8 hüvelykes SiC gyártási minőségű ostya 4H-N SiC szubsztrát

Rövid leírás:

A 8 hüvelykes SiC szubsztrátumokat nagy teljesítményű elektronikus eszközökben használják, például teljesítmény-MOSFET-ekben (fém-oxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok), Schottky-diódákban és más teljesítmény-félvezető eszközökben.


Termék részletei

Termékcímkék

Az alábbi táblázat a 8 hüvelykes SiC ostyáink specifikációit mutatja:

8 hüvelykes N-típusú SiC DSP specifikációk

Szám Tétel Egység Termelés Kutatás Színlelt
1:paraméterek
1.1 politípus -- 4H 4H 4H
1.2 felületi orientáció ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2: Elektromos paraméter
2.1 adalékolószer -- n-típusú nitrogén n-típusú nitrogén n-típusú nitrogén
2.2 ellenállás ohm ·cm 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3: Mechanikai paraméter
3.1 átmérő mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 vastagság μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Bevágás tájolása ° [1–100]±5 [1–100]±5 [1–100]±5
3.4 Bevágás mélysége mm 1~1,5 1~1,5 1~1,5
3.5 Élettartamra vetített érték μm ≤5 (10 mm * 10 mm) ≤5 (10 mm * 10 mm) ≤10 (10 mm * 10 mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Íj μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Warp μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4: Szerkezet
4.1 mikrocső sűrűség db/cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 fémtartalom atom/cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD db/cm2 ≤500 ≤1000 NA
4.4 Borzalmas személyiségzavar db/cm2 ≤2000 ≤5000 NA
4.5 TED db/cm2 ≤7000 ≤10000 NA
5. Elülső minőség
5.1 elülső -- Si Si Si
5.2 felületkezelés -- Si-felületű CMP Si-felületű CMP Si-felületű CMP
5.3 részecske ea/ostya ≤100 (méret ≥0,3 μm) NA NA
5.4 karcolás ea/ostya ≤5, Teljes hossz ≤200 mm NA NA
5.5 Él
csorbák/horpadások/repedések/foltok/szennyeződések
-- Egyik sem Egyik sem NA
5.6 Politípus területek -- Egyik sem Terület ≤10% Terület ≤30%
5.7 elülső jelölés -- Egyik sem Egyik sem Egyik sem
6: Hátoldal minősége
6.1 hátsó felület -- C-alakú MP C-alakú MP C-alakú MP
6.2 karcolás mm NA NA NA
6.3 Hátsó hibák széle
csorbák/horpadások
-- Egyik sem Egyik sem NA
6.4 Hátsó érdesség nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Hátsó jelölés -- Bemetszés Bemetszés Bemetszés
7:él
7.1 él -- Letörés Letörés Letörés
8: Csomag
8.1 csomagolás -- Epi-kész vákuummal
csomagolás
Epi-kész vákuummal
csomagolás
Epi-kész vákuummal
csomagolás
8.2 csomagolás -- Többszörös ostya
kazetta csomagolás
Többszörös ostya
kazetta csomagolás
Többszörös ostya
kazetta csomagolás

Részletes ábra

asd (1)
asd (2)
asd (3)

  • Előző:
  • Következő:

  • Írd ide az üzenetedet, és küldd el nekünk