Gallium-nitrid (GaN) epitaxiálisan növesztett zafír ostyákon 4 hüvelykes és 6 hüvelykes MEMS-hez

Rövid leírás:

A zafír ostyákon lévő gallium-nitrid (GaN) páratlan teljesítményt nyújt nagyfrekvenciás és nagy teljesítményű alkalmazásokhoz, így ideális anyag a következő generációs RF (rádiófrekvenciás) előlapi modulokhoz, LED-lámpákhoz és más félvezető eszközökhöz.GaNkiváló elektromos tulajdonságai, beleértve a nagy tiltott sávot is, lehetővé teszik, hogy magasabb átütési feszültségeken és hőmérsékleteken működjön, mint a hagyományos szilícium alapú eszközök. Ahogy a GaN-t egyre inkább alkalmazzák a szilícium helyett, az elektronika olyan fejlesztéseit hajtja előre, amelyek könnyű, nagy teljesítményű és hatékony anyagokat igényelnek.

Küldjön nekünk e-mailt

Jellemzők

A GaN tulajdonságai zafír ostyákon

●Nagy hatékonyság:A GaN-alapú eszközök ötször nagyobb teljesítményt nyújtanak, mint a szilíciumalapú eszközök, ami javítja a teljesítményt különféle elektronikai alkalmazásokban, beleértve az RF erősítést és az optoelektronikát.
●Széles tiltott sáv:A GaN széles tiltott sávja nagy hatásfokot tesz lehetővé magas hőmérsékleten, így ideális nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz.
●Tartósság:A GaN szélsőséges körülmények (magas hőmérséklet és sugárzás) kezelésének képessége hosszú távú teljesítményt biztosít zord környezetben.
●Kis méret:A GaN lehetővé teszi a hagyományos félvezető anyagokhoz képest kompaktabb és könnyebb eszközök gyártását, ami kisebb és erősebb elektronikát tesz lehetővé.

Absztrakt

A gallium-nitrid (GaN) egyre népszerűbb félvezető a nagy teljesítményt és hatékonyságot igénylő fejlett alkalmazásokban, mint például az RF előlapi modulok, a nagy sebességű kommunikációs rendszerek és a LED-es világítás. A zafír hordozóra növesztett GaN epitaxiális ostyák a magas hővezető képesség, a magas letörési feszültség és a széles frekvenciaválasz kombinációját kínálják, amelyek kulcsfontosságúak a vezeték nélküli kommunikációs eszközök, radarok és zavarók optimális teljesítményéhez. Ezek az ostyák 4 és 6 hüvelykes átmérőben is kaphatók, változó GaN vastagsággal, hogy megfeleljenek a különböző műszaki követelményeknek. A GaN egyedi tulajdonságai elsődleges jelöltté teszik a jövő teljesítményelektronikai ágában.

Termékparaméterek

Termékjellemző	Specifikáció
Ostya átmérője	50 mm, 100 mm, 50,8 mm
Hordozóanyag	Zafír
GaN rétegvastagság	0,5 μm - 10 μm
GaN típus/adalékolás	N-típus (P-típus kérésre elérhető)
GaN kristály orientáció	<0001>
Polírozás típusa	Egyoldalasan polírozott (SSP), kétoldalasan polírozott (DSP)
Al2O3 vastagság	430 μm - 650 μm
TTV (teljes vastagságváltozás)	≤ 10 μm
Íj	≤ 10 μm
Warp	≤ 10 μm
Felület	Hasznos felület > 90%

Kérdések és válaszok

1. kérdés: Melyek a GaN használatának legfontosabb előnyei a hagyományos szilícium alapú félvezetőkkel szemben?

A1A GaN számos jelentős előnnyel rendelkezik a szilíciummal szemben, beleértve a szélesebb tiltott sávot, amely lehetővé teszi a magasabb átütési feszültségek kezelését és a magasabb hőmérsékleten való hatékony működést. Ez ideálissá teszi a GaN-t nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz, például RF modulokhoz, teljesítményerősítőkhöz és LED-ekhez. A GaN nagyobb teljesítménysűrűség-kezelési képessége kisebb és hatékonyabb eszközöket is lehetővé tesz a szilícium alapú alternatívákhoz képest.

2. kérdés: Használhatók-e a zafír lapkákon lévő GaN-ok MEMS (mikro-elektromechanikus rendszerek) alkalmazásokban?

A2Igen, a zafír ostyákon lévő GaN alkalmas MEMS alkalmazásokhoz, különösen ott, ahol nagy teljesítményre, hőmérsékleti stabilitásra és alacsony zajszintre van szükség. Az anyag tartóssága és hatékonysága nagyfrekvenciás környezetben ideálissá teszi a vezeték nélküli kommunikációban, érzékelő és radarrendszerekben használt MEMS eszközökhöz.

3. kérdés: Milyen lehetséges alkalmazásai vannak a GaN-nek a vezeték nélküli kommunikációban?

A3A GaN-t széles körben használják RF előlapi modulokban vezeték nélküli kommunikációhoz, beleértve az 5G infrastruktúrát, a radarrendszereket és a zavarókat. Nagy teljesítménysűrűsége és hővezető képessége tökéletessé teszi nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás eszközökhöz, jobb teljesítményt és kisebb méreteket biztosítva a szilícium alapú megoldásokhoz képest.

4. kérdés: Milyen átfutási időkkel és minimális rendelési mennyiségekkel rendelkezik a GaN zafír ostyákon?

A4A szállítási idők és a minimális rendelési mennyiségek a lapka méretétől, a GaN vastagságától és az ügyfél egyedi igényeitől függően változnak. Kérjük, vegye fel velünk a kapcsolatot közvetlenül a részletes árakért és az Ön specifikációi szerinti elérhetőségért.

5. kérdés: Kaphatok egyedi GaN rétegvastagságot vagy adalékolási szinteket?

A5Igen, a GaN vastagságának és adalékolási szintjének testreszabását kínáljuk az adott alkalmazási igényeknek megfelelően. Kérjük, tudassa velünk a kívánt specifikációkat, és mi személyre szabott megoldást kínálunk.