Az InGaAs epitaxiális ostya szubsztrát PD Array fotodetektor tömbök használhatók LiDAR-hoz
Az InGaAs lézeres epitaxiális lemez főbb jellemzői a következők:
1. Rácsillesztés: Jó rácsillesztés érhető el az InGaAs epitaxiális réteg és az InP vagy GaAs szubsztrát között, ezáltal csökkentve az epitaxiális réteg hibasűrűségét és javítva az eszköz teljesítményét.
2. Állítható sávrés: Az InGaAs anyag sávrését az In és Ga komponensek arányának beállításával lehet elérni, ami széleskörű alkalmazási lehetőségeket kínál az InGaAs epitaxiális lemeznek az optoelektronikai eszközökben.
3. Nagy fényérzékenység: Az InGaAs epitaxiális film nagy fényérzékenységgel rendelkezik, ami egyedi előnyökkel jár a fotoelektromos detektálás, az optikai kommunikáció és más területeken.
4. Magas hőmérsékleti stabilitás: Az InGaAs/InP epitaxiális szerkezet kiváló magas hőmérsékleti stabilitással rendelkezik, és magas hőmérsékleten is stabil eszközteljesítményt tud fenntartani.
Az InGaAs lézeres epitaxiális tabletták főbb alkalmazásai a következők:
1. Optoelektronikai eszközök: Az InGaAs epitaxiális tablettákból fotodiódákat, fotodetektorokat és más optoelektronikai eszközöket lehet gyártani, amelyek széles körben alkalmazhatók az optikai kommunikációban, az éjjellátóban és más területeken.
2. Lézerek: Az InGaAs epitaxiális lemezekből lézerek, különösen hosszú hullámhosszú lézerek is előállíthatók, amelyek fontos szerepet játszanak az optikai szálas kommunikációban, az ipari feldolgozásban és más területeken.
3. Napelemek: Az InGaAs anyag széles sávszélesség-beállítási tartománnyal rendelkezik, amely megfelel a termikus fotovoltaikus cellák által megkövetelt sávszélesség-követelményeknek, így az InGaAs epitaxiális lemez bizonyos alkalmazási lehetőségekkel rendelkezik a napelemek területén is.
4. Orvosi képalkotás: Orvosi képalkotó berendezésekben (például CT, MRI stb.) észleléshez és képalkotáshoz.
5. Szenzorhálózat: környezeti monitorozás és gázérzékelés során több paraméter is monitorozható egyszerre.
6. Ipari automatizálás: gépi látórendszerekben használják a gyártósoron lévő objektumok állapotának és minőségének monitorozására.
A jövőben az InGaAs epitaxiális szubsztrát anyagtulajdonságai folyamatosan javulni fognak, beleértve a fotoelektromos konverzió hatékonyságának javulását és a zajszint csökkentését. Ezáltal az InGaAs epitaxiális szubsztrát szélesebb körben fog elterjedni az optoelektronikai eszközökben, és a teljesítménye is kiváló lesz. Ugyanakkor az előállítási folyamatot is folyamatosan optimalizálni fogják a költségek csökkentése és a hatékonyság javítása érdekében, hogy megfeleljenek a nagyobb piac igényeinek.
Általánosságban elmondható, hogy az InGaAs epitaxiális szubsztrát fontos helyet foglal el a félvezető anyagok területén, egyedi tulajdonságaival és széleskörű alkalmazási lehetőségeivel.
Az XKH InGaAs epitaxiális lemezek testreszabását kínálja különböző szerkezetekben és vastagságokban, széles körű alkalmazási lehetőségeket lefedve optoelektronikai eszközök, lézerek és napelemek számára. Az XKH termékei fejlett MOCVD berendezésekkel készülnek a nagy teljesítmény és megbízhatóság biztosítása érdekében. Logisztika szempontjából az XKH széleskörű nemzetközi beszerzési csatornákkal rendelkezik, amelyek rugalmasan képesek kezelni a megrendelések számát, és hozzáadott értékű szolgáltatásokat, például finomítást és szegmentálást kínálnak. A hatékony szállítási folyamatok biztosítják a pontos szállítást, és megfelelnek az ügyfelek minőségi és szállítási határidőkkel kapcsolatos követelményeinek.
Részletes ábra
