Indium Antimonide (InSb) ostya N típusú P típusú Epi kész adalékolatlan Te adalékolt vagy Ge adalékolt 2 hüvelyk 3 hüvelyk 4 hüvelyk vastag Indium Antimonid (InSb) ostya
Jellemzők
Doppingolási lehetőségek:
1.Adagolás nélkül:Ezek az ostyák mentesek minden doppingszertől, így ideálisak speciális alkalmazásokhoz, például epitaxiális növekedéshez.
2. Te adalékolt (N-típus):A tellúr (Te) adalékolást általában N-típusú lapkák készítésére használják, amelyek ideálisak például infravörös detektorokhoz és nagy sebességű elektronikához.
3. Ge adalékolt (P-típus):A germánium (Ge) adalékolást P-típusú lapkák készítésére használják, amelyek nagy lyukmobilitást kínálnak a fejlett félvezető alkalmazásokhoz.
Méret opciók:
1. 2 hüvelykes, 3 hüvelykes és 4 hüvelykes átmérőben kapható. Ezek az ostyák különféle technológiai igényeket szolgálnak ki, a kutatástól és fejlesztéstől a nagyüzemi gyártásig.
2. A pontos átmérőtűrések biztosítják a tételek konzisztenciáját, 50,8±0,3 mm (2 hüvelykes ostyák esetén) és 76,2 ± 0,3 mm (3 hüvelykes ostyák esetén) átmérővel.
Vastagság szabályozás:
1.Az ostyák 500±5μm vastagságban kaphatók az optimális teljesítmény érdekében különféle alkalmazásokban.
2. A további méréseket, mint például a TTV (teljes vastagságváltozás), a BOW és a Warp, gondosan ellenőrzik a magas egyenletesség és minőség biztosítása érdekében.
Felületi minőség:
1. Az ostyák polírozott/maratott felülettel rendelkeznek a jobb optikai és elektromos teljesítmény érdekében.
2. Ezek a felületek ideálisak az epitaxiális növekedéshez, és sima alapot kínálnak a nagy teljesítményű eszközökben történő további feldolgozáshoz.
Epi-kész:
1. Az InSb lapkák epitaxiális lerakódási folyamatokhoz előkezeltek. Ez ideálissá teszi őket a félvezetőgyártásban való alkalmazásokhoz, ahol epitaxiális rétegeket kell növeszteni az ostya tetejére.
Alkalmazások
1. Infravörös érzékelők:Az InSb lapkákat általában infravörös (IR) érzékelésre használják, különösen a közepes hullámhosszú infravörös (MWIR) tartományban. Ezek a lapkák elengedhetetlenek az éjszakai látáshoz, a hőképalkotáshoz és az infravörös spektroszkópiai alkalmazásokhoz.
2. Nagy sebességű elektronika:Nagy elektronmobilitásuk miatt az InSb lapkákat nagy sebességű elektronikus eszközökben használják, például nagyfrekvenciás tranzisztorokban, kvantumkút-eszközökben és nagy elektronmobilitású tranzisztorokban (HEMT).
3. Kvantumkút-eszközök:A keskeny sávszélesség és a kiváló elektronmobilitás alkalmassá teszi az InSb lapkákat kvantumkút-eszközökben való használatra. Ezek az eszközök a lézerek, detektorok és más optoelektronikai rendszerek kulcselemei.
4. Spintronic eszközök:Az InSb-t spintronikai alkalmazásokban is vizsgálják, ahol az elektronspint információfeldolgozásra használják. Az anyag alacsony forgású tengelykapcsolója ideálissá teszi ezekhez a nagy teljesítményű eszközökhöz.
5.Terahertz (THz) sugárzási alkalmazások:Az InSb-alapú eszközöket THz-es sugárzási alkalmazásokban használják, beleértve a tudományos kutatást, a képalkotást és az anyagjellemzést. Olyan fejlett technológiákat tesznek lehetővé, mint a THz-es spektroszkópia és a THz-es képalkotó rendszerek.
6. Termoelektromos eszközök:Az InSb egyedülálló tulajdonságai vonzó anyaggá teszik a termoelektromos alkalmazásokhoz, ahol hatékonyan felhasználható a hő elektromos árammá történő átalakítására, különösen olyan niche alkalmazásokban, mint az űrtechnológia vagy az energiatermelés extrém környezetben.
Termékparaméterek
| Paraméter | 2 hüvelykes | 3 hüvelykes | 4 hüvelykes |
| Átmérő | 50,8±0,3 mm | 76,2±0,3 mm | - |
| Vastagság | 500±5μm | 650±5μm | - |
| Felület | Polírozott/maratott | Polírozott/maratott | Polírozott/maratott |
| Dopping típusa | Nem adalékolt, Te-adalékolt (N), Ge-adalékolt (P) | Nem adalékolt, Te-adalékolt (N), Ge-adalékolt (P) | Nem adalékolt, Te-adalékolt (N), Ge-adalékolt (P) |
| Tájolás | (100) | (100) | (100) |
| Csomag | Egyetlen | Egyetlen | Egyetlen |
| Epi-kész | Igen | Igen | Igen |
A Te Doped (N-típusú) elektromos paraméterei:
- Mobilitás: 2000-5000 cm²/V·s
- Ellenállás: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Defect Density): ≤2000 hiba/cm²
Elektromos paraméterek Ge Doped (P-típus) esetén:
- Mobilitás: 4000-8000 cm²/V·s
- Ellenállás: (0,5-5) Ω·cm
- EPD (Defect Density): ≤2000 hiba/cm²
Következtetés
Az indium-antimonid (InSb) lapkák elengedhetetlenek az elektronika, az optoelektronika és az infravörös technológiák nagy teljesítményű alkalmazások széles körében. Kiváló elektronmobilitásukkal, alacsony spin-pálya csatolásukkal és sokféle adalékolási lehetőségükkel (Te az N-típushoz, Ge a P-típushoz) az InSb lapkák ideálisak infravörös detektorok, nagysebességű tranzisztorok, kvantumkút-eszközök és spintronikus eszközök számára.
Az ostyák különféle méretekben (2 hüvelykes, 3 hüvelykes és 4 hüvelykes) kaphatók, precíz vastagságszabályozással és epi-ready felületekkel, biztosítva, hogy megfeleljenek a modern félvezetőgyártás szigorú követelményeinek. Ezek a lapkák tökéletesek olyan területeken történő alkalmazásokhoz, mint az infravörös érzékelés, a nagy sebességű elektronika és a THz-es sugárzás, lehetővé téve a fejlett technológiákat a kutatásban, az iparban és a védelemben.
Részletes diagram
