HPSI SiC ostya átmérője: 3 hüvelyk vastagság: 350 μm ± 25 μm teljesítményelektronikához
Alkalmazás
A HPSI SiC ostyákat széles körben használják az erőelektronikai alkalmazásokban, beleértve:
Teljesítmény félvezetők:A SiC szeleteket gyakran használják teljesítménydiódák, tranzisztorok (MOSFET-ek, IGBT-k) és tirisztorok gyártásához. Ezeket a félvezetőket széles körben használják olyan teljesítményátalakítási alkalmazásokban, amelyek nagy hatékonyságot és megbízhatóságot igényelnek, például ipari motormeghajtókban, tápegységekben és megújuló energiarendszerek invertereiben.
Elektromos járművek (EV-k):Az elektromos járművek hajtásláncaiban a SiC alapú erőeszközök gyorsabb kapcsolási sebességet, nagyobb energiahatékonyságot és csökkentett hőveszteséget biztosítanak. A SiC alkatrészek ideálisak akkumulátorkezelő rendszerekben (BMS), töltőinfrastruktúrában és fedélzeti töltőkben (OBC) történő alkalmazásokhoz, ahol a súly minimalizálása és az energiaátalakítási hatékonyság maximalizálása kritikus fontosságú.
Megújuló energiarendszerek:A SiC lapkákat egyre inkább használják napelemes inverterekben, szélturbinákban és energiatároló rendszerekben, ahol a nagy hatásfok és a robusztusság elengedhetetlen. A SiC alapú alkatrészek nagyobb teljesítménysűrűséget és fokozott teljesítményt tesznek lehetővé ezekben az alkalmazásokban, javítva az energiaátalakítás általános hatásfokát.
Ipari teljesítményelektronika:Nagy teljesítményű ipari alkalmazásokban, például motorhajtásokban, robotikában és nagyméretű tápegységekben a SiC ostyák használata jobb teljesítményt tesz lehetővé a hatékonyság, a megbízhatóság és a hőkezelés tekintetében. A SiC eszközök képesek kezelni a magas kapcsolási frekvenciákat és a magas hőmérsékleteket, így alkalmasak igényes környezetekre.
Távközlési és adatközpontok:A SiC-t telekommunikációs berendezések és adatközpontok tápegységeiben használják, ahol a nagy megbízhatóság és a hatékony energiaátalakítás kulcsfontosságú. A SiC-alapú tápegységek nagyobb hatékonyságot tesznek lehetővé kisebb méretben, ami alacsonyabb energiafogyasztást és jobb hűtési hatékonyságot eredményez nagyméretű infrastruktúrákban.
A SiC ostyák magas átütési feszültsége, alacsony bekapcsolási ellenállása és kiváló hővezető képessége ideális hordozóvá teszi őket ezekhez a fejlett alkalmazásokhoz, lehetővé téve a következő generációs energiahatékony teljesítményelektronika fejlesztését.
Tulajdonságok
| Ingatlan | Érték |
| Ostya átmérője | 76,2 mm (3 hüvelyk) |
| Ostya vastagsága | 350 µm ± 25 µm |
| Ostya orientáció | <0001> tengelyen ± 0,5° |
| Mikrocső sűrűsége (MPD) | ≤ 1 cm⁻² |
| Elektromos ellenállás | ≥ 1E7 Ω·cm |
| Adalékanyag | Adalékolatlan |
| Elsődleges sík tájolás | {11-20} ± 5,0° |
| Elsődleges sík hossza | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Másodlagos síkhossz | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Másodlagos sík tájolás | Si felület felfelé: 90° óramutató járásával megegyező irányban az elsődleges síkfelülettől ± 5,0° |
| Élkizárás | 3 mm |
| LTV/TTV/Íj/Form | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm |
| Felületi érdesség | C-felület: Polírozott, Si-felület: CMP |
| Repedések (nagy intenzitású fénnyel vizsgálva) | Egyik sem |
| Hatszögletű lemezek (nagy intenzitású fénnyel ellenőrizve) | Egyik sem |
| Politípusos területek (nagy intenzitású fénnyel vizsgálva) | Összesített terület 5% |
| Karcolások (nagy intenzitású fénnyel vizsgálva) | ≤ 5 karcolás, összesített hossz ≤ 150 mm |
| Élforgácsolás | Nem megengedett ≥ 0,5 mm szélesség és mélység |
| Felületi szennyeződés (nagy intenzitású fénnyel vizsgálva) | Egyik sem |
Főbb előnyök
Magas hővezető képesség:A SiC ostyák kivételes hőelvezető képességükről ismertek, ami lehetővé teszi az erősáramú eszközök számára, hogy nagyobb hatásfokkal működjenek, és nagyobb áramokat kezeljenek túlmelegedés nélkül. Ez a tulajdonság kulcsfontosságú az erősáramú elektronikában, ahol a hőkezelés jelentős kihívást jelent.
Nagy átütési feszültség:A SiC széles tiltott sávja lehetővé teszi az eszközök számára, hogy magasabb feszültségszinteket toleráljanak, így ideálisak nagyfeszültségű alkalmazásokhoz, például elektromos hálózatokhoz, elektromos járművekhez és ipari gépekhez.
Nagy hatékonyság:A magas kapcsolási frekvenciák és az alacsony bekapcsolási ellenállás kombinációja alacsonyabb energiaveszteségű eszközöket eredményez, javítva az energiaátalakítás általános hatékonyságát és csökkentve a komplex hűtőrendszerek szükségességét.
Megbízhatóság zord környezetben:A SiC magas hőmérsékleten (akár 600°C-ig) képes működni, ami alkalmassá teszi olyan környezetben való használatra, amely egyébként károsítaná a hagyományos szilícium alapú eszközöket.
Energiamegtakarítás:A SiC energiatermelők javítják az energiaátalakítás hatékonyságát, ami kritikus fontosságú az energiafogyasztás csökkentése szempontjából, különösen nagy rendszerekben, mint például az ipari energiaátalakítók, az elektromos járművek és a megújuló energia infrastruktúrája.
Részletes ábra
