SiC kristálynövesztő kemence SiC rúdnövesztő 4 hüvelykes 6 hüvelykes 8 hüvelykes PTV Lely TSSG LPE növekedési módszer
Fő kristálynövekedési módszerek és jellemzőik
(1) Fizikai gőzátviteli módszer (PTV)
Elv: Magas hőmérsékleten a SiC nyersanyag gázfázisba szublimál, amelyet aztán az oltókristályon átkristályosítanak.
Főbb jellemzők:
Magas növekedési hőmérséklet (2000-2500°C).
Kiváló minőségű, nagy méretű 4H-SiC és 6H-SiC kristályok növesztése lehetséges.
A növekedési ütem lassú, de a kristályok minősége magas.
Alkalmazás: Főként teljesítmény félvezetőkben, rádiófrekvenciás eszközökben és más csúcskategóriás területeken használják.
(2) Lely-módszer
Elv: A kristályok SiC porok spontán szublimációjával és átkristályosodásával nőnek magas hőmérsékleten.
Főbb jellemzők:
A növekedési folyamathoz nincs szükség magokra, és a kristályok mérete kicsi.
A kristályok minősége magas, de a növekedési hatékonyság alacsony.
Alkalmas laboratóriumi kutatásra és kis tételű gyártásra.
Alkalmazás: Főként tudományos kutatásban és kis méretű SiC kristályok előállításában használják.
(3) Felső magvas oldatnövekedési módszer (TSSG)
Elv: Magas hőmérsékletű oldatban a SiC alapanyag feloldódik és kikristályosodik az oltókristályon.
Főbb jellemzők:
A növekedési hőmérséklet alacsony (1500-1800°C).
Kiváló minőségű, alacsony hibatartalmú SiC kristályok növesztése lehetséges.
A növekedési ütem lassú, de a kristályok egyenletessége jó.
Alkalmazás: Kiváló minőségű SiC kristályok előállítására alkalmas, például optoelektronikai eszközökben.
(4) Folyékony fázisú epitaxia (LPE)
Alapelv: Folyékony fémoldatban a SiC nyersanyag epitaxiális növekedése az aljzaton.
Főbb jellemzők:
A növekedési hőmérséklet alacsony (1000-1500°C).
Gyors növekedési ütem, alkalmas filmnövekedésre.
A kristály minősége magas, de a vastagsága korlátozott.
Alkalmazás: Főként SiC filmek epitaxiális növesztésére használják, például érzékelőkhöz és optoelektronikai eszközökhöz.
A szilícium-karbid kristálykemence fő alkalmazási módjai
A SiC kristálykemence a szilícium-dioxid kristályok előállításának alapvető berendezése, és főbb alkalmazási módjai a következők:
Teljesítmény félvezető eszközök gyártása: Kiváló minőségű 4H-SiC és 6H-SiC kristályok növesztésére használják, mint szubsztrátanyagokat teljesítményeszközökhöz (például MOSFET-ekhez, diódákhoz).
Alkalmazások: elektromos járművek, fotovoltaikus inverterek, ipari tápegységek stb.
RF eszközgyártás: Alacsony hibatartalmú SiC kristályok növesztésére használják RF eszközök szubsztrátjaként, hogy kielégítsék az 5G kommunikáció, a radar és a műholdas kommunikáció nagyfrekvenciás igényeit.
Optoelektronikai eszközök gyártása: Kiváló minőségű SiC kristályok növesztésére használják LED-ek, ultraibolya detektorok és lézerek szubsztrátanyagaként.
Tudományos kutatás és kis tételű gyártás: laboratóriumi kutatáshoz és új anyagok fejlesztéséhez a SiC kristálynövekedési technológia innovációjának és optimalizálásának támogatására.
Magas hőmérsékletű eszközgyártás: Magas hőmérsékletnek ellenálló SiC kristályok növesztésére használják, amelyek repülőgépipari és magas hőmérsékletű érzékelők alapanyagaként szolgálnak.
A vállalat által biztosított SiC kemenceberendezések és szolgáltatások
Az XKH SIC kristálykemencék fejlesztésére és gyártására összpontosít, és a következő szolgáltatásokat nyújtja:
Egyedi berendezések: Az XKH egyedi növekedési kemencéket kínál különféle növekedési módszerekkel, például PTV-vel és TSSG-vel, az ügyfél igényei szerint.
Műszaki támogatás: Az XKH műszaki támogatást nyújt ügyfeleinek a teljes folyamathoz, a kristálynövekedési folyamat optimalizálásától a berendezések karbantartásáig.
Képzési szolgáltatások: Az XKH üzemeltetési képzést és műszaki útmutatást nyújt az ügyfeleknek a berendezések hatékony működésének biztosítása érdekében.
Értékesítés utáni szolgáltatás: Az XKH gyors reagálású értékesítés utáni szolgáltatást és berendezésfrissítéseket nyújt az ügyfelek termelésének folytonosságának biztosítása érdekében.
A szilícium-karbid kristálynövesztő technológiának (mint például a PTV, Lely, TSSG, LPE) fontos alkalmazásai vannak az erősáramú elektronika, az RF eszközök és az optoelektronika területén. Az XKH korszerű SiC kemenceberendezéseket és teljes körű szolgáltatásokat kínál, hogy támogassa ügyfeleit a kiváló minőségű SiC kristályok nagymértékű előállításában, és elősegítse a félvezetőipar fejlődését.
Részletes ábra
