200 mm-es 8 hüvelykes GaN zafír Epi-réteg ostyahordozón

Rövid leírás:

A gyártási folyamat magában foglalja a GaN réteg epitaxiális növekedését egy Sapphire szubsztrátumon olyan fejlett technikák alkalmazásával, mint a fém-szerves kémiai gőzlerakódás (MOCVD) vagy a molekuláris nyaláb epitaxia (MBE).A leválasztás ellenőrzött körülmények között történik, hogy biztosítsák a kiváló kristályminőséget és a film egyenletességét.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék leírás

Termékcímkék

Termék bemutatása

A 8 hüvelykes GaN-on-Sapphire szubsztrát kiváló minőségű félvezető anyag, amely egy zafír hordozón növesztett gallium-nitrid (GaN) rétegből áll.Ez az anyag kiváló elektronikus szállítási tulajdonságokkal rendelkezik, és ideális nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás félvezető eszközök gyártásához.

Gyártási módszer

Alkalmazások

A 8 hüvelykes GaN-on-Sapphire szubsztrát széles körben alkalmazható különféle területeken, beleértve a mikrohullámú kommunikációt, a radarrendszereket, a vezeték nélküli technológiát és az optoelektronikát.Néhány gyakori alkalmazás a következőket tartalmazza:

1. RF teljesítményerősítők

2. LED világítási ipar

3. Vezeték nélküli hálózati kommunikációs eszközök

4. Elektronikus eszközök magas hőmérsékletű környezetekhez

5. Optoelektronikai eszközök

Termékleírás

- Méretek: Az aljzat mérete 8 hüvelyk (200 mm) átmérőjű.

- Felületi minőség: A felület nagyfokú simaságra van polírozva, és kiváló tükörszerű minőséget mutat.

- Vastagság: A GaN réteg vastagsága egyedi igények alapján testreszabható.

- Csomagolás: A hordozót gondosan antisztatikus anyagokba csomagolják, hogy elkerüljék a szállítás közbeni sérüléseket.

- Orientation Flat: A hordozónak meghatározott tájolása lapos, hogy segítse az ostya igazítását és kezelését az eszköz gyártási folyamatai során.

- Egyéb paraméterek: A vastagság, a fajlagos ellenállás és az adalékanyag-koncentráció sajátosságai a vevő igényei szerint testreszabhatók.

Kiváló anyagtulajdonságainak és sokoldalú felhasználásának köszönhetően a 8 hüvelykes GaN-on-Sapphire hordozó megbízható választás a nagy teljesítményű félvezető eszközök fejlesztéséhez a különböző iparágakban.

A GaN-On-Sapphire kivételével az erősáramú készülékek területén is kínálunk, a termékcsalád 8 hüvelykes AlGaN/GaN-on-Si epitaxiális lapkákat és 8 hüvelykes P-sapkás AlGaN/GaN-on-Si epitaxiális lemezeket tartalmaz. ostyák.Ezzel egyidejűleg megújítottuk saját fejlett 8 hüvelykes GaN epitaxiás technológiájának alkalmazását a mikrohullámú területen, és kifejlesztettünk egy 8 hüvelykes AlGaN/GAN-on-HR Si epitaxiás ostyát, amely a nagy teljesítményt nagy mérettel, alacsony költséggel ötvözi. és kompatibilis a szabványos 8 hüvelykes eszközfeldolgozással.A szilícium alapú gallium-nitrid mellett AlGaN/GaN-on-SiC epitaxiális lapkákkal is rendelkezünk, amelyek kielégítik az ügyfelek szilícium alapú gallium-nitrid epitaxiális anyagok iránti igényeit.