3 hüvelykes 76,2 mm-es 4H-félig SiC szubsztrát ostya szilícium-karbid félig szigetelő SiC ostyák

Rövid leírás:

Kiváló minőségű egykristályos SiC (szilícium-karbid) szelet az elektronikai és optoelektronikai ipar számára. A 3 hüvelykes SiC szelet egy következő generációs félvezető anyag, 3 hüvelyk átmérőjű félszigetelő szilícium-karbid szeletek. A szeleteket teljesítmény-, rádiófrekvenciás és optoelektronikai eszközök gyártására szánják.

Küldjön nekünk e-mailt

Termék részletei

Termékcímkék

Leírás

A 3 hüvelykes, 4H félig szigetelt SiC (szilícium-karbid) szubsztrát lapkák gyakran használt félvezető anyagok. A 4H tetrahexaéderes kristályszerkezetet jelöl. A félig szigeteltség azt jelenti, hogy a szubsztrát nagy ellenállási jellemzőkkel rendelkezik, és némileg izolálható az áramfolyástól.

Az ilyen szubsztrát ostyák a következő jellemzőkkel rendelkeznek: magas hővezető képesség, alacsony vezetési veszteség, kiváló magas hőmérsékleti ellenállás, valamint kiváló mechanikai és kémiai stabilitás. Mivel a szilícium-karbid széles energiaréssel rendelkezik, és képes ellenállni a magas hőmérsékleteknek és a nagy elektromos térviszonyoknak, a 4H-SiC félszigetelt ostyákat széles körben használják teljesítményelektronikában és rádiófrekvenciás (RF) eszközökben.

A 4H-SiC félig szigetelt ostyák főbb alkalmazási területei a következők:

1. Teljesítményelektronika: A 4H-SiC lapkák olyan teljesítménykapcsoló eszközök gyártására használhatók, mint a MOSFET-ek (fém-oxid félvezető térvezérlésű tranzisztorok), IGBT-k (szigetelt kapus bipoláris tranzisztorok) és Schottky-diódák. Ezek az eszközök alacsonyabb vezetési és kapcsolási veszteségekkel rendelkeznek nagyfeszültségű és magas hőmérsékletű környezetben, és nagyobb hatásfokot és megbízhatóságot kínálnak.

2. Rádiófrekvenciás (RF) eszközök: A 4H-SiC félszigetelt lapkák nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás RF teljesítményerősítők, chip ellenállások, szűrők és egyéb eszközök gyártására használhatók. A szilícium-karbid jobb nagyfrekvenciás teljesítménnyel és hőstabilitással rendelkezik a nagyobb elektrontelítési sodródási sebessége és a magasabb hővezető képessége miatt.

3. Optoelektronikai eszközök: A 4H-SiC félig szigetelt lapkák nagy teljesítményű lézerdiódák, UV-fénydetektorok és optoelektronikai integrált áramkörök gyártására használhatók.

Piaci irányt tekintve a 4H-SiC félszigetelt ostyák iránti kereslet növekszik a teljesítményelektronika, az RF és az optoelektronika növekvő területeivel együtt. Ez annak köszönhető, hogy a szilícium-karbid széles körben alkalmazható, beleértve az energiahatékonyságot, az elektromos járműveket, a megújuló energiát és a kommunikációt. A jövőben a 4H-SiC félszigetelt ostyák piaca továbbra is nagyon ígéretes, és várhatóan felváltja a hagyományos szilícium anyagokat különféle alkalmazásokban.