6-os szilícium-karbid 4H-SiC félszigetelő öntvény, próba minőségű

6 in szilícium-karbid 4H-SiC félig szigetelő öntvény, álminőségű kiemelt kép

Rövid leírás:

A szilícium-karbid (SiC) forradalmasítja a félvezetőipart, különösen a nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és sugárzásálló alkalmazásokban. A 6 hüvelykes 4H-SiC félszigetelő tuskó, amelyet ál minőségben kínálnak, elengedhetetlen anyag a prototípus-készítéshez, a kutatáshoz és a kalibrálási folyamatokhoz. Széles sávszélességével, kiváló hővezető képességével és mechanikai robusztusságával ez a tuskó költséghatékony lehetőség a tesztelésre és a folyamatok optimalizálására anélkül, hogy veszélyeztetné a fejlett fejlesztéshez szükséges alapvető minőséget. Ez a termék számos alkalmazásra alkalmas, beleértve a teljesítményelektronikát, a rádiófrekvenciás (RF) eszközöket és az optoelektronikát, így felbecsülhetetlen értékű eszköz az ipar és a kutatóintézetek számára.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

Tulajdonságok

1. Fizikai és szerkezeti tulajdonságok
● Anyagtípus: szilícium-karbid (SiC)
● Politípus: 4H-SiC, hatszögletű kristályszerkezet
●Átmérő: 6 hüvelyk (150 mm)
● Vastagság: konfigurálható (5-15 mm, tipikusan ál minőségre)
● Kristály orientáció:
oPrimer: [0001] (C-sík)
oMásodlagos opciók: 4°-os tengelyen kívüli szög az optimalizált epitaxiális növekedés érdekében
●Elsődleges lapos tájolás: (10-10) ± 5°
●Másodlagos lapos tájolás: 90° az óramutató járásával ellentétes irányban az elsődleges laptól ± 5°

2. Elektromos tulajdonságok
● Ellenállás:
oFélszigetelő (>106^66 Ω·cm), ideális a parazita kapacitás minimalizálására.
●Dopping típusa:
o Nem szándékosan adalékolt, ami nagy elektromos ellenállást és stabilitást eredményez számos működési körülmény között.

3. Termikus tulajdonságok
●Hővezetőképesség: 3,5-4,9 W/cm·K, amely hatékony hőelvezetést tesz lehetővé nagy teljesítményű rendszerekben.
●Hőtágulási együttható: 4,2×10-64,2 \× 10^{-6}4,2×10-6/K, amely biztosítja a méretstabilitást magas hőmérsékletű feldolgozás során.

4. Optikai tulajdonságok
● Bandgap: Széles, 3,26 eV-os sávszélesség, amely lehetővé teszi a magas feszültség és hőmérséklet melletti működést.
● Átlátszóság: Nagy átlátszóság az UV és a látható hullámhosszok számára, hasznos az optoelektronikai teszteléshez.

5. Mechanikai tulajdonságok
● Keménység: 9-es Mohs-skála, a gyémánt után a második, amely biztosítja a tartósságot a feldolgozás során.
● Hiba sűrűsége:
oMinimális makróhibák miatt vezérelt, megfelelő minőséget biztosítva a fiktív alkalmazásokhoz.
● Laposság: Egyenletesség eltérésekkel

Paraméter	Részletek	Egység
Fokozat	Dummy Grade
Átmérő	150,0 ± 0,5	mm
Ostya orientáció	Tengelyen: <0001> ± 0,5°	fokozat
Elektromos ellenállás	> 1E5	Ω·cm
Elsődleges lapos tájolás	{10-10} ± 5,0°	fokozat
Elsődleges lapos hossz	Bemetszés
Repedések (nagy intenzitású fényvizsgálat)	< 3 mm radiálisban	mm
Hatlapú lemezek (nagy intenzitású fényellenőrzés)	Összesített terület ≤ 5%	%
Politípus területek (nagy intenzitású fényvizsgálat)	Összesített terület ≤ 10%	%
Mikrocső sűrűsége	< 50	cm−2^-2−2
Edge Chipping	3 megengedett, mindegyik ≤ 3 mm	mm
Jegyzet	A szeletelő ostya vastagsága < 1 mm, > 70% (két vége nélkül) megfelel a fenti követelményeknek

Alkalmazások

1. Prototípuskészítés és kutatás
A próba minőségű 6 hüvelykes 4H-SiC öntvény ideális anyag prototípus-készítéshez és kutatáshoz, amely lehetővé teszi a gyártók és laboratóriumok számára, hogy:
● Tesztelje a folyamatparamétereket kémiai gőzfázisú leválasztásban (CVD) vagy fizikai gőzfázisú leválasztásban (PVD).
● A maratási, polírozási és ostyaszeletelési technikák fejlesztése és finomítása.
● Fedezze fel az új készülékterveket, mielőtt áttérne a gyártási minőségű anyagokra.

2. Eszköz kalibrálása és tesztelése
A félig szigetelő tulajdonságok miatt ez a tuskó felbecsülhetetlen értékű:
● Nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás készülékek elektromos tulajdonságainak értékelése és kalibrálása.
● MOSFET-ek, IGBT-k vagy diódák működési feltételeinek szimulálása tesztkörnyezetekben.
● Költséghatékony helyettesítőként szolgál a nagy tisztaságú aljzatokhoz a fejlesztés korai szakaszában.

3. Teljesítményelektronika
A 4H-SiC nagy hővezető képessége és széles sávszélességű jellemzői hatékony működést tesznek lehetővé a teljesítményelektronikában, beleértve:
● Nagyfeszültségű tápegységek.
●Elektromos jármű (EV) inverterek.
● Megújuló energiarendszerek, például szoláris inverterek és szélturbinák.

4. Rádiófrekvenciás (RF) alkalmazások
A 4H-SiC alacsony dielektromos vesztesége és nagy elektronmobilitása alkalmassá teszi a következőkre:
●RF erősítők és tranzisztorok a kommunikációs infrastruktúrában.
●Nagyfrekvenciás radarrendszerek repülési és védelmi alkalmazásokhoz.
● Vezeték nélküli hálózati összetevők a feltörekvő 5G technológiákhoz.

5. Sugárzásálló eszközök
A sugárzás által kiváltott hibákkal szembeni belső ellenállása miatt a félszigetelő 4H-SiC ideális:
● Űrkutatási berendezések, beleértve a műholdas elektronikát és energiarendszereket.
● Sugárzásálló elektronika a nukleáris megfigyeléshez és ellenőrzéshez.
● Robusztusságot igénylő védelmi alkalmazások szélsőséges környezetben.

6. Optoelektronika
A 4H-SiC optikai átlátszósága és széles sávszélessége lehetővé teszi a használatát:
● UV fotodetektorok és nagy teljesítményű LED-ek.
● Optikai bevonatok és felületkezelések tesztelése.
● Optikai alkatrészek prototípusa fejlett érzékelőkhöz.

A Dummy-Grade anyag előnyei

Költséghatékonyság:
A próba minőségű anyag megfizethetőbb alternatíva a kutatási vagy gyártási minőségű anyagokkal szemben, így ideális a rutin teszteléshez és a folyamatok finomításához.

Testreszabhatóság:
A konfigurálható méretek és kristályirányok biztosítják a kompatibilitást az alkalmazások széles skálájával.

Méretezhetőség:
A 6 hüvelykes átmérő megfelel az ipari szabványoknak, lehetővé téve a zökkenőmentes méretezést a gyártási szintű folyamatokhoz.

Robusztusság:
A nagy mechanikai szilárdság és a termikus stabilitás a tuskót tartóssá és megbízhatóvá teszi változatos kísérleti körülmények között.

Sokoldalúság:
Több iparágban is használható, az energiarendszerektől a kommunikációig és az optoelektronikáig.

Következtetés

A 6 hüvelykes szilícium-karbid (4H-SiC) félszigetelő tuskó, próba minőségű, megbízható és sokoldalú platformot kínál a legmodernebb technológiai szektorokban végzett kutatáshoz, prototípus-készítéshez és teszteléshez. Kivételes termikus, elektromos és mechanikai tulajdonságai, valamint megfizethetősége és testreszabhatósága nélkülözhetetlen anyaggá teszik mind a tudományos élet, mind az ipar számára. A teljesítményelektronikától a rádiófrekvenciás rendszerekig és a sugárzásálló eszközökig ez az öntvény a fejlesztés minden szakaszában támogatja az innovációt.
Részletesebb specifikációkért vagy árajánlatkérésért forduljon hozzánk közvetlenül. Technikai csapatunk készen áll az Ön igényeinek megfelelő testreszabott megoldások kidolgozásában.