p-típusú 4H/6H-P 3C-N TÍPUSÚ SIC hordozó 4 hüvelykes 〈111〉± 0,5°Nulla MPD

Rövid leírás:

A P-típusú 4H/6H-P 3C-N típusú SiC szubsztrát, 4 hüvelykes, 〈111〉± 0,5°-os orientációval és nulla MPD (mikrocsőhiba) minőséggel, egy nagy teljesítményű félvezető anyag, amelyet fejlett elektronikus eszközök gyártásához terveztek. Kiváló hővezető képességéről, magas átütési feszültségéről, valamint magas hőmérséklettel és korrózióval szembeni erős ellenállásáról ismert, ez a szubsztrát ideális teljesítményelektronikai és rádiófrekvenciás alkalmazásokhoz. A nulla MPD minőség minimális hibákat garantál, biztosítva a megbízhatóságot és a stabilitást a nagy teljesítményű eszközökben. Pontos 〈111〉± 0,5°-os orientációja lehetővé teszi a pontos beállítást a gyártás során, így alkalmassá teszi nagyméretű gyártási folyamatokhoz. Ezt a szubsztrátot széles körben használják magas hőmérsékletű, nagyfeszültségű és nagyfrekvenciás elektronikus eszközökben, például teljesítményátalakítókban, inverterekben és rádiófrekvenciás alkatrészekben.

Küldjön nekünk e-mailt

Termék részletei

Termékcímkék

4H/6H-P típusú SiC kompozit hordozók közös paramétertáblázata

4 hüvelyk átmérőjű szilíciumKeményfém (SiC) hordozó Specifikáció

Fokozat			Nulla MPD termelés Fokozat (Z Fokozat)	Standard gyártás Fokozat (P Fokozat)	Dummy fokozat (D Fokozat)
Átmérő			99,5 mm~100,0 mm
Vastagság			350 μm ± 25 μm
Ostya orientáció			Tengelytől eltérve: 2,0°-4,0° [11] felé2(-)0] ± 0,5° 4H/6H eseténP, On tengely: 〈111〉± 0,5° 3C-N esetén
Mikrocső sűrűsége			0 cm⁻²
Ellenállás	p-típusú 4H/6H-P		≤0,1 Ω₀ cm		≤0,3 Ω₀ cm
	n-típusú 3C-N		≤0,8 mΩ₀ cm²		≤1 m Ω₀ cm
Elsődleges sík tájolás		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Elsődleges sík hossza			32,5 mm ± 2,0 mm
Másodlagos síkhossz			18,0 mm ± 2,0 mm
Másodlagos sík tájolás			Szilikon felülettel felfelé: 90°-kal az óramutató járásával megegyező irányban a Prime sík felülettől±5,0°
Élkizárás			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Íj/Form			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Érdesség			Lengyel Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Szélrepedések nagy intenzitású fény hatására			Egyik sem		Összesített hossz ≤ 10 mm, egyedi hossz ≤ 2 mm
Hex lemezek nagy intenzitású fény segítségével			Kumulált terület ≤0,05%		Kumulált terület ≤0,1%
Politípus területek nagy intenzitású fénnyel			Egyik sem		Kumulált terület ≤3%
Vizuális szénzárványok			Kumulált terület ≤0,05%		Összesített terület ≤3%
Szilikon felületi karcolások nagy intenzitású fény hatására			Egyik sem		Összesített hossz ≤1 × ostyaátmérő
Edge Chips High By Intensity Light			Nem megengedett ≥0,2 mm szélesség és mélység		5 megengedett, mindegyik ≤1 mm
Szilícium felületi szennyeződése nagy intenzitású sugárzással			Egyik sem
Csomagolás			Több ostyás kazetta vagy egyetlen ostyatartály

Megjegyzések:

※A hibahatárok a teljes ostyafelületre vonatkoznak, kivéve a szélek kizárási területét. # A karcolásokat csak a Si felületén kell ellenőrizni.

A P-típusú 4H/6H-P 3C-N típusú, 4 hüvelykes SiC hordozót 〈111〉± 0,5° orientációval és nulla MPD minőséggel széles körben használják nagy teljesítményű elektronikai alkalmazásokban. Kiváló hővezető képessége és magas átütési feszültsége ideálissá teszi teljesítményelektronikához, például nagyfeszültségű kapcsolókhoz, inverterekhez és teljesítményátalakítókhoz, extrém körülmények között működve. Ezenkívül a hordozó magas hőmérséklettel és korrózióval szembeni ellenállása stabil teljesítményt biztosít zord környezetben. A pontos 〈111〉± 0,5° orientáció növeli a gyártási pontosságot, így alkalmassá teszi RF eszközökhöz és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz, például radarrendszerekhez és vezeték nélküli kommunikációs berendezésekhez.

Az N-típusú SiC kompozit szubsztrátok előnyei a következők:

1. Magas hővezető képesség: Hatékony hőelvezetés, így alkalmas magas hőmérsékletű környezetekhez és nagy teljesítményű alkalmazásokhoz.
2. Nagy átütési feszültség: Megbízható teljesítményt biztosít nagyfeszültségű alkalmazásokban, például teljesítményátalakítókban és inverterekben.
3. Nulla MPD (mikrocsőhiba) fokozat: Garantálja a minimális hibákat, stabilitást és nagy megbízhatóságot biztosítva a kritikus elektronikus eszközökben.
4. Korrózióállóság: Tartós zord környezetben is, hosszú távú funkcionalitást biztosítva igényes körülmények között.
5. Precíz 〈111〉± 0,5°-os tájolás: Lehetővé teszi a pontos beállítást a gyártás során, javítva az eszköz teljesítményét nagyfrekvenciás és rádiófrekvenciás alkalmazásokban.

Összességében a P-típusú 4H/6H-P 3C-N típusú, 4 hüvelykes SiC hordozó 〈111〉± 0,5° orientációval és nulla MPD minőséggel egy nagy teljesítményű anyag, amely ideális a fejlett elektronikai alkalmazásokhoz. Kiváló hővezető képessége és magas átütési feszültsége tökéletessé teszi teljesítményelektronikához, például nagyfeszültségű kapcsolókhoz, inverterekhez és átalakítókhoz. A nulla MPD minőség minimális hibát biztosít, így megbízhatóságot és stabilitást biztosít a kritikus eszközökben. Ezenkívül a hordozó korrózió- és magas hőmérsékletállósága tartósságot biztosít zord környezetben. A pontos 〈111〉± 0,5° orientáció lehetővé teszi a pontos beállítást a gyártás során, így kiválóan alkalmas RF eszközökhöz és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz.