6 hüvelykes N típusú szilícium-karbid SiC rúd, próbabábu/első osztályú vastagság, testreszabható

Szilícium-karbid SiC rúd 6 hüvelykes N típusú Dummy/prime minőségű vastagság testreszabható Kiemelt kép

Rövid leírás:

A szilícium-karbid (SiC) egy széles tiltott sávú félvezető anyag, amely kiváló elektromos, termikus és mechanikai tulajdonságainak köszönhetően jelentős népszerűségnek örvend számos iparágban. A 6 hüvelykes N-típusú Dummy/Prime minőségű SiC tömböt kifejezetten fejlett félvezető eszközök gyártásához tervezték, beleértve a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokat is. A testreszabható vastagsági lehetőségekkel és a pontos specifikációkkal ez a SiC tömb ideális megoldást kínál elektromos járművekben, ipari energiaellátó rendszerekben, telekommunikációban és más nagy teljesítményű szektorokban használt eszközök fejlesztéséhez. A SiC nagyfeszültségű, magas hőmérsékletű és nagyfrekvenciás körülmények közötti robusztussága hosszú élettartamú, hatékony és megbízható teljesítményt biztosít számos alkalmazásban.
A SiC rúd 6 hüvelykes méretben kapható, 150,25 mm ± 0,25 mm átmérővel és 10 mm-nél nagyobb vastagsággal, így ideális ostyaszeletelésre. Ez a termék jól definiált, 4°-os felületi orientációt kínál <11-20> ± 0,2° irányába, ami nagy pontosságot biztosít az eszközgyártás során. Ezenkívül a rúd elsődleges sík orientációja <1-100> ± 5°, ami hozzájárul az optimális kristályelrendezéshez és feldolgozási teljesítményhez.
A 0,015–0,0285 Ω·cm tartományba eső magas ellenállásnak, a <0,5-ös alacsony mikrocső-sűrűségnek és a kiváló élminőségnek köszönhetően ez a SiC tömb alkalmas olyan teljesítményeszközök gyártására, amelyek minimális hibát és nagy teljesítményt igényelnek extrém körülmények között.

Küldjön nekünk e-mailt

Termék részletei

Termékcímkék

Tulajdonságok

Minőség: Gyártási minőség (Dummy/Prime)
Méret: 6 hüvelyk átmérőjű
Átmérő: 150,25 mm ± 0,25 mm
Vastagság: >10 mm (Kérésre testreszabható vastagság is elérhető)
Felületi orientáció: 4° a <11-20> irányába ± 0,2°, ami kiváló kristályminőséget és pontos beállítást biztosít az eszközgyártás során.
Elsődleges síkbeli orientáció: <1-100> ± 5°, ami kulcsfontosságú a rúd hatékony szeletelésénél és az optimális kristálynövekedésnél.
Elsődleges sík hossza: 47,5 mm ± 1,5 mm, könnyű kezelhetőségre és precíziós vágásra tervezve.
Ellenállás: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideális nagy hatásfokú teljesítményeszközökben való alkalmazásokhoz.
Mikrocső sűrűsége: <0,5, ami minimális hibákat biztosít, amelyek befolyásolhatják a gyártott eszközök teljesítményét.
BPD (bórpótka-sűrűség): <2000, egy alacsony érték, amely magas kristálytisztaságot és alacsony hibasűrűséget jelez.
TSD (menetcsavar-diszlokációs sűrűség): <500, ami kiváló anyagintegritást biztosít a nagy teljesítményű eszközökhöz.
Politípusos területek: Nincs – a tömb mentes a politípusos hibáktól, így kiváló anyagminőséget kínál a csúcskategóriás alkalmazásokhoz.
Élbemélyedések: <3, 1 mm szélességgel és mélységgel, ami minimális felületi sérülést biztosít és megőrzi a buga épségét a hatékony ostyaszeletelés érdekében.
Élrepedések: 3, egyenként <1 mm, alacsony élsérülési gyakorisággal, ami biztonságos kezelést és további feldolgozást biztosít.
Csomagolás: Lapkaburkolat – a SiC tömb biztonságosan becsomagolva van egy lapkaburkolatba a biztonságos szállítás és kezelés érdekében.

Alkalmazások

Teljesítményelektronika:A 6 hüvelykes SiC tömböt széles körben használják olyan teljesítményelektronikai eszközök gyártásában, mint a MOSFET-ek, IGBT-k és diódák, amelyek alapvető alkatrészek az energiaátalakító rendszerekben. Ezeket az eszközöket széles körben használják elektromos járművek (EV) invertereiben, ipari motormeghajtókban, tápegységekben és energiatároló rendszerekben. A SiC nagy feszültségen, magas frekvenciákon és szélsőséges hőmérsékleten való működési képessége ideálissá teszi olyan alkalmazásokhoz, ahol a hagyományos szilícium (Si) eszközök nehezen tudnának hatékonyan működni.

Elektromos járművek (EV-k):Az elektromos járművekben a SiC-alapú alkatrészek kulcsfontosságúak az inverterek, DC-DC átalakítók és fedélzeti töltők teljesítménymoduljainak fejlesztéséhez. A SiC kiváló hővezető képessége lehetővé teszi a csökkentett hőtermelést és a jobb energiaátalakítási hatékonyságot, ami létfontosságú az elektromos járművek teljesítményének és hatótávolságának növelése szempontjából. Ezenkívül a SiC-eszközök kisebb, könnyebb és megbízhatóbb alkatrészeket tesznek lehetővé, hozzájárulva az elektromos járművek rendszereinek általános teljesítményéhez.

Megújuló energiarendszerek:A SiC tuskók alapvető fontosságúak a megújuló energiarendszerekben, például a napelemes inverterekben, szélturbinákban és energiatárolási megoldásokban használt energiaátalakító eszközök fejlesztésében. A SiC nagy energiakezelési képessége és hatékony hőkezelése lehetővé teszi a nagyobb energiaátalakítási hatékonyságot és a jobb megbízhatóságot ezekben a rendszerekben. A megújuló energiaforrásokban való felhasználása elősegíti az energia fenntarthatóságára irányuló globális erőfeszítéseket.

Távközlés:A 6 hüvelykes SiC tömb nagy teljesítményű RF (rádiófrekvenciás) alkalmazásokban használt alkatrészek gyártására is alkalmas. Ilyenek például az erősítők, oszcillátorok és szűrők, amelyeket telekommunikációs és műholdas kommunikációs rendszerekben használnak. A SiC magas frekvenciák és nagy teljesítmény kezelésére való képessége kiváló anyaggá teszi olyan telekommunikációs eszközökhöz, amelyek robusztus teljesítményt és minimális jelveszteséget igényelnek.

Repülés és védelem:A SiC magas átütési feszültsége és magas hőmérséklettel szembeni ellenállása ideálissá teszi repülőgépipari és védelmi alkalmazásokhoz. A SiC tuskókból készült alkatrészeket radarrendszerekben, műholdas kommunikációban, valamint repülőgépek és űrhajók teljesítményelektronikájában használják. A SiC alapú anyagok lehetővé teszik a repülőgépipari rendszerek számára, hogy az űrben és a nagy magasságban előforduló szélsőséges körülmények között is működjenek.

Ipari automatizálás:Az ipari automatizálásban a SiC alkatrészeket érzékelőkben, aktuátorokban és vezérlőrendszerekben használják, amelyeknek zord környezetben kell működniük. A SiC alapú eszközöket olyan gépekben alkalmazzák, amelyek hatékony, tartós, magas hőmérsékletnek és elektromos igénybevételnek ellenálló alkatrészeket igényelnek.

Termékspecifikációs táblázat

Ingatlan	Specifikáció
Fokozat	Gyártás (Dummy/Prime)
Méret	6 hüvelykes
Átmérő	150,25 mm ± 0,25 mm
Vastagság	>10 mm (Testreszabható)
Felületi orientáció	4° <11-20> felé ± 0,2°
Elsődleges sík tájolás	<1-100> ± 5°
Elsődleges sík hossza	47,5 mm ± 1,5 mm
Ellenállás	0,015–0,0285 Ω·cm
Mikrocső sűrűsége	<0,5
Bórpótképződési sűrűség (BPD)	<2000
Menetcsavar diszlokációs sűrűsége (TSD)	<500
Politípus területek	Egyik sem
Él behúzások	<3, 1 mm szélesség és mélység
Élrepedések	3, <1 mm/db
Csomagolás	Ostyaház

Következtetés

A 6 hüvelykes SiC tömb – N-típusú Dummy/Prime minőségű, prémium minőségű anyag, amely megfelel a félvezetőipar szigorú követelményeinek. Magas hővezető képessége, kivételes ellenállása és alacsony hibasűrűsége kiváló választássá teszi fejlett teljesítményelektronikai eszközök, autóipari alkatrészek, telekommunikációs rendszerek és megújuló energiarendszerek gyártásához. A testreszabható vastagság és a pontossági specifikációk biztosítják, hogy ez a SiC tömb széles körű alkalmazásokhoz igazítható legyen, biztosítva a nagy teljesítményt és megbízhatóságot igénylő környezetben. További információkért vagy megrendeléshez kérjük, vegye fel a kapcsolatot értékesítési csapatunkkal.