P-típusú SiC ostya 4H/6H-P 3C-N 6 hüvelykes vastagságú 350 μm elsődleges sík orientációval

Rövid leírás:

A P-típusú SiC szelet, a 4H/6H-P 3C-N, egy 6 hüvelykes félvezető anyag, 350 μm vastagságú és primer sík orientációjú, amelyet fejlett elektronikai alkalmazásokhoz terveztek. Magas hővezető képességéről, magas átütési feszültségéről, valamint szélsőséges hőmérsékletekkel és korrozív környezetekkel szembeni ellenállásáról ismert, ez a szelet nagy teljesítményű elektronikus eszközökhöz alkalmas. A P-típusú adalékolás lyukakat vezet be elsődleges töltéshordozóként, így ideális teljesítményelektronikai és rádiófrekvenciás alkalmazásokhoz. Robusztus szerkezete stabil teljesítményt biztosít nagyfeszültségű és nagyfrekvenciás körülmények között, így jól alkalmas teljesítményeszközökhöz, magas hőmérsékletű elektronikához és nagy hatékonyságú energiaátalakításhoz. Az elsődleges sík orientáció pontos illesztést biztosít a gyártási folyamatban, biztosítva az eszközök gyártásának következetességét.

Küldjön nekünk e-mailt

Termék részletei

Termékcímkék

Specifikáció4H/6H-P típusú SiC kompozit aljzatok Közös paramétertáblázat

6 hüvelyk átmérőjű szilícium-karbid (SiC) hordozó Specifikáció

Fokozat			Nulla MPD termelésFokozat (Z Fokozat)	Standard gyártásFokozat (P Fokozat)	Dummy fokozat (D Fokozat)
Átmérő			145,5 mm~150,0 mm
Vastagság			350 μm ± 25 μm
Ostya orientáció			-OffTengely: 2,0°-4,0° [1120] felé ± 0,5° 4H/6H-P esetén, Tengelyen: 〈111〉± 0,5° 3C-N esetén
Mikrocső sűrűsége			0 cm⁻²
Ellenállás	p-típusú 4H/6H-P		≤0,1 Ω₀ cm		≤0,3 Ω₀ cm
	n-típusú 3C-N		≤0,8 mΩ₀ cm²		≤1 m Ω₀ cm
Elsődleges sík tájolás		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Elsődleges sík hossza			32,5 mm ± 2,0 mm
Másodlagos síkhossz			18,0 mm ± 2,0 mm
Másodlagos sík tájolás			Szilikon felület felfelé: 90° óramutató járásával megegyező irányban az alaplaptól ± 5,0°
Élkizárás			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Íj/Form			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Érdesség			Lengyel Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Szélrepedések nagy intenzitású fény hatására			Egyik sem		Összesített hossz ≤ 10 mm, egyedi hossz ≤ 2 mm
Hex lemezek nagy intenzitású fény segítségével			Kumulált terület ≤0,05%		Kumulált terület ≤0,1%
Politípus területek nagy intenzitású fénnyel			Egyik sem		Kumulált terület ≤3%
Vizuális szénzárványok			Kumulált terület ≤0,05%		Összesített terület ≤3%
Szilikon felületi karcolások nagy intenzitású fény hatására			Egyik sem		Összesített hossz ≤1 × ostyaátmérő
Edge Chips High By Intensity Light			Nem megengedett ≥0,2 mm szélesség és mélység		5 megengedett, mindegyik ≤1 mm
Szilícium felületi szennyeződése nagy intenzitású sugárzással			Egyik sem
Csomagolás			Több ostyás kazetta vagy egyetlen ostyatartály

Megjegyzések:

※ A hibahatárok a teljes ostyafelületre vonatkoznak, kivéve a szélek kizárási területét. # A karcolásokat a Si felületén kell ellenőrizni.

A 6 hüvelykes méretű és 350 μm vastag P-típusú SiC szelet, a 4H/6H-P 3C-N, kulcsszerepet játszik a nagy teljesítményű teljesítményelektronikai eszközök ipari gyártásában. Kiváló hővezető képessége és magas átütési feszültsége ideálissá teszi olyan alkatrészek gyártásához, mint a teljesítménykapcsolók, diódák és tranzisztorok, amelyeket magas hőmérsékletű környezetben, például elektromos járművekben, elektromos hálózatokban és megújuló energiarendszerekben használnak. A szelet hatékony működési képessége zord körülmények között is megbízható teljesítményt biztosít a nagy teljesítménysűrűséget és energiahatékonyságot igénylő ipari alkalmazásokban. Ezenkívül elsődleges lapos orientációja segíti a pontos beállítást az eszközgyártás során, növelve a termelési hatékonyságot és a termék állandóságát.

Az N-típusú SiC kompozit szubsztrátok előnyei a következők:

Magas hővezető képességA P-típusú SiC ostyák hatékonyan vezetik el a hőt, így ideálisak magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz.
Nagy letörési feszültségKépes ellenállni a nagy feszültségeknek, biztosítva a megbízhatóságot az erősáramú elektronikában és a nagyfeszültségű eszközökben.
Ellenállás a zord környezetekkel szembenKiváló tartósság: Kiváló tartósság extrém körülmények között, például magas hőmérsékleten és korrozív környezetben.
Hatékony energiaátalakításA P-típusú adalékolás hatékony teljesítménykezelést tesz lehetővé, így a lapka alkalmas energiaátalakító rendszerekhez.
Elsődleges sík tájolásBiztosítja a precíz igazítást a gyártás során, javítva az eszköz pontosságát és konzisztenciáját.
Vékony szerkezet (350 μm)A lapka optimális vastagsága támogatja a fejlett, helyszűkében lévő elektronikus eszközökbe való integrációt.

Összességében a P-típusú SiC ostya, a 4H/6H-P 3C-N, számos előnnyel rendelkezik, amelyek kiválóan alkalmassá teszik ipari és elektronikai alkalmazásokhoz. Magas hővezető képessége és átütési feszültsége lehetővé teszi a megbízható működést magas hőmérsékletű és nagyfeszültségű környezetben, míg a zord körülményekkel szembeni ellenállása tartósságot biztosít. A P-típusú adalékolás hatékony teljesítményátalakítást tesz lehetővé, így ideális teljesítményelektronikai és energetikai rendszerek számára. Ezenkívül az ostya elsődleges sík orientációja biztosítja a precíz igazítást a gyártási folyamat során, növelve a termelés állandóságát. 350 μm vastagságának köszönhetően kiválóan alkalmas fejlett, kompakt eszközökbe való integrálásra.