Testreszabott GaN-on-SiC epitaxiális lapkák (100 mm, 150 mm) – többféle SiC szubsztrát opció (4H-N, HPSI, 4H/6H-P)

Rövid leírás:

Testreszabott GaN-on-SiC epitaxiális lapkáink kiváló teljesítményt nyújtanak nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz, mivel egyesítik a gallium-nitrid (GaN) kivételes tulajdonságait a robusztus hővezető képességgel és mechanikai szilárdsággal.Szilícium-karbid (SiC). A 100 mm-es és 150 mm-es szeletméretekben kapható lapkák különféle SiC hordozókra épülnek, beleértve a 4H-N, HPSI és 4H/6H-P típusokat, amelyek a teljesítményelektronika, az RF erősítők és más fejlett félvezető eszközök speciális követelményeinek megfelelően lettek kialakítva. Testreszabható epitaxiális rétegekkel és egyedi SiC szubsztrátumokkal ostyáinkat úgy tervezték, hogy magas hatékonyságot, hőkezelést és megbízhatóságot biztosítsanak az igényes ipari alkalmazásokhoz.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

Jellemzők

●Epitaxiális rétegvastagság: Testreszabható innen1,0 µmhogy3,5 µm, nagy teljesítményre és frekvenciateljesítményre optimalizálva.

●SiC szubsztrát opciók: Különféle SiC hordozókkal kapható, beleértve:

4H-N: Kiváló minőségű nitrogénnel adalékolt 4H-SiC nagyfrekvenciás, nagy teljesítményű alkalmazásokhoz.
HPSI: Nagy tisztaságú félszigetelő SiC elektromos szigetelést igénylő alkalmazásokhoz.
4H/6H-P: Vegyes 4H és 6H-SiC a nagy hatékonyság és megbízhatóság egyensúlyáért.

● Ostya méretek: Elérhető:100 mmés150 mmátmérők a sokoldalúság érdekében az eszközök méretezésében és integrációjában.

● Magas leállási feszültség: A GaN on SiC technológia nagy áttörési feszültséget biztosít, ami robusztus teljesítményt tesz lehetővé nagy teljesítményű alkalmazásokban.

● Magas hővezető képesség: A SiC belső hővezető képessége (kb 490 W/m·K) kiváló hőelvezetést biztosít az energiaigényes alkalmazásokhoz.

Műszaki előírások

Paraméter	Érték
Ostya átmérője	100 mm, 150 mm
Epitaxiális rétegvastagság	1,0 µm – 3,5 µm (testreszabható)
SiC szubsztrát típusok	4H-N, HPSI, 4H/6H-P
SiC hővezetőképesség	490 W/m·K
SiC fajlagos ellenállás	4H-N: 10^6 Ω·cm,HPSI: félig szigetelő,4H/6H-P: Vegyes 4H/6H
GaN rétegvastagság	1,0 µm – 2,0 µm
GaN hordozókoncentráció	10^18 cm^-3-10^19 cm^-3 (testreszabható)
Wafer felületi minőség	RMS érdesség: < 1 nm
Diszlokáció sűrűsége	< 1 x 10^6 cm^-2
Ostya íj	< 50 µm
Ostya laposság	< 5 µm
Maximális üzemi hőmérséklet	400°C (jellemző a GaN-on-SiC eszközökre)

Alkalmazások

● Teljesítményelektronika:A GaN-on-SiC lapkák nagy hatékonyságot és hőelvezetést biztosítanak, így ideálisak teljesítményerősítőkhöz, teljesítményátalakító eszközökhöz és elektromos járművekben, megújuló energiarendszerekben és ipari gépekben használt inverteres áramkörökhöz.
●RF teljesítményerősítők:A GaN és a SiC kombinációja tökéletes a nagyfrekvenciás, nagy teljesítményű RF alkalmazásokhoz, mint például a telekommunikáció, a műholdas kommunikáció és a radarrendszerek.
● Repülés és védelem:Ezek a lapkák alkalmasak az űrrepülési és védelmi technológiákhoz, amelyek nagy teljesítményű teljesítményelektronikát és kommunikációs rendszereket igényelnek, amelyek zord körülmények között is működhetnek.
● Autóipari alkalmazások:Ideális elektromos járművek (EV), hibrid járművek (HEV) és töltőállomások nagy teljesítményű áramellátó rendszereihez, lehetővé téve az energia hatékony átalakítását és szabályozását.
● Katonai és radarrendszerek:A GaN-on-SiC lapkákat a radarrendszerekben használják nagy hatékonyságuk, energiakezelési képességeik és hőteljesítményük miatt az igényes környezetben.
● Mikrohullámú és milliméterhullámú alkalmazások:A következő generációs kommunikációs rendszerek esetében, beleértve az 5G-t is, a GaN-on-SiC optimális teljesítményt biztosít nagy teljesítményű mikrohullámú és milliméteres hullámtartományban.

Kérdések és válaszok

1. kérdés: Milyen előnyökkel jár a SiC GaN szubsztrátjaként való használata?

A1:A szilícium-karbid (SiC) kiváló hővezető képességet, nagy áttörési feszültséget és mechanikai szilárdságot kínál a hagyományos hordozókhoz, például a szilíciumhoz képest. Emiatt a GaN-on-SiC lapkák ideálisak nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz. A SiC hordozó segít elvezetni a GaN eszközök által termelt hőt, javítva a megbízhatóságot és a teljesítményt.

2. kérdés: Testreszabható az epitaxiális rétegvastagság bizonyos alkalmazásokhoz?

A2:Igen, az epitaxiális rétegvastagság egy tartományon belül testreszabható1,0 µm és 3,5 µm között, az alkalmazás teljesítmény- és frekvenciakövetelményeitől függően. Testreszabhatjuk a GaN rétegvastagságot, hogy optimalizáljuk a teljesítményt bizonyos eszközökhöz, például teljesítményerősítőkhöz, RF-rendszerekhez vagy nagyfrekvenciás áramkörökhöz.

3. kérdés: Mi a különbség a 4H-N, HPSI és 4H/6H-P SiC hordozók között?

A3:

4H-N: A nitrogénnel adalékolt 4H-SiC-t általában olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz használják, amelyek nagy elektronikus teljesítményt igényelnek.
HPSI: A nagy tisztaságú félszigetelő SiC elektromos szigetelést biztosít, ideális olyan alkalmazásokhoz, amelyek minimális elektromos vezetőképességet igényelnek.
4H/6H-P: 4H és 6H-SiC keveréke, amely kiegyensúlyozza a teljesítményt, a nagy hatékonyság és a robusztusság kombinációját kínálja, alkalmas különféle teljesítményelektronikai alkalmazásokhoz.

4. kérdés: Ezek a GaN-on-SiC lapkák alkalmasak olyan nagy teljesítményű alkalmazásokhoz, mint az elektromos járművek és a megújuló energia?

A4:Igen, a GaN-on-SiC lapkák kiválóan alkalmasak olyan nagy teljesítményű alkalmazásokhoz, mint az elektromos járművek, a megújuló energiaforrások és az ipari rendszerek. A GaN-on-SiC eszközök nagy áttörési feszültsége, nagy hővezető képessége és teljesítménykezelési képességei lehetővé teszik, hogy hatékonyan teljesítsenek az igényes áramátalakító és vezérlő áramkörökben.

5. kérdés: Mi a tipikus diszlokációs sűrűség ezeknél a lapkáknál?

A5:Ezeknek a GaN-on-SiC lapkáknak a diszlokációs sűrűsége jellemzően< 1 x 10^6 cm^-2, amely kiváló minőségű epitaxiális növekedést biztosít, minimálisra csökkenti a hibákat és javítja az eszköz teljesítményét és megbízhatóságát.

6. kérdés: Kérhetek egy adott szeletméretet vagy SiC hordozótípust?

A6:Igen, testreszabott szeletméreteket (100 mm és 150 mm) és SiC hordozótípusokat (4H-N, HPSI, 4H/6H-P) kínálunk, hogy megfeleljenek az Ön alkalmazásának speciális igényeinek. Kérjük, forduljon hozzánk további testreszabási lehetőségekért és igényeinek megbeszéléséhez.

7. kérdés: Hogyan teljesítenek a GaN-on-SiC lapkák extrém környezetben?

A7:A GaN-on-SiC ostyák ideálisak extrém környezeti feltételekhez a magas hőstabilitásuk, nagy teljesítményük és kiváló hőelvezetési képességük miatt. Ezek az ostyák jól teljesítenek a repülési, védelmi és ipari alkalmazásokban gyakran előforduló magas hőmérsékletű, nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás körülmények között.

Következtetés

Testreszabott GaN-on-SiC epitaxiális lapkáink egyesítik a GaN és a SiC fejlett tulajdonságait, hogy kiváló teljesítményt nyújtsanak nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokban. Több SiC szubsztrátum opcióval és testreszabható epitaxiális rétegekkel ezek a lapkák ideálisak a nagy hatékonyságot, hőkezelést és megbízhatóságot igénylő iparágakban. Legyen szó teljesítményelektronikáról, rádiófrekvenciás rendszerekről vagy védelmi alkalmazásokról, GaN-on-SiC lapkáink a szükséges teljesítményt és rugalmasságot kínálják.