Gallium-nitrid (GaN) epitaxiális, zafír ostyán termesztett 4 hüvelykes 6 hüvelykes MEMS-hez
A GaN tulajdonságai zafír ostyákon
● Nagy hatékonyság:A GaN-alapú eszközök ötször nagyobb teljesítményt biztosítanak, mint a szilícium alapú eszközök, így fokozzák a teljesítményt különféle elektronikus alkalmazásokban, beleértve a rádiófrekvenciás erősítést és az optoelektronikát.
●Széles sávszélesség:A GaN széles sávszélessége magas hatékonyságot tesz lehetővé magas hőmérsékleten, így ideális a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz.
● Tartósság:A GaN extrém körülmények (magas hőmérséklet és sugárzás) kezelésére való képessége hosszú távú teljesítményt biztosít zord körülmények között is.
●Kis méret:A GaN lehetővé teszi a hagyományos félvezető anyagokhoz képest kompaktabb és könnyebb eszközök gyártását, megkönnyítve a kisebb és erősebb elektronikát.
Absztrakt
A gallium-nitrid (GaN) a választott félvezető a nagy teljesítményt és hatékonyságot igénylő fejlett alkalmazásokban, mint például az RF front-end modulok, nagy sebességű kommunikációs rendszerek és LED-világítás. A GaN epitaxiális lapkák zafír hordozón termesztve a magas hővezető képesség, a nagy áttörési feszültség és a széles frekvencia-válasz kombinációját kínálják, amelyek kulcsfontosságúak a vezeték nélküli kommunikációs eszközök, radarok és zavaró berendezések optimális teljesítményéhez. Ezek az ostyák 4 hüvelykes és 6 hüvelykes átmérőben is kaphatók, változó GaN vastagsággal, hogy megfeleljenek a különböző műszaki követelményeknek. A GaN egyedülálló tulajdonságai a teljesítményelektronika jövőjének első számú jelöltjévé teszik.
Termékparaméterek
| Termék jellemzői | Specifikáció |
| Ostya átmérője | 50 mm, 100 mm, 50,8 mm |
| Szubsztrát | Zafír |
| GaN rétegvastagság | 0,5 μm - 10 μm |
| GaN típus/dopping | N-típus (P-típus kérésre kapható) |
| GaN kristály orientáció | <0001> |
| Polírozás típusa | Egyoldalas polírozott (SSP), kétoldalas polírozott (DSP) |
| Al2O3 Vastagság | 430 μm - 650 μm |
| TTV (teljes vastagságváltozás) | ≤ 10 μm |
| Íj | ≤ 10 μm |
| Warp | ≤ 10 μm |
| Felületi terület | Használható felület > 90% |
Kérdések és válaszok
1. kérdés: Melyek a GaN használatának fő előnyei a hagyományos szilícium alapú félvezetőkkel szemben?
A1: A GaN számos jelentős előnyt kínál a szilíciummal szemben, beleértve a szélesebb sávszélességet, amely lehetővé teszi a nagyobb áttörési feszültségek kezelését és a hatékony működést magasabb hőmérsékleten. Ez teszi a GaN-t ideálissá nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz, például RF modulokhoz, teljesítményerősítőkhöz és LED-ekhez. A GaN nagyobb teljesítménysűrűség kezelésére való képessége kisebb és hatékonyabb eszközöket is lehetővé tesz a szilícium alapú alternatívákhoz képest.
2. kérdés: Használható-e a Sapphire lapkákon lévő GaN MEMS (mikro-elektromechanikai rendszerek) alkalmazásokban?
A2: Igen, a GaN on Sapphire lapkák alkalmasak MEMS alkalmazásokhoz, különösen ott, ahol nagy teljesítmény, hőmérséklet-stabilitás és alacsony zaj szükséges. Az anyag nagyfrekvenciás környezetben való tartóssága és hatékonysága ideálissá teszi a vezeték nélküli kommunikációs, érzékelő- és radarrendszerekben használt MEMS-eszközökhöz.
3. kérdés: Melyek a GaN lehetséges alkalmazásai a vezeték nélküli kommunikációban?
A3: A GaN-t széles körben használják RF front-end modulokban vezeték nélküli kommunikációhoz, beleértve az 5G infrastruktúrát, radarrendszereket és zavaró berendezéseket. Nagy teljesítménysűrűsége és hővezető képessége tökéletessé teszi a nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás eszközökhöz, jobb teljesítményt és kisebb alaktényezőket tesz lehetővé a szilícium alapú megoldásokhoz képest.
4. kérdés: Melyek az átfutási idők és a minimális rendelési mennyiségek a Sapphire lapkákon lévő GaN esetében?
A4: Az átfutási idők és a minimális rendelési mennyiségek az ostya méretétől, a GaN vastagságától és az ügyfelek egyedi igényeitől függően változnak. Kérjük, forduljon hozzánk közvetlenül a részletes árakért és a rendelkezésre állásért az Ön specifikációi alapján.
5. kérdés: Kaphatok egyedi GaN rétegvastagságot vagy adalékolási szintet?
A5: Igen, a GaN vastagság és az adalékolási szintek testreszabását kínáljuk az adott alkalmazási igényeknek megfelelően. Kérjük, adja meg a kívánt specifikációt, és mi személyre szabott megoldást kínálunk.
Részletes diagram
