P-típusú SiC ostya 4H/6H-P 3C-N 6 hüvelyk vastagság 350 μm elsődleges lapos tájolással

P-típusú SiC ostya 4H/6H-P 3C-N 6 hüvelyk vastagság 350 μm elsődleges lapos tájolású kiemelt képpel

Rövid leírás:

A P-típusú SiC lapka, 4H/6H-P 3C-N, egy 6 hüvelykes félvezető anyag, 350 μm vastagsággal és elsődleges lapos tájolással, fejlett elektronikai alkalmazásokhoz tervezték. Magas hővezető képességéről, nagy áttörési feszültségéről, valamint szélsőséges hőmérsékletekkel és korrozív környezettel szembeni ellenállásáról ismert ostya alkalmas nagy teljesítményű elektronikai eszközökhöz. A P-típusú adalékolás lyukakat vezet be elsődleges töltéshordozóként, így ideális teljesítményelektronikai és RF alkalmazásokhoz. Robusztus szerkezete stabil teljesítményt biztosít nagyfeszültségű és nagyfrekvenciás körülmények között, így kiválóan alkalmas erősáramú eszközökhöz, magas hőmérsékletű elektronikához és nagy hatásfokú energiaátalakításhoz. Az elsődleges lapos tájolás biztosítja a pontos igazítást a gyártási folyamatban, következetességet biztosítva az eszközgyártásban.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

Specifikáció4H/6H-P típusú SiC kompozit szubsztrátumok Közös paramétertáblázat

6 hüvelyk átmérőjű szilícium-karbid (SiC) szubsztrát Specifikáció

Fokozat			Nulla MPD gyártásévfolyam (Z Fokozat)	Standard gyártásévfolyam (P Fokozat)	Dummy Grade (D Fokozat)
Átmérő			145,5 mm ~ 150,0 mm
Vastagság			350 μm ± 25 μm
Ostya orientáció			-Offtengely: 2,0°-4,0° [1120] felé ± 0,5° 4H/6H-P esetén, tengelyen: 〈111〉± 0,5° 3C-N esetén
Mikrocső sűrűsége			0 cm-2
Ellenállás	p-típusú 4H/6H-P		≤0,1 Ωꞏcm		≤0,3 Ωꞏcm
	n-típusú 3C-N		≤0,8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Elsődleges lapos tájolás		4H/6H-P	-{1010} ± 5,0°
		3C-N	-{110} ± 5,0°
Elsődleges lapos hossz			32,5 mm ± 2,0 mm
Másodlagos lapos hossz			18,0 mm ± 2,0 mm
Másodlagos lapos tájolás			Szilícium oldallal felfelé: 90° CW. alaplaptól ± 5,0°
Élek kizárása			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Íj/Warp			≤2,5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Érdesség			Lengyel Ra≤1 nm
			CMP Ra<0,2 nm		Ra≤0,5 nm
Szélrepedések nagy intenzitású fény hatására			Egyik sem		Összesített hossz ≤ 10 mm, egyetlen hosszúság ≤ 2 mm
Hatlapú lemezek nagy intenzitású fénnyel			Összesített terület ≤0,05%		Összesített terület ≤0,1%
Politípus területek nagy intenzitású fénnyel			Egyik sem		Összesített terület ≤3%
Vizuális szénzárványok			Összesített terület ≤0,05%		Összesített terület ≤3%
Szilikon felületi karcolások nagy intenzitású fény hatására			Egyik sem		Összesített hossz ≤1 × ostyaátmérő
Edge Chips magas intenzitású fény			Egyik sem megengedett ≥0,2 mm szélesség és mélység		5 megengedett, egyenként ≤1 mm
Nagy intenzitású szilícium felületi szennyeződés			Egyik sem
Csomagolás			Több ostya kazetta vagy egy ostya tartály

Megjegyzések:

※ A hibahatárok az ostya teljes felületére vonatkoznak, kivéve az élzárási területet. # A karcolásokat ellenőrizni kell az Si arc o-n

A P-típusú SiC lapka, a 4H/6H-P 3C-N 6 hüvelykes méretével és 350 μm vastagságával döntő szerepet játszik a nagy teljesítményű teljesítményelektronika ipari gyártásában. Kiváló hővezető képessége és nagy áttörési feszültsége ideálissá teszi olyan alkatrészek gyártásához, mint például tápkapcsolók, diódák és tranzisztorok, amelyeket magas hőmérsékletű környezetben, például elektromos járművekben, elektromos hálózatokban és megújuló energiarendszerekben használnak. Az ostya azon képessége, hogy zord körülmények között is hatékonyan tud működni, megbízható teljesítményt biztosít a nagy teljesítménysűrűséget és energiahatékonyságot igénylő ipari alkalmazásokban. Ezenkívül elsődleges lapos tájolása segíti a pontos beállítást az eszköz gyártása során, javítva a gyártás hatékonyságát és a termék konzisztenciáját.

Az N-típusú SiC kompozit hordozók előnyei közé tartozik

Magas hővezetőképesség: A P-típusú SiC lapkák hatékonyan elvezetik a hőt, így ideálisak a magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz.
Magas áttörési feszültség: képes ellenállni a nagy feszültségeknek, biztosítva a megbízhatóságot a teljesítményelektronikában és a nagyfeszültségű eszközökben.
Ellenállás a zord környezettel szemben: Kiváló tartósság extrém körülmények között, például magas hőmérsékleten és korrozív környezetben.
Hatékony energiaátalakítás: A P-típusú adalékolás elősegíti a hatékony teljesítménykezelést, így az ostya alkalmas energiaátalakító rendszerekhez.
Elsődleges lapos tájolás: Pontos igazítást biztosít a gyártás során, javítva az eszköz pontosságát és konzisztenciáját.
Vékony szerkezet (350 μm): Az ostya optimális vastagsága támogatja a fejlett, korlátozott helyű elektronikus eszközökbe való integrálást.

Összességében a P-típusú SiC lapka, 4H/6H-P 3C-N, számos előnyt kínál, amelyek kiválóan alkalmassá teszik az ipari és elektronikai alkalmazásokhoz. Magas hővezető képessége és áttörési feszültsége megbízható működést tesz lehetővé magas hőmérsékletű és nagyfeszültségű környezetben, míg a zord körülményekkel szembeni ellenállása biztosítja a tartósságot. A P-típusú adalékolás hatékony teljesítményátalakítást tesz lehetővé, így ideális teljesítményelektronikához és energiarendszerekhez. Ezenkívül az ostya elsődleges lapos tájolása biztosítja a pontos igazítást a gyártási folyamat során, javítva a gyártás konzisztenciáját. 350 μm vastagságával kiválóan alkalmas fejlett, kompakt készülékekbe való integrálásra.