N-típusú SiC kompozit szubsztrátumok Dia6 hüvelykes Kiváló minőségű monokristályos és alacsony minőségű hordozó

Az „N-típusú” megjelölés a SiC anyagokban használt adalékolás típusára utal. A félvezető fizikában az adalékolás magában foglalja a szennyeződések szándékos bejuttatását a félvezetőkbe, hogy megváltoztassák annak elektromos tulajdonságait. Az N-típusú adalékolás olyan elemeket vezet be, amelyek feleslegben biztosítják a szabad elektronokat, így az anyag negatív töltéshordozó-koncentrációt ad.

Az N-típusú SiC kompozit hordozók előnyei a következők:

1. Magas hőmérsékletű teljesítmény: A SiC magas hővezető képességgel rendelkezik, és magas hőmérsékleten is működhet, így alkalmas nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás elektronikus alkalmazásokhoz.

2. Nagy áttörési feszültség: A SiC anyagok nagy áttörési feszültséggel rendelkeznek, ami lehetővé teszi, hogy elektromos meghibásodás nélkül ellenálljanak a nagy elektromos mezőknek.

3. Kémiai és környezeti ellenállás: A SiC kémiailag ellenálló és ellenáll a zord környezeti feltételeknek, így alkalmas kihívást jelentő alkalmazásokban való használatra.

4. Csökkentett teljesítményveszteség: A hagyományos szilícium alapú anyagokhoz képest a SiC szubsztrátok hatékonyabb áramátalakítást tesznek lehetővé, és csökkentik az elektromos eszközök teljesítményveszteségét.

5. Széles sávszélesség: A SiC széles sávszélességgel rendelkezik, ami lehetővé teszi olyan elektronikus eszközök kifejlesztését, amelyek magasabb hőmérsékleten és nagyobb teljesítménysűrűség mellett is működnek.

Összességében az N-típusú SiC kompozit szubsztrátumok jelentős előnyöket kínálnak a nagy teljesítményű elektronikai eszközök fejlesztéséhez, különösen olyan alkalmazásokban, ahol a magas hőmérsékletű működés, a nagy teljesítménysűrűség és a hatékony energiaátalakítás kritikus fontosságú.