Testreszabott GaN-on-SiC epitaxiális ostyák (100 mm, 150 mm) – Több SiC hordozó opció (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Rövid leírás:

Testreszabott GaN-on-SiC epitaxiális ostyáink kiváló teljesítményt nyújtanak nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz a gallium-nitrid (GaN) kivételes tulajdonságainak a robusztus hővezető képességgel és mechanikai szilárdsággal való kombinálásával.Szilícium-karbid (SiC)100 mm-es és 150 mm-es ostyaméretben kaphatók, ezek az ostyák különféle SiC szubsztrátokra épülnek, beleértve a 4H-N, HPSI és 4H/6H-P típusokat, amelyeket a teljesítményelektronika, az RF erősítők és más fejlett félvezető eszközök speciális követelményeinek kielégítésére szabtunk. Testreszabható epitaxiális rétegekkel és egyedi SiC szubsztrátokkal ostyáinkat úgy terveztük, hogy nagy hatásfokot, hőkezelést és megbízhatóságot biztosítsanak az igényes ipari alkalmazásokhoz.

Küldjön nekünk e-mailt

Jellemzők

●Epitaxiális rétegvastagságTestreszabható innen:1,0 µmhogy3,5 µm, nagy teljesítményre és frekvenciateljesítményre optimalizálva.

●SiC hordozó opciókKülönböző SiC hordozókkal kapható, beleértve:

4H-NKiváló minőségű, nitrogénnel adalékolt 4H-SiC nagyfrekvenciás, nagy teljesítményű alkalmazásokhoz.
HPSINagy tisztaságú, félig szigetelő SiC elektromos szigetelést igénylő alkalmazásokhoz.
4H/6H-P4H és 6H-SiC keveréke a nagy hatékonyság és megbízhatóság egyensúlyának megteremtése érdekében.

● OstyaméretekElérhető100 mmés150 mmátmérők a sokoldalú eszközskálázás és integráció érdekében.

● Nagy átütési feszültségA SiC technológiára épülő GaN magas átütési feszültséget biztosít, ami robusztus teljesítményt tesz lehetővé nagy teljesítményű alkalmazásokban.

●Magas hővezető képességA SiC saját hővezető képessége (körülbelül 490 W/m·K) kiváló hőelvezetést biztosít nagy teljesítményű alkalmazásokhoz.

Műszaki adatok

Paraméter	Érték
Ostya átmérője	100 mm, 150 mm
Epitaxiális rétegvastagság	1,0 µm – 3,5 µm (testreszabható)
SiC hordozó típusok	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
SiC hővezető képesség	490 W/m·K
SiC ellenállás	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSIFélig szigetelő,4H/6H-PVegyes 4 óra/6 óra
GaN rétegvastagság	1,0 µm – 2,0 µm
GaN hordozókoncentráció	10^18 cm^-3 - 10^19 cm^-3 (testreszabható)
Ostyafelület minősége	RMS érdesség< 1 nm
Diszlokációs sűrűség	< 1 × 10^6 cm^-2
Ostya íj	< 50 µm
Ostya síklapúság	< 5 µm
Maximális üzemi hőmérséklet	400°C (tipikus a GaN-on-SiC eszközökre)

Alkalmazások

●Teljesítményelektronika:A GaN-on-SiC ostyák nagy hatásfokot és hőelvezetést biztosítanak, így ideálisak teljesítményerősítőkhöz, teljesítményátalakító eszközökhöz és teljesítmény-inverter áramkörökhöz, amelyeket elektromos járművekben, megújuló energiarendszerekben és ipari gépekben használnak.
●RF teljesítményerősítők:A GaN és a SiC kombinációja tökéletes nagyfrekvenciás, nagy teljesítményű rádiófrekvenciás alkalmazásokhoz, például telekommunikációhoz, műholdas kommunikációhoz és radarrendszerekhez.
● Repülőgépipar és védelem:Ezek a waferek alkalmasak repülőgépipari és védelmi technológiákhoz, amelyek nagy teljesítményű teljesítményelektronikát és kommunikációs rendszereket igényelnek, amelyek zord körülmények között is képesek működni.
●Autóipari alkalmazások:Ideális nagy teljesítményű energiaellátó rendszerekhez elektromos járművekben (EV), hibrid járművekben (HEV) és töltőállomásokban, lehetővé téve a hatékony energiaátalakítást és -vezérlést.
● Katonai és radarrendszerek:A GaN-on-SiC lapkákat radarrendszerekben használják nagy hatásfokuk, energiakezelési képességük és igényes környezetben nyújtott hőteljesítményük miatt.
●Mikrohullámú és milliméterhullámú alkalmazások:A következő generációs kommunikációs rendszerek, beleértve az 5G-t is, esetében a GaN-on-SiC optimális teljesítményt nyújt nagy teljesítményű mikrohullámú és milliméteres hullámtartományban.

Kérdések és válaszok

1. kérdés: Milyen előnyei vannak a SiC GaN szubsztrátként való használatának?

A1:A szilícium-karbid (SiC) kiváló hővezető képességet, magas átütési feszültséget és mechanikai szilárdságot kínál a hagyományos szubsztrátokhoz, például a szilíciumhoz képest. Ezáltal a GaN-on-SiC ostyák ideálisak nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz. A SiC szubsztrát segít elvezetni a GaN eszközök által termelt hőt, javítva a megbízhatóságot és a teljesítményt.

2. kérdés: Testreszabható-e az epitaxiális réteg vastagsága az adott alkalmazásokhoz?

A2:Igen, az epitaxiális réteg vastagsága testreszabható a következő tartományokon belül:1,0 µm-től 3,5 µm-ig, az alkalmazás teljesítmény- és frekvenciakövetelményeitől függően. A GaN réteg vastagságát testre szabhatjuk, hogy optimalizáljuk a teljesítményt bizonyos eszközökhöz, például teljesítményerősítőkhöz, RF rendszerekhez vagy nagyfrekvenciás áramkörökhöz.

3. kérdés: Mi a különbség a 4H-N, HPSI és 4H/6H-P SiC szubsztrátok között?

A3:

4H-NA nitrogénnel adalékolt 4H-SiC-t általában nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz használják, amelyek nagy elektronikus teljesítményt igényelnek.
HPSIA nagy tisztaságú, félig szigetelő SiC elektromos szigetelést biztosít, ideális a minimális elektromos vezetőképességet igénylő alkalmazásokhoz.
4H/6H-P4H és 6H-SiC keveréke, amely kiegyensúlyozza a teljesítményt, a nagy hatásfok és a robusztusság kombinációját kínálva, alkalmas különféle teljesítményelektronikai alkalmazásokhoz.

4. kérdés: Alkalmasak ezek a GaN-on-SiC ostyák nagy teljesítményű alkalmazásokhoz, például elektromos járművekhez és megújuló energiaforrásokhoz?

A4:Igen, a GaN-on-SiC szeletek jól alkalmazhatók nagy teljesítményű alkalmazásokban, például elektromos járművekben, megújuló energiaforrásokban és ipari rendszerekben. A GaN-on-SiC eszközök magas átütési feszültsége, magas hővezető képessége és teljesítménykezelési képessége lehetővé teszi számukra, hogy hatékonyan működjenek igényes teljesítményátalakító és vezérlő áramkörökben.

5. kérdés: Mekkora a tipikus diszlokációs sűrűség ezeknél a lapkáknál?

A5:Ezen GaN-on-SiC ostyák diszlokációs sűrűsége jellemzően< 1 × 10^6 cm^-2, amely kiváló minőségű epitaxiális növekedést biztosít, minimalizálja a hibákat, és javítja az eszköz teljesítményét és megbízhatóságát.

6. kérdés: Kérhetek konkrét ostyaméretet vagy SiC szubsztrát típust?

A6:Igen, egyedi igényeknek megfelelően kínálunk egyedi ostyaméreteket (100 mm és 150 mm) és SiC szubsztrát típusokat (4H-N, HPSI, 4H/6H-P). Kérjük, vegye fel velünk a kapcsolatot további testreszabási lehetőségekért és az igényei megbeszéléséért.

7. kérdés: Hogyan teljesítenek a GaN-on-SiC ostyák extrém környezetekben?

A7:A GaN-on-SiC szeletek ideálisak extrém környezeti viszonyokhoz magas hőstabilitásuk, nagy teljesítménykezelésük és kiváló hőelvezetési képességük miatt. Ezek a szeletek jól teljesítenek magas hőmérsékletű, nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás körülmények között, amelyekkel gyakran találkozhatunk a repülőgépiparban, a védelmi iparban és az ipari alkalmazásokban.

Következtetés

Testreszabott GaN-on-SiC epitaxiális ostyáink a GaN és a SiC fejlett tulajdonságait ötvözik, így kiváló teljesítményt nyújtanak nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokban. A többféle SiC szubsztrát opcióval és a testreszabható epitaxiális rétegekkel ezek az ostyák ideálisak a nagy hatékonyságot, hőkezelést és megbízhatóságot igénylő iparágak számára. Legyen szó teljesítményelektronikáról, rádiófrekvenciás rendszerekről vagy védelmi alkalmazásokról, GaN-on-SiC ostyáink biztosítják a szükséges teljesítményt és rugalmasságot.