GaAs nagy teljesítményű epitaxiális ostya szubsztrát gallium arzenid ostya teljesítmény lézer hullámhossz 905 nm lézeres orvosi kezeléshez
A GaAs lézeres epitaxiális lap főbb jellemzői a következők:
1. Nagy elektronmobilitás: A gallium-arzenid nagy elektronmobilitást mutat, ami miatt a GaAs lézeres epitaxiális lapkák jól alkalmazhatók nagyfrekvenciás eszközökben és nagy sebességű elektronikus eszközökben.
2.Direct bandgap átmeneti lumineszcencia: Közvetlen sávszélességű anyagként a gallium-arzenid hatékonyan képes elektromos energiát fényenergiává alakítani optoelektronikai eszközökben, így ideális lézerek gyártásához.
3. Hullámhossz: A GaAs 905 lézerek jellemzően 905 nm-en működnek, így számos alkalmazásra alkalmasak, beleértve a biomedicinát is.
4.High hatásfok: magas fotoelektromos átalakítási hatékonysággal hatékonyan átalakítja az elektromos energiát lézerkimenetté.
5. Nagy teljesítmény: Nagy teljesítményt érhet el, és olyan alkalmazási forgatókönyvekhez alkalmas, amelyek erős fényforrást igényelnek.
6.Jó hőteljesítmény: A GaAs anyag jó hővezető képességgel rendelkezik, segít csökkenteni a lézer működési hőmérsékletét és javítja a stabilitást.
7. Széles körű hangolhatóság: A kimeneti teljesítmény a meghajtó áramának változtatásával állítható, hogy alkalmazkodjon a különböző alkalmazási követelményekhez.
A GaAs lézeres epitaxiális tabletták fő alkalmazásai a következők:
1. Optikai szálas kommunikáció: A GaAs lézer epitaxiális lap felhasználható lézerek gyártására optikai szálas kommunikációban a nagy sebességű és nagy távolságú optikai jelátvitel elérése érdekében.
2. Ipari alkalmazások: Az ipari területen a GaAs lézeres epitaxiális lapok lézeres távolságmeghatározásra, lézeres jelölésre és egyéb alkalmazásokra használhatók.
3. VCSEL: A függőleges üreges felületet kibocsátó lézer (VCSEL) a GaAs lézerepitaxiális lemez fontos alkalmazási területe, amelyet széles körben használnak az optikai kommunikációban, az optikai tárolásban és az optikai érzékelésben.
4. Infravörös és foltmező: A GaAs lézer epitaxiális lap infravörös lézerek, pontgenerátorok és egyéb eszközök gyártására is használható, fontos szerepet játszik az infravörös érzékelésben, a fénymegjelenítésben és más területeken.
A GaAs lézeres epitaxiális lemez elkészítése elsősorban az epitaxiális növekedési technológián múlik, beleértve a fém-szerves kémiai gőzleválasztást (MOCVD), a molekuláris epitaxiális (MBE) és egyéb módszereket. Ezekkel a technikákkal pontosan szabályozható az epitaxiális réteg vastagsága, összetétele és kristályszerkezete, így kiváló minőségű GaAs lézeres epitaxiális lemezeket kaphatunk.
Az XKH a GaAs epitaxiális lemezek testreszabását kínálja különböző szerkezetekben és vastagságban, az alkalmazások széles skáláját lefedve az optikai kommunikációban, a VCSEL-ben, az infravörös és a fényfolt területén. Az XKH termékeit fejlett MOCVD berendezésekkel gyártják a nagy teljesítmény és megbízhatóság biztosítása érdekében. Logisztikai szempontból az XKH széles nemzetközi forráscsatornával rendelkezik, amely rugalmasan tudja kezelni a rendelések számát, és értéknövelt szolgáltatásokat nyújtani, mint a finomítás és a felosztás. A hatékony szállítási folyamatok biztosítják a pontos szállítást, és megfelelnek az ügyfelek minőségi és szállítási határidői követelményeinek. Az ügyfelek átfogó műszaki támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást kaphatnak érkezés után, hogy biztosítsák a termék zökkenőmentes használatba vételét.