150 mm-es 200 mm-es 6 hüvelykes 8 hüvelykes GaN szilícium Epi-rétegű ostya Gallium-nitrid epitaxiális ostya
Gyártási módszer
A gyártási folyamat során GaN rétegeket növesztenek zafír hordozóra olyan fejlett technikákkal, mint a fémorganikus kémiai gőzfázisú leválasztás (MOCVD) vagy a molekulasugaras epitaxia (MBE). A leválasztási folyamatot ellenőrzött körülmények között végzik a kiváló kristályminőség és az egyenletes film biztosítása érdekében.
6 hüvelykes GaN-On-Sapphire alkalmazások: A 6 hüvelykes zafír szubsztrát chipeket széles körben használják mikrohullámú kommunikációban, radarrendszerekben, vezeték nélküli technológiában és optoelektronikában.
Néhány gyakori alkalmazási terület a következők:
1. Rádiófrekvenciás teljesítményerősítő
2. LED világítástechnikai iparág
3. Vezeték nélküli hálózati kommunikációs berendezések
4. Elektronikus eszközök magas hőmérsékletű környezetben
5. Optoelektronikai eszközök
Termékleírás
- Méret: Az aljzat átmérője 6 hüvelyk (kb. 150 mm).
- Felületi minőség: A felület finoman polírozott a kiváló tükörminőség érdekében.
- Vastagság: A GaN réteg vastagsága az adott igényeknek megfelelően testreszabható.
- Csomagolás: Az aljzatot gondosan antisztatikus anyagokkal csomagolják, hogy elkerüljék a szállítás közbeni sérüléseket.
- Pozicionáló élek: Az aljzat speciális pozicionáló élekkel rendelkezik, amelyek megkönnyítik az igazítást és a működést az eszköz előkészítése során.
- Egyéb paraméterek: Az olyan specifikus paraméterek, mint a vékonyság, az ellenállás és a doppingkoncentráció, az ügyfél igényei szerint állíthatók be.
Kiváló anyagtulajdonságaiknak és sokrétű alkalmazási lehetőségeiknek köszönhetően a 6 hüvelykes zafír szubsztrát ostyák megbízható választást jelentenek nagy teljesítményű félvezető eszközök fejlesztéséhez különböző iparágakban.
| Hordozóanyag | 6” 1 mm-es <111> p-típusú Si | 6” 1 mm-es <111> p-típusú Si |
| Epi ThickAvg | ~5 µm | ~7 µm |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Íj | +/-45 µm | +/-45 µm |
| Reccsenés | <5 mm | <5 mm |
| Vertikális BV | >1000 V | >1400 V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT vastagátlag | 20-30 nm | 20-30 nm |
| Insitu SiN sapka | 5-60 nm | 5-60 nm |
| 2 fokos konc. | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Mobilitás | ~2000 cm2/Vs (<2%) | ~2000 cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330ohm/négyzet (<2%) | <330ohm/négyzet (<2%) |
Részletes ábra
