6 hüvelykes szilícium-karbid 4H-SiC félszigetelő öntvény, próbadarab
Tulajdonságok
1. Fizikai és szerkezeti tulajdonságok
●Anyagtípus: Szilícium-karbid (SiC)
●Politípus: 4H-SiC, hexagonális kristályszerkezet
●Átmérő: 150 mm (6 hüvelyk)
●Vastagság: Konfigurálható (5-15 mm jellemzően próbabábu esetében)
●Kristály orientáció:
oElsődleges: [0001] (C-sík)
oMásodlagos opciók: Off-axis 4° az optimalizált epitaxiális növekedés érdekében
● Elsődleges síkbeli tájolás: (10-10) ± 5°
● Másodlagos sík tájolása: 90° az óramutató járásával ellentétes irányban az elsődleges síktól ± 5°
2. Elektromos tulajdonságok
●Ellenállóképesség:
oFélig szigetelő (>106^66 Ω·cm), ideális a parazita kapacitás minimalizálására.
●Dopping típusa:
Véletlenül adalékolt, ami nagy elektromos ellenállást és stabilitást eredményez különféle üzemi körülmények között.
3. Termikus tulajdonságok
●Hővezető képesség: 3,5-4,9 W/cm·K, ami lehetővé teszi a hatékony hőelvezetést nagy teljesítményű rendszerekben.
●Hőtágulási együttható: 4,2×10−64,2 \szor 10^{-6}4,2×10−6/K, ami biztosítja a méretstabilitást a magas hőmérsékletű feldolgozás során.
4. Optikai tulajdonságok
● Tiltott sáv: Széles, 3,26 eV-os tiltott sáv, amely lehetővé teszi a működést nagy feszültségek és hőmérsékletek mellett.
●Átlátszóság: Nagyfokú átlátszóság az UV és a látható hullámhosszakkal szemben, hasznos optoelektronikai vizsgálatokhoz.
5. Mechanikai tulajdonságok
●Keménység: Mohs-skála 9, a gyémánt után a második, így tartós a feldolgozás során.
●Hibák sűrűsége:
Minimális makrohibákra van szabályozva, így megfelelő minőséget biztosít a próbaalkalmazásokhoz.
●Síkfelület: Egyenletesség eltérésekkel
| Paraméter | Részletek | Egység |
| Fokozat | Dummy fokozat | |
| Átmérő | 150,0 ± 0,5 | mm |
| Ostya orientáció | Tengelyre merőlegesen: <0001> ± 0,5° | fokozat |
| Elektromos ellenállás | > 1E5 | Ω·cm |
| Elsődleges sík tájolás | {10-10} ± 5,0° | fokozat |
| Elsődleges sík hossza | Bemetszés | |
| Repedések (nagy intenzitású fényvizsgálat) | < 3 mm radiális | mm |
| Hatszögletű lemezek (nagy intenzitású fényvizsgálat) | Összesített terület ≤ 5% | % |
| Politípusos területek (nagy intenzitású fényvizsgálat) | Összesített terület ≤ 10% | % |
| Mikrocső sűrűsége | < 50 | cm−2^-2−2 |
| Élforgácsolás | 3 megengedett, mindegyik ≤ 3 mm | mm |
| Jegyzet | A szeletelő ostya vastagsága < 1 mm, > 70% (két vég nélkül) megfelel a fenti követelményeknek. |
Alkalmazások
1. Prototípuskészítés és kutatás
A próbaminőségű, 6 hüvelykes 4H-SiC öntvény ideális anyag prototípusgyártáshoz és kutatáshoz, lehetővé téve a gyártók és laboratóriumok számára a következőket:
● Kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD) vagy fizikai gőzfázisú leválasztás (PVD) folyamatparamétereinek vizsgálata.
● Maratási, polírozási és ostyaszeletelési technikák fejlesztése és finomítása.
● Új eszköztervek felfedezése a gyártási minőségű anyagokra való áttérés előtt.
2. Eszközkalibrálás és tesztelés
A félszigetelő tulajdonságok miatt ez a tömb felbecsülhetetlen értékű a következőkhöz:
●Nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás eszközök elektromos tulajdonságainak értékelése és kalibrálása.
● MOSFET-ek, IGBT-k vagy diódák működési feltételeinek szimulálása tesztkörnyezetben.
● Költséghatékony helyettesítője a nagy tisztaságú szubsztrátok helyett a korai fejlesztési szakaszban.
3. Teljesítményelektronika
A 4H-SiC magas hővezető képessége és széles tiltott sávjának jellemzői lehetővé teszik a hatékony működést az erősáramú elektronikában, beleértve a következőket:
●Nagyfeszültségű tápegységek.
● Elektromos járművek (EV) inverterei.
●Megújuló energiarendszerek, például napelemes inverterek és szélturbinák.
4. Rádiófrekvenciás (RF) alkalmazások
A 4H-SiC alacsony dielektromos veszteségei és magas elektronmobilitása alkalmassá teszi:
●RF erősítők és tranzisztorok a kommunikációs infrastruktúrában.
● Nagyfrekvenciás radarrendszerek repülőgépipari és védelmi alkalmazásokhoz.
●Vezeték nélküli hálózati komponensek az újonnan megjelenő 5G technológiákhoz.
5. Sugárzásálló eszközök
A sugárzás okozta hibákkal szembeni ellenállása miatt a félszigetelő 4H-SiC ideális a következőkhöz:
●Űrkutatási berendezések, beleértve a műholdak elektronikáját és energiaellátó rendszereit.
● Sugárzásnak ellenálló elektronika nukleáris megfigyeléshez és irányításhoz.
●Védelmi alkalmazások, amelyek szélsőséges környezetben is robusztus működést igényelnek.
6. Optoelektronika
A 4H-SiC optikai átlátszósága és széles tiltott sávja lehetővé teszi a felhasználását:
●UV fotodetektorok és nagy teljesítményű LED-ek.
● Optikai bevonatok és felületkezelések vizsgálata.
● Optikai alkatrészek prototípusainak készítése fejlett érzékelőkhöz.
A próbababa minőségű anyagok előnyei
Költséghatékonyság:
A próbaminőség megfizethetőbb alternatívája a kutatási vagy gyártási minőségű anyagoknak, így ideális a rutinvizsgálatokhoz és a folyamatok finomításához.
Testreszabhatóság:
A konfigurálható méretek és kristályorientációk széles körű alkalmazási lehetőségeket biztosítanak.
Skálázhatóság:
A 6 hüvelykes átmérő megfelel az iparági szabványoknak, lehetővé téve a zökkenőmentes skálázást a gyártási minőségű folyamatokhoz.
Robusztusság:
A nagy mechanikai szilárdság és hőstabilitás tartóssá és megbízhatóvá teszi a tömböt változatos kísérleti körülmények között.
Sokoldalúság:
Több iparág számára is alkalmas, az energiarendszerektől a kommunikáción át az optoelektronikáig.
Következtetés
A 6 hüvelykes szilícium-karbid (4H-SiC) félszigetelő, próba minőségű tuskó megbízható és sokoldalú platformot kínál kutatáshoz, prototípuskészítéshez és teszteléshez a legmodernebb technológiai szektorokban. Kivételes termikus, elektromos és mechanikai tulajdonságai, valamint megfizethetősége és testreszabhatósága nélkülözhetetlen anyaggá teszik mind az akadémiai, mind az ipari szférában. Az erősáramú elektronikától az RF rendszereken át a sugárzásnak ellenálló eszközökig ez a tuskó a fejlesztés minden szakaszában támogatja az innovációt.
Részletesebb specifikációkért vagy árajánlatkérésért kérjük, vegye fel velünk a kapcsolatot közvetlenül. Műszaki csapatunk készen áll, hogy személyre szabott megoldásokkal segítsen az Ön igényeinek kielégítésében.
Részletes ábra
