GaAs lézer epitaxiális ostya 4 hüvelykes 6 hüvelykes VCSEL függőleges üreges felületi emissziós lézer hullámhossza 940 nm, egyetlen átmenettel
A GaAs lézeres epitaxiális lemez főbb jellemzői a következők:
1. Egypontos szerkezet: Ez a lézer általában egyetlen kvantumkútból áll, amely hatékony fénykibocsátást biztosít.
2. Hullámhossz: A 940 nm-es hullámhossz az infravörös spektrumtartományba esik, így számos alkalmazáshoz alkalmas.
3. Nagy hatásfok: Más lézertípusokhoz képest a VCSEL magas elektrooptikai konverziós hatásfokkal rendelkezik.
4. Kompaktság: A VCSEL csomag viszonylag kicsi és könnyen integrálható.
5. Alacsony küszöbáram és nagy hatásfok: Az eltemetett heterostruktúrájú lézerek rendkívül alacsony lézeres küszöbáram-sűrűséget (pl. 4 mA/cm²) és magas külső differenciális kvantumhatásfokot (pl. 36%) mutatnak, a lineáris kimenő teljesítmény meghaladja a 15 mW-ot.
6. Hullámvezető mód stabilitása: Az eltemetett heterostruktúrájú lézer előnye a hullámvezető mód stabilitása a törésmutatóval vezérelt hullámvezető mechanizmusának és a keskeny aktív csík szélességének (kb. 2 μm) köszönhetően.
7. Kiváló fotoelektromos konverziós hatásfok: Az epitaxiális növekedési folyamat optimalizálásával magas belső kvantumhatásfok és fotoelektromos konverziós hatásfok érhető el a belső veszteség csökkentése érdekében.
8. Nagy megbízhatóság és élettartam: a kiváló minőségű epitaxiális növekedési technológia jó felületi megjelenésű és alacsony hibasűrűségű epitaxiális lemezeket képes előállítani, javítva a termék megbízhatóságát és élettartamát.
9. Különböző alkalmazásokhoz alkalmas: A GAAS alapú lézerdióda epitaxiális lemezt széles körben használják optikai szálas kommunikációban, ipari alkalmazásokban, infravörös és fotodetektorokban és más területeken.
A GaAs lézeres epitaxiális lemez főbb alkalmazási módjai a következők:
1. Optikai kommunikáció és adatkommunikáció: A GaAs epitaxiális ostyákat széles körben használják az optikai kommunikáció területén, különösen a nagysebességű optikai kommunikációs rendszerekben, optoelektronikai eszközök, például lézerek és detektorok gyártásához.
2. Ipari alkalmazások: A GaAs lézeres epitaxiális lemezeknek fontos felhasználási területeik vannak az ipari alkalmazásokban is, például lézeres megmunkálásban, mérésben és érzékelésben.
3. Szórakoztató elektronika: A szórakoztató elektronikában a GaAs epitaxiális lapkákat VCsel-ek (függőleges üregű felületkibocsátó lézerek) gyártásához használják, amelyeket széles körben használnak okostelefonokban és más szórakoztató elektronikában.
4. RF alkalmazások: A GaAs anyagok jelentős előnyökkel rendelkeznek az RF területen, és nagy teljesítményű RF eszközök gyártására használják őket.
5. Kvantumpontlézerek: A GAAS-alapú kvantumpontlézerek széles körben használatosak a kommunikációs, orvosi és katonai területeken, különösen az 1,31 µm-es optikai kommunikációs sávban.
6. Passzív Q kapcsoló: A GaAs abszorbert passzív Q kapcsolóval ellátott diódapumpás szilárdtest lézerekhez használják, amelyek alkalmasak mikromegmunkálásra, távolságmérésre és mikrosebészetre.
Ezek az alkalmazások a GaAs lézeres epitaxiális ostyákban rejlő lehetőségeket demonstrálják a high-tech alkalmazások széles körében.
Az XKH GaAs epitaxiális ostyákat kínál különböző szerkezetekben és vastagságokban, az ügyfelek igényeihez igazítva, széles alkalmazási skálát lefedve, mint például a VCSEL/HCSEL, WLAN, 4G/5G bázisállomások stb. Az XKH termékei fejlett MOCVD berendezésekkel készülnek a nagy teljesítmény és megbízhatóság biztosítása érdekében. Logisztika szempontjából széleskörű nemzetközi beszerzési csatornákkal rendelkezünk, rugalmasan tudjuk kezelni a megrendelések számát, és hozzáadott értékű szolgáltatásokat nyújtunk, mint például a vékonyítás, szegmentálás stb. A hatékony szállítási folyamatok biztosítják a pontos szállítást, és megfelelnek az ügyfelek minőségi és szállítási határidőkkel kapcsolatos követelményeinek. Az ügyfelek megérkezését követően átfogó műszaki támogatást és értékesítés utáni szolgáltatást kaphatnak a termék zökkenőmentes üzembe helyezése érdekében.
Részletes ábra
