InSb lapka 2 hüvelykes 3 hüvelykes adalékolatlan N típusú P típusú orientáció 111 100 infravörös detektorokhoz

Rövid leírás:

Az indium-antimonid (InSb) szeletek kulcsfontosságú anyagok az infravörös detektálási technológiákban keskeny tiltott sávjuk és nagy elektronmobilitásuk miatt. 2 hüvelykes és 3 hüvelykes átmérőben kaphatók, ezek a szeletek adalékolatlan, N-típusú és P-típusú változatokban is kaphatók. A szeletek 100 és 111 orientációval készülnek, ami rugalmasságot biztosít a különféle infravörös detektálási és félvezető alkalmazásokhoz. Az InSb szeletek nagy érzékenysége és alacsony zajszintje ideálissá teszi őket középhullámú infravörös (MWIR) detektorokban, infravörös képalkotó rendszerekben és más optoelektronikai alkalmazásokban, amelyek precíziót és nagy teljesítményű képességeket igényelnek.

Küldjön nekünk e-mailt

Jellemzők

Doppingolási lehetőségek:
1. Adalékmentes:Ezek a lapkák mentesek mindenféle adalékanyagtól, és elsősorban speciális alkalmazásokhoz, például epitaxiális növekedéshez használják őket, ahol a lapka tiszta szubsztrátként működik.
2.N-típusú (Te adalékolt):A tellúr (Te) adalékolást N-típusú ostyák előállítására használják, amelyek nagy elektronmobilitást biztosítanak, és alkalmassá teszik őket infravörös detektorokhoz, nagy sebességű elektronikához és más olyan alkalmazásokhoz, amelyek hatékony elektronáramlást igényelnek.
3.P-típus (Ge-vel adalékolt):A germánium (Ge) adalékolást P-típusú ostyák előállítására használják, ami nagy lyukmobilitást biztosít, és kiváló teljesítményt nyújt infravörös érzékelők és fotodetektorok számára.

Méretbeállítások:
1. A waferek 2 hüvelykes és 3 hüvelykes átmérőben kaphatók. Ez biztosítja a kompatibilitást a különféle félvezető-gyártási eljárásokkal és eszközökkel.
2. A 2 hüvelykes ostya átmérője 50,8 ± 0,3 mm, míg a 3 hüvelykes ostya átmérője 76,2 ± 0,3 mm.

Tájolás:
1. A lapkák 100-as és 111-es orientációval kaphatók. A 100-as orientáció ideális nagysebességű elektronikához és infravörös detektorokhoz, míg a 111-es orientációt gyakran használják olyan eszközökhöz, amelyek speciális elektromos vagy optikai tulajdonságokat igényelnek.

Felületi minőség:
1. Ezek a waferek polírozott/maratott felülettel rendelkeznek a kiváló minőség érdekében, lehetővé téve az optimális teljesítményt a precíz optikai vagy elektromos jellemzőket igénylő alkalmazásokban.
2. A felület-előkészítés alacsony hibasűrűséget biztosít, így ezek a lapkák ideálisak infravörös detektálási alkalmazásokhoz, ahol a teljesítmény állandósága kritikus fontosságú.

Epi-kész:
1. Ezek az ostyák epi-készek, így alkalmasak epitaxiális növekedést igénylő alkalmazásokhoz, ahol további anyagrétegeket raknak le az ostyára a fejlett félvezető vagy optoelektronikai eszközök gyártása érdekében.

Alkalmazások

1. Infravörös detektorok:Az InSb lapkákat széles körben használják infravörös detektorok gyártásában, különösen a középhullámú infravörös (MWIR) tartományokban. Alapvető fontosságúak éjjellátó rendszerekben, hőkamerás képalkotásban és katonai alkalmazásokban.
2. Infravörös képalkotó rendszerek:Az InSb ostyák nagy érzékenysége lehetővé teszi a precíz infravörös képalkotást számos ágazatban, beleértve a biztonságot, a megfigyelést és a tudományos kutatást.
3. Nagysebességű elektronika:Nagy elektronmobilitásuk miatt ezeket az ostyákat fejlett elektronikus eszközökben, például nagysebességű tranzisztorokban és optoelektronikai eszközökben használják.
4. Kvantumkút-eszközök:Az InSb ostyák ideálisak kvantumkút alkalmazásokhoz lézerekben, detektorokban és más optoelektronikai rendszerekben.

Termékparaméterek

Paraméter	2 hüvelykes	3 hüvelykes
Átmérő	50,8±0,3 mm	76,2±0,3 mm
Vastagság	500±5 μm	650±5 μm
Felület	Polírozott/maratott	Polírozott/maratott
Dopping típusa	Adalékolatlan, Te-adalékolt (N), Ge-adalékolt (P)	Adalékolatlan, Te-adalékolt (N), Ge-adalékolt (P)
Tájolás	100, 111	100, 111
Csomag	Egyetlen	Egyetlen
Epi-Ready	Igen	Igen

Te adalékolt (N-típusú) elektromos paraméterei:

Mobilitás: 2000-5000 cm²/V·s
Ellenállás: (1-1000) Ω·cm
EPD (hibasűrűség)≤2000 hiba/cm²

Ge-adalékolt (P-típusú) elektromos paraméterek:

Mobilitás: 4000-8000 cm²/V·s
Ellenállás: (0,5-5) Ω·cm

EPD (hibasűrűség)≤2000 hiba/cm²

Kérdések és válaszok (Gyakran Ismételt Kérdések)

1. kérdés: Mi az ideális adalékolási típus infravörös detektálási alkalmazásokhoz?

A1:Te-adalékolt (N-típusú)Az ostyák jellemzően ideális választást jelentenek infravörös detektálási alkalmazásokhoz, mivel nagy elektronmobilitást és kiváló teljesítményt nyújtanak a középhullámú infravörös (MWIR) detektorokban és képalkotó rendszerekben.

2. kérdés: Használhatom ezeket a lapkákat nagysebességű elektronikai alkalmazásokhoz?

A2: Igen, InSb szeletek, különösen azok, amelyekN-típusú doppingolásés a100-as tájolás, nagy elektronmobilitásuk miatt jól alkalmazhatók nagysebességű elektronikában, például tranzisztorokban, kvantumkút-eszközökben és optoelektronikai alkatrészekben.

3. kérdés: Mi a különbség az InSb ostyák 100-as és 111-es orientációja között?

A3: A100az orientációt általában nagy sebességű elektronikus teljesítményt igénylő eszközöknél használják, míg a111Az orientációt gyakran olyan speciális alkalmazásokhoz használják, amelyek eltérő elektromos vagy optikai jellemzőket igényelnek, beleértve bizonyos optoelektronikai eszközöket és érzékelőket.

4. kérdés: Mi az Epi-Ready funkció jelentősége az InSb waferek esetében?

A4: AEpi-ReadyA „jellemző” azt jelenti, hogy a lapkát epitaxiális leválasztási eljárásokhoz előkezelték. Ez kulcsfontosságú azoknál az alkalmazásoknál, amelyek további anyagrétegek növesztését igénylik a lapka tetején, például a fejlett félvezető vagy optoelektronikai eszközök gyártása során.

5. kérdés: Melyek az InSb ostyák tipikus alkalmazásai az infravörös technológia területén?

A5: Az InSb lapkákat elsősorban infravörös érzékelésben, hőkamerás képalkotásban, éjjellátó rendszerekben és más infravörös érzékelési technológiákban használják. Nagy érzékenységük és alacsony zajszintjük ideálissá teszi őket a következőkhöz:középhullámú infravörös (MWIR)detektorok.

6. kérdés: Hogyan befolyásolja a lapka vastagsága a teljesítményét?

A6: A lapka vastagsága kritikus szerepet játszik a mechanikai stabilitásában és elektromos jellemzőiben. A vékonyabb lapkákat gyakran használják érzékenyebb alkalmazásokban, ahol az anyagtulajdonságok pontos szabályozása szükséges, míg a vastagabb lapkák fokozott tartósságot biztosítanak bizonyos ipari alkalmazásokban.

7. kérdés: Hogyan válasszam ki a megfelelő ostyaméretet az alkalmazásomhoz?

A7: A megfelelő ostyaméret a tervezett eszköztől vagy rendszertől függ. A kisebb ostyákat (2 hüvelykes) gyakran használják kutatáshoz és kisebb léptékű alkalmazásokhoz, míg a nagyobb ostyákat (3 hüvelykes) jellemzően tömeggyártáshoz és nagyobb, több anyagot igénylő eszközökhöz.

Következtetés

InSb ostyák2 hüvelykesés3 hüvelykesméretekkel,nem kezelt, N-típusú, ésP-típusúvariációk, rendkívül értékesek a félvezető és optoelektronikai alkalmazásokban, különösen az infravörös érzékelő rendszerekben.100és111Az orientációk rugalmasságot biztosítanak a különféle technológiai igényekhez, a nagysebességű elektronikától az infravörös képalkotó rendszerekig. Kivételes elektronmobilitásuknak, alacsony zajszintjüknek és precíz felületminőségüknek köszönhetően ezek a waferek ideálisak a következőkhöz:középhullámú infravörös detektorokés más nagy teljesítményű alkalmazások.