HPSI SiC lapka átmérője: 3 hüvelyk vastagság: 350 um± 25 µm teljesítményelektronikához
Alkalmazás
A HPSI SiC lapkákat a teljesítményelektronikai alkalmazások széles körében használják, beleértve:
Teljesítmény félvezetők:A SiC lapkákat általában teljesítménydiódák, tranzisztorok (MOSFET-ek, IGBT-k) és tirisztorok gyártására használják. Ezeket a félvezetőket széles körben használják a nagy hatékonyságot és megbízhatóságot igénylő teljesítményátalakítási alkalmazásokban, például ipari motorhajtásokban, tápegységekben és megújuló energiarendszerek invertereiben.
Elektromos járművek (EV):Az elektromos járművek hajtásláncaiban a SiC alapú erőművek gyorsabb kapcsolási sebességet, nagyobb energiahatékonyságot és csökkentett hőveszteséget biztosítanak. A SiC komponensek ideálisak az akkumulátor-felügyeleti rendszerekben (BMS), a töltési infrastruktúrában és a fedélzeti töltőkben (OBC) való alkalmazásokhoz, ahol kritikus a súly minimalizálása és az energiaátalakítási hatékonyság maximalizálása.
Megújuló energiarendszerek:A SiC lapkákat egyre gyakrabban használják szoláris inverterekben, szélturbina generátorokban és energiatároló rendszerekben, ahol elengedhetetlen a nagy hatékonyság és robusztusság. A SiC alapú alkatrészek nagyobb teljesítménysűrűséget és nagyobb teljesítményt tesznek lehetővé ezekben az alkalmazásokban, javítva az általános energiaátalakítási hatékonyságot.
Ipari teljesítményelektronika:A nagy teljesítményű ipari alkalmazásokban, mint például a motorhajtások, a robotika és a nagyméretű tápegységek, a SiC lapkák használata jobb teljesítményt tesz lehetővé a hatékonyság, a megbízhatóság és a hőkezelés terén. A SiC eszközök nagy kapcsolási frekvenciákat és magas hőmérsékletet is képesek kezelni, így alkalmasak a nagy igénybevételt jelentő környezetekre is.
Távközlési és adatközpontok:A SiC-t távközlési berendezések és adatközpontok tápegységeiben használják, ahol döntő fontosságú a nagy megbízhatóság és a hatékony áramátalakítás. A SiC-alapú tápegységek nagyobb hatékonyságot tesznek lehetővé kisebb méreteknél, ami csökkentett energiafogyasztást és jobb hűtési hatékonyságot jelent nagyméretű infrastruktúrákban.
A SiC lapkák nagy áttörési feszültsége, alacsony bekapcsolási ellenállása és kiváló hővezető képessége ideális hordozóvá teszik ezeket a fejlett alkalmazásokhoz, lehetővé téve a következő generációs energiahatékony teljesítményelektronika fejlesztését.
Tulajdonságok
| Ingatlan | Érték |
| Ostya átmérője | 3 hüvelyk (76,2 mm) |
| Ostya vastagság | 350 µm ± 25 µm |
| Ostya orientáció | <0001> a tengelyen ± 0,5° |
| Mikrocső sűrűség (MPD) | ≤ 1 cm⁻² |
| Elektromos ellenállás | ≥ 1E7 Ω·cm |
| Adalékanyag | Nem adalékolt |
| Elsődleges lapos tájolás | {11-20} ± 5,0° |
| Elsődleges lapos hossz | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Másodlagos lapos hossz | 18,0 mm ± 2,0 mm |
| Másodlagos lapos tájolás | Si oldallal felfelé: 90° CW az elsődleges laptól ± 5,0° |
| Élek kizárása | 3 mm |
| LTV/TTV/Íj/Warp | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm |
| Felületi érdesség | C-felület: polírozott, Si-felület: CMP |
| Repedések (nagy intenzitású fénnyel ellenőrizve) | Egyik sem |
| Hatlapú lemezek (nagy intenzitású fénnyel ellenőrizve) | Egyik sem |
| Politípus területek (nagy intenzitású fénnyel ellenőrzött) | Összesített terület 5% |
| Karcolások (nagy intenzitású fénnyel ellenőrizve) | ≤ 5 karcolás, kumulált hossz ≤ 150 mm |
| Edge Chipping | Egyik sem megengedett ≥ 0,5 mm szélesség és mélység |
| Felületi szennyeződés (nagy intenzitású fénnyel ellenőrizve) | Egyik sem |
Főbb előnyök
Magas hővezetőképesség:A SiC lapkák kivételes hőelvezetési képességükről ismertek, ami lehetővé teszi, hogy az erősáramú eszközök nagyobb hatásfokkal működjenek, és nagyobb áramerősségeket kezeljenek túlmelegedés nélkül. Ez a funkció kulcsfontosságú a teljesítményelektronikában, ahol a hőkezelés jelentős kihívást jelent.
Nagy áttörési feszültség:A SiC széles sávszélessége lehetővé teszi, hogy az eszközök magasabb feszültségszintet toleráljanak, így ideálisak nagyfeszültségű alkalmazásokhoz, például elektromos hálózatokhoz, elektromos járművekhez és ipari gépekhez.
Nagy hatékonyság:A magas kapcsolási frekvenciák és az alacsony bekapcsolási ellenállás kombinációja alacsonyabb energiaveszteséggel rendelkező eszközöket eredményez, javítva az energiaátalakítás általános hatékonyságát és csökkentve a bonyolult hűtőrendszerek szükségességét.
Megbízhatóság zord környezetben:A SiC magas hőmérsékleten (600°C-ig) képes működni, ami alkalmassá teszi olyan környezetben történő használatra, amely egyébként károsítaná a hagyományos szilícium alapú eszközöket.
Energiamegtakarítás:A SiC tápegységek javítják az energiaátalakítási hatékonyságot, ami kritikus fontosságú az energiafogyasztás csökkentésében, különösen olyan nagy rendszerekben, mint az ipari áramátalakítók, elektromos járművek és megújuló energiaforrások infrastruktúrája.
Részletes diagram
