GaAs lézeres epitaxiális lapka 4 hüvelykes 6 hüvelykes VCSEL függőleges üreges felületi emissziós lézer hullámhossza 940 nm egyetlen csomópont

GaAs lézeres epitaxiális szelet 4 hüvelykes 6 hüvelykes VCSEL függőleges üreges felületi emissziós lézer hullámhossz 940 nm egyetlen csomópont Kiemelt kép

Rövid leírás:

Vevő által meghatározott tervezésű Gigabit Ethernet lézertömbök nagy egyenletességű 6 hüvelykes lapkákhoz, 850/940 nm-es középső optikai hullámhosszú oxid korlátozott vagy protonbeültetett VCSEL digitális adatkapcsolati kommunikáció, lézeres egér elektromos és optikai jellemzői alacsony hőmérséklet-érzékenység. A VCSEL-940 Single Junction egy függőleges üreges felületet kibocsátó lézer (VCSEL), amelynek emissziós hullámhossza jellemzően 940 nanométer körül van. Az ilyen lézerek jellemzően egyetlen kvantumkútból állnak, és hatékony fénykibocsátásra képesek. A 940 nanométeres hullámhossz az infravörös spektrumban teszi lehetővé, sokféle alkalmazásra alkalmas. Más típusú lézerekhez képest a VCselek magasabb elektro-optikai konverziós hatásfokkal rendelkeznek. A VCSEL csomag viszonylag kicsi és könnyen integrálható. A VCSEL-940 széles körű alkalmazása fontos szerepet játszott a modern technológiában.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

A GaAs lézeres epitaxiális lap főbb jellemzői közé tartozik

1. Egy csomópontos szerkezet: Ez a lézer általában egyetlen kvantumkútból áll, amely hatékony fénykibocsátást tud biztosítani.
2. Hullámhossz: A 940 nm-es hullámhossz az infravörös spektrum tartományába teszi, sokféle alkalmazásra alkalmas.
3. Nagy hatásfok: Más típusú lézerekhez képest a VCSEL magas elektro-optikai konverziós hatásfokkal rendelkezik.
4. Kompaktság: A VCSEL csomag viszonylag kicsi és könnyen integrálható.

5. Alacsony küszöbáram és nagy hatásfok: Az eltemetett heterostruktúrájú lézerek rendkívül alacsony lézerküszöbáram-sűrűséggel (pl. 4mA/cm²) és magas külső differenciális kvantumhatékonysággal (pl. 36%) rendelkeznek, 15 mW-ot meghaladó lineáris kimeneti teljesítmény mellett.
6. Hullámvezető módú stabilitás: Az eltemetett heterostruktúrájú lézer előnye a hullámvezető módú stabilitás a törésmutató által vezetett hullámvezető mechanizmusa és a keskeny aktív szalagszélesség (kb. 2μm) miatt.
7. Kiváló fotoelektromos átalakítási hatékonyság: Az epitaxiális növekedési folyamat optimalizálásával magas belső kvantumhatásfok és fotoelektromos átalakítási hatékonyság érhető el a belső veszteség csökkentése érdekében.
8. Nagy megbízhatóság és élettartam: a kiváló minőségű epitaxiális növekedési technológia jó felületi megjelenésű és alacsony hibasűrűségű epitaxiális lemezeket készíthet, javítva a termék megbízhatóságát és élettartamát.
9. Különféle alkalmazásokhoz alkalmas: A GAAS-alapú lézerdióda epitaxiális lapot széles körben használják optikai szálas kommunikációban, ipari alkalmazásokban, infravörös és fotodetektorokban és más területeken.

A GaAs lézeres epitaxiális lap fő alkalmazási módjai közé tartozik

1. Optikai kommunikáció és adatkommunikáció: A GaAs epitaxiális lapkákat széles körben használják az optikai kommunikáció területén, különösen a nagy sebességű optikai kommunikációs rendszerekben, optoelektronikai eszközök, például lézerek és detektorok gyártására.

2. Ipari alkalmazások: A GaAs lézeres epitaxiális lapok ipari alkalmazásokban is fontosak, például lézeres feldolgozásban, mérésben és érzékelésben.

3. Szórakoztató elektronika: A fogyasztói elektronikában a GaAs epitaxiális lapkákat VCselek (vertikális üreges felületkibocsátó lézerek) gyártására használják, amelyeket széles körben használnak okostelefonokban és egyéb szórakoztató elektronikai cikkekben.

4. Rf alkalmazások: A GaAs anyagok jelentős előnyökkel rendelkeznek az RF területen, és nagy teljesítményű RF eszközök gyártására használják őket.

5. Kvantumpont lézerek: A GAAS-alapú kvantumpont lézereket széles körben használják kommunikációs, orvosi és katonai területeken, különösen az 1,31 µm-es optikai kommunikációs sávban.

6. Passzív Q kapcsoló: A GaAs abszorber diódapumpás szilárdtest lézerekhez passzív Q kapcsolóval használható, amely alkalmas mikromegmunkálásra, távolságmérésre és mikrosebészetre.

Ezek az alkalmazások bemutatják a GaAs lézeres epitaxiális lapkákban rejlő lehetőségeket a high-tech alkalmazások széles körében.

Az XKH az ügyfelek igényeire szabott, különböző szerkezetű és vastagságú GaAs epitaxiális lapkákat kínál, amelyek az alkalmazások széles skáláját lefedik, mint például a VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G bázisállomások stb. Az XKH termékei fejlett MOCVD berendezésekkel készülnek a nagy teljesítmény és a megbízhatóság. Logisztikai szempontból széles nemzetközi forráscsatornával rendelkezünk, rugalmasan tudjuk kezelni a rendelések számát, és értéknövelt szolgáltatásokat nyújtunk, mint pl. ritkítás, szegmentálás, stb. minőség és szállítási határidők. Érkezés után az ügyfelek átfogó műszaki támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást kaphatnak, hogy biztosítsák a termék zökkenőmentes használatba vételét.