csökkentik a töltési időt.

4. Napelemes inverterek
A hibátlan hordozók 99% fölé növelik a konverziós hatékonyságot, miközben 40%-kal csökkentik a rendszer méretét.

XKH szolgáltatásai

1. Testreszabási szolgáltatások
Egyedi igényekre szabott 4-8 hüvelykes CVD rendszerek.
Támogatja a 4H/6H-N típusú, 4H/6H-SEMI szigetelő típusú stb. növekedését.

2. Műszaki támogatás
Átfogó képzés a működés és a folyamatok optimalizálása terén.
24/7-es technikai segítségnyújtás.

3. Kulcsrakész megoldások
Teljes körű szolgáltatások a telepítéstől a folyamatellenőrzésig.

4. Anyagellátás
2–12 hüvelykes SiC szubsztrátok/epi-waferek kaphatók.
Támogatja a 4H/6H/3C politípusokat.

A főbb megkülönböztető tényezők a következők:
Akár 8 hüvelykes kristálynövekedési képesség.
20%-kal gyorsabb növekedési ütem, mint az iparági átlag.
98%-os rendszermegbízhatóság.
Teljes intelligens vezérlőrendszer csomag.