SiC hordozó Dia200mm 4H-N és HPSI szilícium-karbid

Rövid leírás:

A szilícium-karbid hordozó (SiC wafer) egy széles sávú félvezető anyag, kiváló fizikai és kémiai tulajdonságokkal, különösen kiemelkedő magas hőmérsékletű, nagyfrekvenciás, nagy teljesítményű és nagy sugárzású környezetben. A 4H-V a szilícium-karbid egyik kristályos szerkezete. Ezenkívül a SiC hordozók jó hővezető képességgel rendelkeznek, ami azt jelenti, hogy hatékonyan tudják elvezetni az eszközök által működés közben keletkező hőt, tovább növelve az eszközök megbízhatóságát és élettartamát.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

A 4H-N és a HPSI a szilícium-karbid (SiC) politípusa, amelynek kristályrácsszerkezete négy szén- és négy szilíciumatomból álló hatszögletű egységekből áll. Ez a szerkezet kiváló elektronmobilitási és letörési feszültségi jellemzőkkel ruházza fel az anyagot. Az összes SiC politípus közül a 4H-N és a HPSI széles körben használatos a teljesítményelektronika területén kiegyensúlyozott elektron- és lyukmobilitása, valamint magasabb hővezető képessége miatt.

A 8 hüvelykes SiC hordozók megjelenése jelentős előrelépést jelent a teljesítmény-félvezetőipar számára. A hagyományos szilícium alapú félvezető anyagok teljesítménye jelentősen csökken extrém körülmények között, például magas hőmérsékleten és magas feszültségben, míg a SiC hordozók megőrizhetik kiváló teljesítményüket. A kisebb hordozókhoz képest a 8 hüvelykes SiC szubsztrátumok nagyobb, egy darabból álló feldolgozási területet kínálnak, ami nagyobb gyártási hatékonyságot és alacsonyabb költségeket jelent, ami kulcsfontosságú a SiC technológia kereskedelmi forgalomba hozatali folyamatában.

A 8 hüvelykes szilícium-karbid (SiC) hordozók növekedési technológiája rendkívül nagy pontosságot és tisztaságot igényel. A szubsztrátum minősége közvetlenül befolyásolja a következő eszközök teljesítményét, ezért a gyártóknak fejlett technológiákat kell alkalmazniuk, hogy biztosítsák a hordozók kristályos tökéletességét és alacsony hibasűrűségét. Ez jellemzően összetett kémiai gőzleválasztási (CVD) folyamatokat, valamint precíz kristálynövekedési és -vágási technikákat foglal magában. A 4H-N és a HPSI SiC szubsztrátumokat különösen széles körben használják a teljesítményelektronika területén, például nagy hatásfokú áramátalakítókban, elektromos járművek vontatási invertereiben és megújuló energiarendszerekben.

4H-N 8 hüvelykes SiC hordozót, különböző minőségű szubsztrát ostyákat tudunk biztosítani. Igényeinek megfelelő testreszabást is meg tudjuk szervezni. Üdvözöljük az érdeklődést!