Szilícium-karbid szilícium-karbid tömb 6 hüvelykes N típusú ál/első osztályú vastagság testreszabható

Rövid leírás:

A szilícium-karbid (SiC) egy széles sávú félvezető anyag, amely kiemelkedő elektromos, termikus és mechanikai tulajdonságainak köszönhetően számos iparágban jelentős vonzerőre tesz szert. A 6 hüvelykes N-típusú Dummy/Prime minőségű SiC öntvényt kifejezetten fejlett félvezető eszközök gyártására tervezték, beleértve a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás alkalmazásokat. A testre szabható vastagsági opciókkal és a pontos specifikációkkal ez a SiC tuskó ideális megoldást kínál elektromos járművekben, ipari energiarendszerekben, távközlésben és más nagy teljesítményű ágazatokban használt eszközök fejlesztésére. A SiC robusztussága nagyfeszültségű, magas hőmérsékletű és nagyfrekvenciás körülmények között biztosítja a hosszan tartó, hatékony és megbízható teljesítményt számos alkalmazásban.
A SiC rúd 6 hüvelykes méretben kapható, 150,25 mm ± 0,25 mm átmérővel és 10 mm-nél nagyobb vastagsággal, így ideális ostyaszeletelésre. Ez a termék jól meghatározott, 4°-os felületi tájolást kínál <11-20> ± 0,2° felé, ami nagy pontosságot biztosít az eszközgyártás során. Ezen túlmenően a tuskó elsődleges sík tájolása <1-100> ± 5°, ami hozzájárul az optimális kristályigazításhoz és a feldolgozási teljesítményhez.
A 0,015–0,0285 Ω·cm tartományba eső nagy ellenállású, <0,5-nél kisebb mikrocsősűrűségével és kiváló élminőségével ez a SiC öntvény alkalmas olyan erősáramú eszközök gyártására, amelyek minimális hibákat és nagy teljesítményt igényelnek extrém körülmények között.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

Tulajdonságok

Besorolás: Gyártási fokozat (Dummy/Prime)
Mérete: 6 hüvelyk átmérőjű
Átmérő: 150,25 mm ± 0,25 mm
Vastagság: >10mm (Testreszabható vastagság kérésre)
Felületi tájolás: 4° <11-20> ± 0,2° felé, ami kiváló kristályminőséget és pontos beállítást biztosít az eszközgyártáshoz.
Elsődleges lapos tájolás: <1-100> ± 5°, amely kulcsfontosságú a tuskó hatékony szeletekre való vágásához és az optimális kristálynövekedéshez.
Elsődleges lapos hossz: 47,5 mm ± 1,5 mm, könnyű kezelésre és precíziós vágásra tervezték.
Ellenállás: 0,015–0,0285 Ω·cm, ideális nagy hatásfokú áramforrásokhoz.
Mikrocső sűrűség: <0,5, minimális hibákat biztosítva, amelyek befolyásolhatják a gyártott eszközök teljesítményét.
BPD (Boron Pitting Density): <2000, alacsony érték, amely magas kristálytisztaságot és alacsony hibasűrűséget jelez.
TSD (Threading Screw Dislocation Density): <500, kiváló anyagintegritást biztosít a nagy teljesítményű eszközök számára.
Politípus területek: Nincs – a tuskó mentes a politípus hibáktól, így kiváló anyagminőséget kínál a csúcskategóriás alkalmazásokhoz.
Élmélyedések: <3, 1 mm szélességgel és mélységgel, minimális felületi sérülést biztosítva, és megőrzi a tuskó integritását a hatékony ostyaszeletelés érdekében.
Élrepedések: 3, egyenként <1 mm, alacsony élsérülések előfordulásával, biztonságos kezelést és további feldolgozást biztosítva.
Csomagolás: Ostya tok – a SiC tuskó biztonságosan van csomagolva egy ostya tokba a biztonságos szállítás és kezelés érdekében.

Alkalmazások

Teljesítmény elektronika:A 6 hüvelykes SiC öntvényt széles körben használják teljesítményelektronikai eszközök, például MOSFET-ek, IGBT-k és diódák gyártásában, amelyek az energiaátalakító rendszerek alapvető összetevői. Ezeket az eszközöket széles körben használják elektromos járművek (EV) invertereiben, ipari motoros meghajtókban, tápegységekben és energiatároló rendszerekben. A SiC azon képessége, hogy magas feszültségen, magas frekvencián és szélsőséges hőmérsékleten tud működni, ideálissá teszi olyan alkalmazásokhoz, ahol a hagyományos szilícium (Si) eszközök nehezen működnének hatékonyan.

Elektromos járművek (EV):Az elektromos járművekben a SiC-alapú alkatrészek kulcsfontosságúak az inverterek, DC-DC átalakítók és fedélzeti töltők teljesítménymoduljainak fejlesztéséhez. A SiC kiváló hővezető képessége csökkenti a hőtermelést és az energiaátalakítás jobb hatékonyságát, ami létfontosságú az elektromos járművek teljesítményének és hatótávolságának növeléséhez. Ezenkívül a SiC eszközök kisebb, könnyebb és megbízhatóbb alkatrészeket tesznek lehetővé, hozzájárulva az elektromos járművek rendszereinek általános teljesítményéhez.

Megújuló energiarendszerek:A SiC öntvények nélkülözhetetlen anyagok a megújuló energiarendszerekben használt energiaátalakító eszközök fejlesztésében, ideértve a szoláris invertereket, szélturbinákat és az energiatároló megoldásokat. A SiC nagy teljesítmény-kezelési képességei és hatékony hőkezelése magasabb energiaátalakítási hatékonyságot és nagyobb megbízhatóságot tesz lehetővé ezekben a rendszerekben. Megújuló energiában való felhasználása elősegíti az energia fenntarthatóságára irányuló globális erőfeszítéseket.

Távközlés:A 6 hüvelykes SiC öntvény nagy teljesítményű RF (rádiófrekvenciás) alkalmazásokban használt alkatrészek gyártására is alkalmas. Ide tartoznak a távközlési és műholdas kommunikációs rendszerekben használt erősítők, oszcillátorok és szűrők. A SiC magas frekvenciák és nagy teljesítmény kezelésére való képessége kiváló anyaggá teszi a robusztus teljesítményt és minimális jelveszteséget igénylő távközlési eszközök számára.

Repülés és védelem:A SiC nagy áttörési feszültsége és magas hőmérsékletekkel szembeni ellenálló képessége ideálissá teszi a repülési és védelmi alkalmazásokhoz. A SiC ingotokból készült alkatrészeket radarrendszerekben, műholdas kommunikációban, valamint repülőgépek és űrhajók teljesítményelektronikájában használják. A SiC alapú anyagok lehetővé teszik a repülőgép-rendszerek számára, hogy az űrben és a nagy magasságban előforduló szélsőséges körülmények között is működjenek.

Ipari automatizálás:Az ipari automatizálásban a szilícium-karbamid alkatrészeket olyan érzékelőkben, működtetőkben és vezérlőrendszerekben használják, amelyeknek zord környezetben kell működniük. A SiC alapú eszközöket olyan gépekben alkalmazzák, amelyek hatékony, hosszú élettartamú alkatrészeket igényelnek, amelyek képesek ellenállni a magas hőmérsékletnek és az elektromos igénybevételnek.

Termékleírási táblázat

Ingatlan	Specifikáció
Fokozat	Gyártás (Dummy/Prime)
Méret	6 hüvelykes
Átmérő	150,25 mm ± 0,25 mm
Vastagság	>10mm (testreszabható)
Felületi tájolás	4° <11-20> ± 0,2° felé
Elsődleges lapos tájolás	<1-100> ± 5°
Elsődleges lapos hossz	47,5 mm ± 1,5 mm
Ellenállás	0,015–0,0285 Ω·cm
Mikrocső sűrűsége	<0,5
Boron Pitting Density (BPD)	<2000
Menetcsavar diszlokációs sűrűsége (TSD)	<500
Politípus területek	Egyik sem
Edge Behúzások	<3, 1 mm szélesség és mélység
Élrepedések	3, <1mm/db
Csomagolás	Ostya tok

Következtetés

A 6 hüvelykes SiC Ingot – N-type Dummy/Prime minőség egy prémium anyag, amely megfelel a félvezetőipar szigorú követelményeinek. Magas hővezető képessége, kivételes fajlagos ellenállása és alacsony hibasűrűsége kiváló választássá teszi fejlett teljesítményelektronikai eszközök, autóipari alkatrészek, távközlési rendszerek és megújuló energiarendszerek gyártásához. A testreszabható vastagság és precíziós specifikációk biztosítják, hogy ez a SiC tuskó az alkalmazások széles körére szabható legyen, magas teljesítményt és megbízhatóságot biztosítva igényes környezetben. További információért vagy rendelés leadásához forduljon értékesítési csapatunkhoz.