InSb lapka 2 hüvelykes 3 hüvelykes adalékolatlan Ntype P típusú tájolás 111 100 infravörös detektorokhoz
Jellemzők
Doppingolási lehetőségek:
1.Adagolás nélkül:Ezek az ostyák nem tartalmaznak adalékanyagot, és elsősorban speciális alkalmazásokhoz, például epitaxiális növekedéshez használják, ahol az ostya tiszta szubsztrátként működik.
2.N-típus (Te adalékolt):A tellúr (Te) adalékolást N-típusú ostyák létrehozására használják, amelyek nagy elektronmobilitást kínálnak, és alkalmassá teszik őket infravörös detektorokhoz, nagy sebességű elektronikához és egyéb hatékony elektronáramlást igénylő alkalmazásokhoz.
3.P-típus (Ge Dopped):A germánium (Ge) adalékolást P-típusú lapkák készítésére használják, amelyek nagy lyukmobilitást biztosítanak, és kiváló teljesítményt nyújtanak az infravörös érzékelők és fotodetektorok számára.
Méret opciók:
1.Az ostyák 2 hüvelykes és 3 hüvelykes átmérőben kaphatók. Ez biztosítja a kompatibilitást a különböző félvezető-gyártási folyamatokkal és eszközökkel.
2. A 2 hüvelykes ostya átmérője 50,8±0,3 mm, míg a 3 hüvelykes ostya átmérője 76,2±0,3 mm.
Tájolás:
1. A lapkák 100-as és 111-es tájolással kaphatók. A 100-as tájolás ideális nagy sebességű elektronikai és infravörös detektorokhoz, míg a 111-es tájolást gyakran használják olyan eszközökhöz, amelyek speciális elektromos vagy optikai tulajdonságokat igényelnek.
Felületi minőség:
1.Ezek az ostyák polírozott/maratott felülettel rendelkeznek a kiváló minőség érdekében, lehetővé téve az optimális teljesítményt a precíz optikai vagy elektromos jellemzőket igénylő alkalmazásokban.
2. A felület előkészítése biztosítja az alacsony hibasűrűséget, így ezek a lapkák ideálisak infravörös érzékelési alkalmazásokhoz, ahol a teljesítmény konzisztenciája kritikus.
Epi-kész:
1.Ezek a lapkák epitaxiálisan használhatók, így alkalmasak epitaxiális növekedéssel járó alkalmazásokhoz, ahol további anyagrétegek kerülnek a lapkára a fejlett félvezető vagy optoelektronikai eszközök gyártásához.
Alkalmazások
1. Infravörös érzékelők:Az InSb lapkákat széles körben használják infravörös detektorok gyártásában, különösen a közepes hullámhosszú infravörös (MWIR) tartományokban. Nélkülözhetetlenek az éjjellátó rendszerekben, a hőképalkotásban és a katonai alkalmazásokban.
2. Infravörös képalkotó rendszerek:Az InSb lapkák nagy érzékenysége precíz infravörös képalkotást tesz lehetővé különböző szektorokban, beleértve a biztonságot, a felügyeletet és a tudományos kutatást.
3. Nagy sebességű elektronika:Nagy elektronmobilitásuk miatt ezeket a lapkákat olyan fejlett elektronikus eszközökben használják, mint a nagy sebességű tranzisztorok és az optoelektronikai eszközök.
4. Kvantumkút-eszközök:Az InSb lapkák ideálisak kvantumkút alkalmazásokhoz lézerekben, detektorokban és más optoelektronikai rendszerekben.
Termékparaméterek
Paraméter | 2 hüvelykes | 3 hüvelykes |
Átmérő | 50,8±0,3 mm | 76,2±0,3 mm |
Vastagság | 500±5μm | 650±5μm |
Felület | Polírozott/maratott | Polírozott/maratott |
Dopping típusa | Nem adalékolt, Te-adalékolt (N), Ge-adalékolt (P) | Nem adalékolt, Te-adalékolt (N), Ge-adalékolt (P) |
Tájolás | 100, 111 | 100, 111 |
Csomag | Egyetlen | Egyetlen |
Epi-kész | Igen | Igen |
Elektromos paraméterek a Te adalékolthoz (N-típus):
- Mobilitás: 2000-5000 cm²/V·s
- Ellenállás: (1-1000) Ω·cm
- EPD (Defect Density): ≤2000 hiba/cm²
Elektromos paraméterek Ge Doped (P-típus) esetén:
- Mobilitás: 4000-8000 cm²/V·s
- Ellenállás: (0,5-5) Ω·cm
EPD (Defect Density): ≤2000 hiba/cm²
Kérdések és válaszok (Gyakran Ismételt Kérdések)
1. kérdés: Mi az ideális adalékolási típus az infravörös érzékelési alkalmazásokhoz?
A1:Te-adalékolt (N-típusú)Az ostyák jellemzően ideális választást jelentenek infravörös érzékelési alkalmazásokhoz, mivel nagy elektronmobilitást és kiváló teljesítményt nyújtanak a közepes hullámhosszú infravörös (MWIR) detektorokban és képalkotó rendszerekben.
2. kérdés: Használhatom ezeket az ostyákat nagy sebességű elektronikus alkalmazásokhoz?
2. válasz: Igen, InSb lapkák, különösen azok, amelyekkel rendelkeznekN-típusú doppingés a100 tájolás, nagy elektronmobilitásuk miatt kiválóan alkalmasak nagy sebességű elektronikákhoz, például tranzisztorokhoz, kvantumkút-eszközökhöz és optoelektronikai alkatrészekhez.
3. kérdés: Mi a különbség az InSb lapkák 100 és 111 tájolása között?
A3: Az100a tájolást általában a nagy sebességű elektronikus teljesítményt igénylő eszközöknél használják, míg a111Az orientációt gyakran használják olyan speciális alkalmazásokhoz, amelyek eltérő elektromos vagy optikai jellemzőket igényelnek, beleértve bizonyos optoelektronikai eszközöket és érzékelőket.
4. kérdés: Mi a jelentősége az Epi-Ready funkciónak az InSb lapkák esetében?
A4: AzEpi-készA funkció azt jelenti, hogy az ostyát előkezelték az epitaxiális lerakódási folyamatokhoz. Ez döntő fontosságú az olyan alkalmazásoknál, amelyeknél további anyagrétegek növesztése szükséges a lapka tetején, például fejlett félvezető vagy optoelektronikai eszközök gyártása során.
5. kérdés: Melyek az InSb lapkák jellemző alkalmazásai az infravörös technológia területén?
5. válasz: Az InSb lapkákat elsősorban infravörös érzékelésben, hőképalkotásban, éjjellátó rendszerekben és más infravörös érzékelő technológiákban használják. Nagy érzékenységük és alacsony zajszintjük ideálissá teszi őketközepes hullámhosszú infravörös (MWIR)detektorok.
6. kérdés: Hogyan befolyásolja az ostya vastagsága a teljesítményét?
A6: Az ostya vastagsága kritikus szerepet játszik mechanikai stabilitásában és elektromos jellemzőiben. A vékonyabb lapkákat gyakran használják érzékenyebb alkalmazásokban, ahol az anyagtulajdonságok pontos szabályozására van szükség, míg a vastagabb lapkák fokozott tartósságot biztosítanak bizonyos ipari alkalmazásokhoz.
7. kérdés: Hogyan válasszam ki az alkalmazásomnak megfelelő ostyaméretet?
A7: A megfelelő lapkaméret a tervezett eszköztől vagy rendszertől függ. A kisebb szeleteket (2 hüvelykes) gyakran használják kutatáshoz és kisebb méretű alkalmazásokhoz, míg a nagyobb ostyákat (3 hüvelykes) jellemzően tömeggyártáshoz és nagyobb, több anyagot igénylő eszközöket használnak.
Következtetés
InSb lapkák be2 hüvelykesés3 hüvelykesméretek, -valadaléktalan, N-típusú, ésP-típusúvariációk nagyon értékesek a félvezető és optoelektronikai alkalmazásokban, különösen az infravörös érzékelő rendszerekben. A100és111az orientációk rugalmasságot biztosítanak a különféle technológiai igényekhez, a nagy sebességű elektronikától az infravörös képalkotó rendszerekig. Kivételes elektronmobilitásukkal, alacsony zajszintjükkel és precíz felületi minőségükkel ezek a lapkák ideálisakközéphullámú infravörös detektorokés más nagy teljesítményű alkalmazások.
Részletes diagram



