N-típusú SiC kompozit hordozók, átmérő: 6 hüvelyk, kiváló minőségű monokristályos és alacsony minőségű hordozók
N-típusú SiC kompozit hordozók közös paramétertáblázata
| 项目Tételek | 指标Specifikáció | 项目Tételek | 指标Specifikáció |
| 直径Átmérő | 150±0,2 mm | 正 面 (硅 面 ) 粗 糙 度 Homlokfelületi (Si-felületi) érdesség | Ra≤0,2 nm (5 μm * 5 μm) |
| 晶型Politípus | 4H | Szélcsorba, karcolásra, repedésre (vizuális ellenőrzés) | Egyik sem |
| 电阻率Ellenállás | 0,015-0,025 ohm · cm | 总厚度变化TTV | ≤3 μm |
| Átvivő réteg vastagsága | ≥0,4 μm | 翘曲度Warp | ≤35 μm |
| 空洞Üres | ≤5 db/lapka (2 mm>D>0,5 mm) | 总厚度Vastagság | 350±25 μm |
Az „N-típusú” megjelölés a SiC anyagokban használt adalékolás típusára utal. A félvezető fizikában a adalékolás szennyeződések szándékos bevezetését jelenti egy félvezetőbe az elektromos tulajdonságainak megváltoztatása érdekében. Az N-típusú adalékolás olyan elemeket vezet be, amelyek feleslegben lévő szabad elektronokat biztosítanak, negatív töltéshordozó-koncentrációt kölcsönözve az anyagnak.
Az N-típusú SiC kompozit szubsztrátok előnyei a következők:
1. Magas hőmérsékleti teljesítmény: A SiC magas hővezető képességgel rendelkezik, és magas hőmérsékleten is képes működni, így alkalmas nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás elektronikai alkalmazásokhoz.
2. Magas átütési feszültség: A SiC anyagok magas átütési feszültséggel rendelkeznek, ami lehetővé teszi számukra, hogy elektromos átütés nélkül ellenálljanak a nagy elektromos mezőknek.
3. Kémiai és környezeti ellenállás: A SiC kémiailag ellenálló és ellenáll a zord környezeti feltételeknek, így alkalmassá teszi kihívást jelentő alkalmazásokban való használatra.
4. Csökkentett teljesítményveszteség: A hagyományos szilíciumalapú anyagokhoz képest a SiC-szubsztrátok hatékonyabb teljesítményátalakítást tesznek lehetővé és csökkentik az elektronikus eszközök teljesítményveszteségét.
5. Széles tiltott sáv: A SiC széles tiltott sávval rendelkezik, ami lehetővé teszi olyan elektronikus eszközök fejlesztését, amelyek magasabb hőmérsékleten és nagyobb teljesítménysűrűségen működhetnek.
Összességében az N-típusú SiC kompozit szubsztrátok jelentős előnyöket kínálnak nagy teljesítményű elektronikus eszközök fejlesztéséhez, különösen olyan alkalmazásokban, ahol a magas hőmérsékletű működés, a nagy teljesítménysűrűség és a hatékony teljesítményátalakítás kritikus fontosságú.