3 hüvelykes, 76,2 mm-es 4H-félig SiC szubsztrát lapka Szilícium-karbid félig szigetelő SiC lapkák

Rövid leírás:

Kiváló minőségű egykristályos SiC lapka (szilícium-karbid) az elektronikai és optoelektronikai ipar számára.A 3 hüvelykes SiC lapka egy következő generációs félvezető anyag, félig szigetelő, 3 hüvelykes átmérőjű szilícium-karbid lapka.A lapkák teljesítmény-, rádiófrekvenciás és optoelektronikai eszközök gyártására szolgálnak.


Termék leírás

Termékcímkék

Leírás

A 3 hüvelykes 4H félig szigetelt SiC (szilícium-karbid) szubsztrát ostyák általánosan használt félvezető anyagok.A 4H tetrahexaéderes kristályszerkezetet jelöl.A félig szigetelés azt jelenti, hogy a hordozó nagy ellenállási jellemzőkkel rendelkezik, és valamelyest elszigetelhető az áramtól.

Az ilyen szubsztrát lapkák a következő jellemzőkkel rendelkeznek: nagy hővezető képesség, alacsony vezetési veszteség, kiváló magas hőmérséklet-állóság, valamint kiváló mechanikai és kémiai stabilitás.Mivel a szilícium-karbid nagy energiarésszel rendelkezik, és ellenáll a magas hőmérsékletnek és a nagy elektromos térviszonyoknak, a 4H-SiC félszigetelt lapkákat széles körben használják a teljesítményelektronikában és a rádiófrekvenciás (RF) eszközökben.

A 4H-SiC félszigetelt lapkák főbb alkalmazásai a következők:

1-- Erőteljesítmény-elektronika: A 4H-SiC lapkák felhasználhatók teljesítménykapcsoló eszközök, például MOSFET-ek (fém-oxid félvezető térhatású tranzisztorok), IGBT-k (szigetelt kapu bipoláris tranzisztorok) és Schottky-diódák gyártására.Ezek az eszközök alacsonyabb vezetési és kapcsolási veszteséggel rendelkeznek nagyfeszültségű és magas hőmérsékletű környezetben, és nagyobb hatékonyságot és megbízhatóságot kínálnak.

2--Rádiófrekvenciás (RF) eszközök: 4H-SiC félszigetelt lapkák használhatók nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás rádiófrekvenciás teljesítményerősítők, chipellenállások, szűrők és egyéb eszközök gyártására.A szilícium-karbid jobb nagyfrekvenciás teljesítménnyel és termikus stabilitással rendelkezik a nagyobb elektrontelítési sodródási sebesség és a magasabb hővezető képesség miatt.

3--Optoelektronikai eszközök: A 4H-SiC félszigetelt lapkák nagy teljesítményű lézerdiódák, UV fénydetektorok és optoelektronikai integrált áramkörök gyártására használhatók.

A piaci irányt tekintve a 4H-SiC félszigetelt lapkák iránti kereslet a teljesítményelektronika, az RF és az optoelektronika növekvő területeivel együtt növekszik.Ez annak a ténynek köszönhető, hogy a szilícium-karbid alkalmazási köre széles körben alkalmazható, beleértve az energiahatékonyságot, az elektromos járműveket, a megújuló energiát és a kommunikációt.A jövőben a 4H-SiC félig szigetelt lapkák piaca továbbra is nagyon ígéretes marad, és várhatóan felváltja a hagyományos szilícium anyagokat a különböző alkalmazásokban.

Részletes diagram

4H-félig SiC szubsztrát lapka Szilícium-karbid félig szigetelő SiC lapkák (1)
4H-félig SiC szubsztrát lapka Szilícium-karbid félig szigetelő SiC lapkák (2)
4H-félig SiC szubsztrát lapka Szilícium-karbid félig szigetelő SiC lapkák (3)

  • Előző:
  • Következő:

  • Írja ide üzenetét és küldje el nekünk