SiC szubsztrát Dia200mm 4H-N és HPSI szilícium-karbid

Rövid leírás:

A szilícium-karbid szubsztrát (SiC ostya) egy széles tiltott sávú félvezető anyag, kiváló fizikai és kémiai tulajdonságokkal, különösen kiemelkedően teljesít magas hőmérsékletű, nagyfrekvenciás, nagy teljesítményű és nagy sugárzású környezetben. A 4H-V a szilícium-karbid egyik kristályos szerkezete. Ezenkívül a SiC szubsztrátok jó hővezető képességgel rendelkeznek, ami azt jelenti, hogy hatékonyan képesek elvezetni az eszközök által működés közben keletkező hőt, tovább növelve az eszközök megbízhatóságát és élettartamát.


Termék részletei

Termékcímkék

A 4H-N és a HPSI a szilícium-karbid (SiC) egy politípusa, amelynek kristályrácsos szerkezete négy szén- és négy szilíciumatomból álló hatszögletű egységekből áll. Ez a szerkezet kiváló elektronmobilitással és átütési feszültség jellemzőkkel ruházza fel az anyagot. Az összes SiC politípus közül a 4H-N-t és a HPSI-t széles körben használják a teljesítményelektronika területén kiegyensúlyozott elektron- és lyukmobilitása, valamint magasabb hővezető képessége miatt.

A 8 hüvelykes SiC szubsztrátok megjelenése jelentős előrelépést jelent a teljesítmény-félvezető iparban. A hagyományos szilícium alapú félvezető anyagok teljesítménye jelentősen csökken extrém körülmények között, például magas hőmérsékleten és nagy feszültségen, míg a SiC szubsztrátok megőrzik kiváló teljesítményüket. A kisebb szubsztrátokhoz képest a 8 hüvelykes SiC szubsztrátok nagyobb, egy darabból álló feldolgozási területet kínálnak, ami nagyobb termelési hatékonyságot és alacsonyabb költségeket eredményez, ami kulcsfontosságú a SiC technológia kereskedelmi forgalomba hozatalának előmozdítása szempontjából.

A 8 hüvelykes szilícium-karbid (SiC) szubsztrátok növekedési technológiája rendkívül nagy pontosságot és tisztaságot igényel. A szubsztrátum minősége közvetlenül befolyásolja a későbbi eszközök teljesítményét, ezért a gyártóknak fejlett technológiákat kell alkalmazniuk a szubsztrátok kristályos tökéletességének és alacsony hibasűrűségének biztosítása érdekében. Ez jellemzően összetett kémiai gőzfázisú leválasztási (CVD) eljárásokat, valamint precíz kristálynövekedési és vágási technikákat foglal magában. A 4H-N és HPSI SiC szubsztrátumokat különösen széles körben használják az erőelektronika területén, például nagy hatékonyságú teljesítményátalakítókban, elektromos járművek vontatási invertereiben és megújuló energiarendszerekben.

4H-N 8 hüvelykes SiC szubsztrátot, különböző minőségű szubsztrát alapanyag ostyákat tudunk biztosítani. Igény szerint egyedi megrendeléseket is tudunk intézni. Szeretettel várjuk!

Részletes ábra

IMG_2232大-2
WechatIMG1771
WechatIMG1783

  • Előző:
  • Következő:

  • Írd ide az üzenetedet, és küldd el nekünk