Ostya orientációs rendszer kristályorientáció mérésére

Rövid leírás:

A wafer orientációs műszer egy nagy pontosságú eszköz, amely röntgendiffrakciós elveket alkalmaz a félvezetőgyártási és anyagtudományi folyamatok optimalizálására a kristálytani orientációk meghatározásával. Fő alkotóelemei közé tartozik egy röntgenforrás (pl. Cu-Kα, 0,154 nm hullámhossz), egy precíziós goniométer (szögfelbontás ≤0,001°) és detektorok (CCD vagy szcintillációs számlálók). A minták forgatásával és a diffrakciós minták elemzésével kiszámítja a kristálytani indexeket (pl. 100, 111) és a rácstávolságot ±30 ívmásodperc pontossággal. A rendszer támogatja az automatizált műveleteket, a vákuumrögzítést és a többtengelyes forgatást, kompatibilis a 2-8 hüvelykes waferekkel a wafer élek, a referenciasíkok és az epitaxiális rétegillesztés gyors méréséhez. A főbb alkalmazások közé tartozik a forgácsolással orientált szilícium-karbid, a zafír waferek és a turbinalapátok magas hőmérsékletű teljesítményének validálása, közvetlenül javítva a chip elektromos tulajdonságait és hozamát.

Küldjön nekünk e-mailt

Jellemzők

Berendezés bemutatása

A wafer orientációs műszerek a röntgendiffrakciós (XRD) elven alapuló precíziós eszközök, amelyeket elsősorban a félvezetőgyártásban, az optikai anyagok, a kerámiák és más kristályos anyagok iparágaiban használnak.

Ezek a műszerek meghatározzák a kristályrács orientációját, és precíz vágási vagy polírozási folyamatokat irányítanak. Főbb jellemzők:

Nagy pontosságú mérések:Képes kristálytani síkok felbontására akár 0,001°-os szögfelbontással.
Nagyméretű minták kompatibilitása:Akár 450 mm átmérőjű és 30 kg súlyú ostyákat is támogat, alkalmas olyan anyagokhoz, mint a szilícium-karbid (SiC), a zafír és a szilícium (Si).
Moduláris kialakítás:A bővíthető funkciók közé tartozik a billegőgörbe-elemzés, a 3D felületi hibatérképezés és a többmintás feldolgozáshoz szükséges egymásra rakható eszközök.

Főbb műszaki paraméterek

Paraméter kategória	Tipikus értékek/konfiguráció
Röntgenforrás	Cu-Kα (0,4×1 mm fókuszpont), 30 kV gyorsítófeszültség, 0–5 mA állítható csőáram
Szögtartomány	θ: -10° és +50° között; 2θ: -10° és +100° között
Pontosság	Dőlésszög felbontása: 0,001°, felületi hibaérzékelés: ±30 ívmásodperc (lengőgörbe)
Szkennelési sebesség	Az Omega szkennelés 5 másodperc alatt befejezi a teljes rácsorientációt; a Theta szkennelés ~1 percet vesz igénybe.
Mintavételi szakasz	V-horony, pneumatikus szívás, többszögű forgatás, kompatibilis a 2–8 hüvelykes ostyákkal
Bővíthető függvények	Lengésgörbe-elemzés, 3D térképezés, rétegfelépítés, optikai hibák (karcolások, GB-k) észlelése

Működési elv

1. Röntgendiffrakciós Alapítvány

A röntgensugarak kölcsönhatásba lépnek az atommagokkal és az elektronokkal a kristályrácsban, diffrakciós mintázatokat hozva létre. Bragg törvénye (nλ = 2d sinθ) szabályozza a diffrakciós szögek (θ) és a rácstávolság (d) közötti kapcsolatot.
A detektorok rögzítik ezeket a mintázatokat, amelyeket elemeznek a kristálytani szerkezet rekonstruálásához.

2. Omega szkennelési technológia

A kristály folyamatosan forog egy rögzített tengely körül, miközben röntgensugarak világítják meg.
A detektorok több kristálytani síkon keresztül gyűjtik a diffrakciós jeleket, lehetővé téve a teljes rácsorientáció meghatározását 5 másodperc alatt.

3. Ringató görbe elemzés

Fix kristályszög változó röntgensugár beesési szögekkel a csúcsszélesség (FWHM) mérésére, a rácshibák és a feszültség felmérésére.

4. Automatizált vezérlés

A PLC és érintőképernyős interfészek lehetővé teszik az előre beállított vágási szögeket, a valós idejű visszajelzést és a vágógépekkel való integrációt a zárt hurkú vezérlés érdekében.

Előnyök és Jellemzők

1. Pontosság és hatékonyság

Szögpontosság ±0,001°, hibaészlelési felbontás <30 ívmásodperc.
Az Omega szkennelési sebessége 200-szor gyorsabb, mint a hagyományos Theta szkennelés.

2. Modularitás és skálázhatóság

Bővíthető speciális alkalmazásokhoz (pl. SiC ostyák, turbinalapátok).
Integrálható MES rendszerekkel a valós idejű termelésfelügyelet érdekében.

3. Kompatibilitás és stabilitás

Szabálytalan alakú mintákat is befogad (pl. repedt zafíröntvényeket).
A léghűtéses kialakítás csökkenti a karbantartási igényt.

4. Intelligens működés

Egy kattintásos kalibrálás és többfeladatos feldolgozás.
Automatikus kalibrálás referenciakristályokkal az emberi hiba minimalizálása érdekében.

Alkalmazások

1. Félvezetőgyártás

Szeletelválasztási orientáció: Meghatározza a Si, SiC és GaN szeletek orientációját az optimalizált vágási hatékonyság érdekében.
Hibatérképezés: Azonosítja a felületi karcolásokat vagy elmozdulásokat a forgácshozam javítása érdekében.

2. Optikai anyagok

Nemlineáris kristályok (pl. LBO, BBO) lézereszközökhöz.
Zafír ostya referencia felületjelölés LED-szubsztrátumokhoz.

3. Kerámiák és kompozitok

Magas hőmérsékletű alkalmazásokhoz elemzi a Si3N4 és ZrO2 szemcseorientációját.

4. Kutatás és minőségellenőrzés

Egyetemek/laboratóriumok új anyagok fejlesztéséhez (pl. nagy entrópiájú ötvözetek).
Ipari minőségellenőrzés a tételek konzisztenciájának biztosítása érdekében.

XKH szolgáltatásai

Az XKH átfogó életciklus-műszaki támogatást nyújt a lapka orientációs műszerekhez, beleértve a telepítést, a folyamatparaméterek optimalizálását, a billegőgörbe-elemzést és a 3D felületi hibatérképezést. Testreszabott megoldásokat (pl. öntvényrakási technológia) kínálunk a félvezető és optikai anyagok gyártási hatékonyságának több mint 30%-os növelésére. Egy elkötelezett csapat helyszíni képzést tart, míg a 24/7-es távoli támogatás és a gyors alkatrészcsere biztosítja a berendezések megbízhatóságát.

Előző: SiC kerámia tálca ostyatartóhoz, magas hőmérséklettel szemben ellenálló képességgel

Következő: Sárga zafír alapanyag laboratóriumban ékszergyártáshoz