150 mm-es 200 mm-es 6 hüvelykes 8 hüvelykes GaN szilícium epitaxiális ostyán Gallium-nitrid epitaxiális ostya

150 mm-es 200 mm-es 6 hüvelykes 8 hüvelykes GaN szilícium Epi-réteg ostyán Gallium-nitrid epitaxiális lapka Kiemelt kép

Rövid leírás:

A 6 hüvelykes GaN Epi-layer ostya egy kiváló minőségű félvezető anyag, amely gallium-nitrid (GaN) rétegekből áll, amelyeket szilíciumhordozóra növesztenek. Az anyag kiváló elektronikus szállítási tulajdonságokkal rendelkezik, és ideális nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás félvezető eszközök gyártásához.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék részletek

Termékcímkék

Gyártási módszer

A gyártási folyamat magában foglalja a GaN rétegek zafír szubsztrátumon történő növesztését olyan fejlett technikák alkalmazásával, mint a fém-szerves kémiai gőzlerakódás (MOCVD) vagy a molekuláris nyaláb epitaxia (MBE). A leválasztási folyamatot ellenőrzött körülmények között hajtják végre a kiváló kristályminőség és az egyenletes film biztosítása érdekében.

6 hüvelykes GaN-On-Sapphire alkalmazások: A 6 hüvelykes zafír szubsztrát chipeket széles körben használják a mikrohullámú kommunikációban, radarrendszerekben, vezeték nélküli technológiában és optoelektronikában.

Néhány gyakori alkalmazás tartalmazza

1. Rf teljesítményerősítő

2. LED világítási ipar

3. Vezeték nélküli hálózati kommunikációs berendezés

4. Elektronikus eszközök magas hőmérsékletű környezetben

5. Optoelektronikai eszközök

Termékleírások

- Méret: Az aljzat átmérője 6 hüvelyk (kb. 150 mm).

- Felületi minőség: A felületet finoman polírozták a kiváló tükörminőség érdekében.

- Vastagság: A GaN réteg vastagsága egyedi igények szerint testreszabható.

- Csomagolás: Az aljzatot gondosan becsomagolják antisztatikus anyagokkal, hogy elkerüljék a szállítás közbeni sérüléseket.

- Pozícionáló élek: Az aljzat speciális pozicionáló élekkel rendelkezik, amelyek megkönnyítik a beállítást és a működést az eszköz előkészítése során.

- Egyéb paraméterek: Az olyan speciális paraméterek, mint a vékonyság, az ellenállás és az adalékolás koncentrációja az ügyfél igényei szerint beállíthatók.

Kiváló anyagtulajdonságaikkal és változatos felhasználási lehetőségeivel a 6 hüvelykes zafír hordozólapkák megbízható választást jelentenek a nagy teljesítményű félvezető eszközök fejlesztéséhez a különböző iparágakban.

Szubsztrát	6” 1mm <111> p-típusú Si	6” 1mm <111> p-típusú Si
Epi ThickAvg	~5um	~7um
Epi ThickUnif	<2%	<2%
Íj	+/-45 um	+/-45 um
Reccsenés	<5 mm	<5 mm
Függőleges BV	>1000V	>1400V
HEMT Al%	25-35%	25-35%
HEMT ThickAvg	20-30 nm	20-30 nm
Insitu SiN Cap	5-60 nm	5-60 nm
2° konc.	~10¹³cm^-2	~10¹³cm^-2
Mobilitás	~2000 cm²/Vs (<2%)	~2000 cm²/Vs (<2%)
Rsh	<330 ohm/nm (<2%)	<330 ohm/nm (<2%)