Indium-antimonid (InSb) szeletek N típusú P típusú Epi kész adalékolatlan Te adalékolt vagy Ge adalékolt 2 hüvelykes 3 hüvelykes 4 hüvelyk vastagságú indium-antimonid (InSb) szeletek
Jellemzők
Doppingolási lehetőségek:
1. Adalékmentes:Ezek a ostyák mentesek mindenféle adalékanyagtól, így ideálisak speciális alkalmazásokhoz, például epitaxiális növekedéshez.
2.Te adalékolt (N-típus):A tellúr (Te) adalékolást általában N-típusú ostyák előállítására használják, amelyek ideálisak olyan alkalmazásokhoz, mint az infravörös detektorok és a nagysebességű elektronika.
3. Ge-vel adalékolt (P-típus):A germánium (Ge) adalékolást P-típusú ostyák előállítására használják, amelyek nagy lyukmobilitást biztosítanak a fejlett félvezető alkalmazásokhoz.
Méretbeállítások:
1. 2 hüvelykes, 3 hüvelykes és 4 hüvelykes átmérőben kapható. Ezek a waferek különböző technológiai igényeket elégítenek ki, a kutatás-fejlesztéstől a nagyüzemi gyártásig.
2. A pontos átmérőtűrések biztosítják az egységességet a tételek között, 50,8±0,3 mm átmérővel (2 hüvelykes ostyák esetén) és 76,2±0,3 mm átmérővel (3 hüvelykes ostyák esetén).
Vastagságszabályozás:
1. A ostyák 500±5μm vastagságban kaphatók az optimális teljesítmény érdekében különféle alkalmazásokban.
2. A további méréseket, mint például a TTV-t (teljes vastagságváltozás), a BOW-t és a Warp-ot gondosan ellenőrzik a magas egyenletesség és minőség biztosítása érdekében.
Felületi minőség:
1. A ostyák polírozott/maratott felülettel rendelkeznek a jobb optikai és elektromos teljesítmény érdekében.
2. Ezek a felületek ideálisak epitaxiális növekedéshez, sima alapot biztosítva a további feldolgozáshoz nagy teljesítményű eszközökben.
Epi-kész:
1. Az InSb ostyák epi-készek, ami azt jelenti, hogy előkezelik őket az epitaxiális leválasztási eljárásokhoz. Ez ideálissá teszi őket a félvezetőgyártásban olyan alkalmazásokhoz, ahol epitaxiális rétegeket kell a ostya tetejére növeszteni.
Alkalmazások
1. Infravörös detektorok:Az InSb lapkákat gyakran használják infravörös (IR) detektálásban, különösen a középhullámú infravörös (MWIR) tartományban. Ezek a lapkák elengedhetetlenek éjjellátó, hőkamerás és infravörös spektroszkópiai alkalmazásokhoz.
2. Nagysebességű elektronika:Nagy elektronmobilitásuk miatt az InSb ostyákat nagysebességű elektronikus eszközökben, például nagyfrekvenciás tranzisztorokban, kvantumkút-eszközökben és nagy elektronmobilitású tranzisztorokban (HEMT-k) használják.
3. Kvantumkút-eszközök:A keskeny tiltott sáv és a kiváló elektronmobilitás alkalmassá teszi az InSb lapkákat kvantumkút-eszközökben való használatra. Ezek az eszközök kulcsfontosságú alkatrészek lézerekben, detektorokban és más optoelektronikai rendszerekben.
4. Spintronikai eszközök:Az InSb-t spintronikai alkalmazásokban is vizsgálják, ahol az elektronspint használják információfeldolgozásra. Az anyag alacsony spin-pálya csatolása ideálissá teszi ezekhez a nagy teljesítményű eszközökhöz.
5. Terahertzes (THz) sugárzás alkalmazásai:Az InSb-alapú eszközöket THz-es sugárzási alkalmazásokban használják, beleértve a tudományos kutatást, a képalkotást és az anyagjellemzést. Lehetővé teszik olyan fejlett technológiák alkalmazását, mint a THz-es spektroszkópia és a THz-es képalkotó rendszerek.
6. Termoelektromos eszközök:Az InSb egyedi tulajdonságai vonzó anyaggá teszik a termoelektromos alkalmazásokhoz, ahol hatékonyan alakítható át vele a hő villamos energiává, különösen olyan speciális alkalmazásokban, mint az űrtechnológia vagy az extrém környezetben történő energiatermelés.
Termékparaméterek
| Paraméter | 2 hüvelykes | 3 hüvelykes | 4 hüvelykes |
| Átmérő | 50,8±0,3 mm | 76,2±0,3 mm | - |
| Vastagság | 500±5 μm | 650±5 μm | - |
| Felület | Polírozott/maratott | Polírozott/maratott | Polírozott/maratott |
| Dopping típusa | Adalékolatlan, Te-adalékolt (N), Ge-adalékolt (P) | Adalékolatlan, Te-adalékolt (N), Ge-adalékolt (P) | Adalékolatlan, Te-adalékolt (N), Ge-adalékolt (P) |
| Tájolás | (100) | (100) | (100) |
| Csomag | Egyetlen | Egyetlen | Egyetlen |
| Epi-Ready | Igen | Igen | Igen |
Te adalékolt (N-típusú) elektromos paraméterei:
- Mobilitás: 2000-5000 cm²/V·s
- Ellenállás: (1-1000) Ω·cm
- EPD (hibasűrűség)≤2000 hiba/cm²
Ge-adalékolt (P-típusú) elektromos paraméterek:
- Mobilitás: 4000-8000 cm²/V·s
- Ellenállás: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (hibasűrűség)≤2000 hiba/cm²
Következtetés
Az indium-antimonid (InSb) szeletek nélkülözhetetlen anyagok számos nagy teljesítményű alkalmazáshoz az elektronika, az optoelektronika és az infravörös technológiák területén. Kiváló elektronmobilitásuknak, alacsony spin-pálya csatolásuknak és a különféle adalékolási lehetőségeknek (Te az N-típushoz, Ge a P-típushoz) köszönhetően az InSb szeletek ideálisak olyan eszközökben való használatra, mint az infravörös detektorok, nagysebességű tranzisztorok, kvantumkút-eszközök és spintronikai eszközök.
A lapkák különböző méretekben (2 hüvelyk, 3 hüvelyk és 4 hüvelyk) kaphatók, precíz vastagságszabályozással és epi-ready felületekkel, biztosítva, hogy megfeleljenek a modern félvezetőgyártás szigorú követelményeinek. Ezek a lapkák tökéletesek olyan területeken történő alkalmazásokhoz, mint az infravörös detektálás, a nagysebességű elektronika és a THz-es sugárzás, lehetővé téve a fejlett technológiák alkalmazását a kutatásban, az iparban és a védelemben.
Részletes ábra
