p-típusú 4H/6H-P 3C-N TÍPUSÚ SIC hordozó 4 hüvelyk 〈111〉± 0,5° Nulla MPD

p-típusú 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC hordozó 4 hüvelykes 〈111〉± 0,5° Nulla MPD Kiemelt kép

Rövid leírás:

A P-típusú 4H/6H-P 3C-N típusú SiC hordozó, 4 hüvelykes, 〈111〉± 0,5°-os tájolással és Zero MPD (Micro Pipe Defect) fokozattal, egy nagy teljesítményű félvezető anyag, amelyet fejlett elektronikai eszközökhöz terveztek. gyártás. Kiváló hővezető képességéről, nagy áttörési feszültségéről, valamint magas hőmérséklet- és korrózióállóságáról ismert hordozó ideális teljesítményelektronikai és RF alkalmazásokhoz. A Zero MPD minőség garantálja a minimális hibákat, biztosítva a megbízhatóságot és a stabilitást a nagy teljesítményű eszközökben. Pontos 〈111〉± 0,5°-os orientációja lehetővé teszi a pontos igazítást a gyártás során, így alkalmas nagyméretű gyártási folyamatokhoz. Ezt a hordozót széles körben használják magas hőmérsékletű, nagyfeszültségű és nagyfrekvenciás elektronikus eszközökben, például teljesítmény-átalakítókban, inverterekben és rádiófrekvenciás alkatrészekben.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

4H/6H-P típusú SiC kompozit szubsztrátumok Közös paramétertáblázat

4 hüvelyk átmérőjű szilíciumKarbid (SiC) szubsztrát Specifikáció

Fokozat			Nulla MPD gyártás évfolyam (Z Fokozat)	Standard gyártás évfolyam (P Fokozat)	Dummy Grade (D Fokozat)
Átmérő			99,5 mm ~ 100,0 mm
Vastagság			350 μm ± 25 μm
Ostya orientáció			Tengelyen kívül: 2,0°-4,0° [112(-)0] ± 0,5° 4H/6H- eseténP, On tengely: 〈111〉± 0,5° 3C-N esetén
Mikrocső sűrűsége			0 cm-2
Ellenállás	p-típusú 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	n-típusú 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Elsődleges lapos tájolás		4H/6H-P	- {1010} ± 5,0°
		3C-N	- {110} ± 5,0°
Elsődleges lapos hossz			32,5 mm ± 2,0 mm
Másodlagos lapos hossz			18,0 mm ± 2,0 mm
Másodlagos lapos tájolás			Szilícium oldallal felfelé: 90° CW. Prime lakásból±5,0°
Élek kizárása			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Íj/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Érdesség			Lengyel Ra≤1 nm
			CMP Ra<0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Szélrepedések nagy intenzitású fény hatására			Egyik sem		Összesített hossz ≤ 10 mm, egyetlen hosszúság ≤ 2 mm
Hatlapú lemezek nagy intenzitású fénnyel			Összesített terület ≤0,05%		Összesített terület ≤0,1%
Politípus területek nagy intenzitású fénnyel			Egyik sem		Összesített terület ≤3%
Vizuális szénzárványok			Összesített terület ≤0,05%		Összesített terület ≤3%
Szilikon felületi karcolások nagy intenzitású fény hatására			Egyik sem		Összesített hossz ≤1 × ostyaátmérő
Edge Chips magas intenzitású fény			Egyik sem megengedett ≥0,2 mm szélesség és mélység		5 megengedett, egyenként ≤1 mm
Nagy intenzitású szilícium felületi szennyeződés			Egyik sem
Csomagolás			Több ostya kazetta vagy egy ostya tartály

Megjegyzések:

※ A hibahatárok a teljes lapkafelületre vonatkoznak, kivéve a szélek kizárási területét. # A karcolásokat csak az Si-felületen kell ellenőrizni.

A P-típusú 4H/6H-P 3C-N típusú 4 hüvelykes SiC hordozót 〈111〉± 0,5°-os tájolással és Zero MPD fokozattal széles körben használják nagy teljesítményű elektronikai alkalmazásokban. Kiváló hővezető képessége és nagy áttörési feszültsége ideálissá teszi az extrém körülmények között működő teljesítményelektronikához, például nagyfeszültségű kapcsolókhoz, inverterekhez és teljesítmény-átalakítókhoz. Ezenkívül az aljzat magas hőmérsékletekkel és korrózióval szembeni ellenálló képessége stabil teljesítményt biztosít zord körülmények között is. A precíz 〈111〉± 0,5°-os tájolás növeli a gyártási pontosságot, így alkalmas RF eszközökhöz és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz, például radarrendszerekhez és vezeték nélküli kommunikációs berendezésekhez.

Az N-típusú SiC kompozit hordozók előnyei a következők:

1. Magas hővezetőképesség: Hatékony hőelvezetés, így alkalmas magas hőmérsékletű környezetekhez és nagy teljesítményű alkalmazásokhoz.
2. High Breakdown Voltage: Megbízható teljesítményt biztosít olyan nagyfeszültségű alkalmazásokban, mint a teljesítmény-átalakítók és inverterek.
3. Nulla MPD (Micro Pipe Defect) fokozat: Minimális hibákat garantál, stabilitást és nagy megbízhatóságot biztosít a kritikus elektronikai eszközökben.
4. Korrózióállóság: Strapabíró zord környezetben, hosszú távú működést biztosít nehéz körülmények között.
5. Pontos 〈111〉± 0,5°-os tájolás: Pontos igazítást tesz lehetővé a gyártás során, javítva az eszköz teljesítményét a nagyfrekvenciás és RF alkalmazásokban.

Összességében a P-típusú 4H/6H-P 3C-N típusú 4 hüvelykes SiC hordozó 〈111〉± 0,5°-os tájolással és Zero MPD minőséggel egy nagy teljesítményű anyag, amely ideális a fejlett elektronikai alkalmazásokhoz. Kiváló hővezető képessége és nagy áttörési feszültsége tökéletessé teszi az olyan teljesítményelektronikához, mint a nagyfeszültségű kapcsolók, inverterek és konverterek. A Zero MPD minőség minimális hibákat biztosít, megbízhatóságot és stabilitást biztosítva a kritikus eszközökben. Ezenkívül az aljzat korrózióval és magas hőmérséklettel szembeni ellenálló képessége biztosítja a tartósságot zord környezetben is. A precíz 〈111〉± 0,5°-os tájolás lehetővé teszi a pontos igazítást a gyártás során, így kiválóan alkalmas RF eszközökhöz és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz.