4 hüvelykes SiC ostyák 6H félig szigetelő SiC szubsztrátumok alapozott, kutatási és ál minőségű

4 hüvelykes SiC ostyák 6H félig szigetelő SiC szubsztrátumok elsődleges, kutatási és próba minőségű Kiemelt kép

Rövid leírás:

A félig szigetelt szilícium-karbid hordozót vágással, csiszolással, polírozással, tisztítással és egyéb feldolgozási technológiával alakítják ki a félig szigetelt szilícium-karbid kristály növekedése után.Az aljzatra epitaxiaként egy réteget vagy többrétegű kristályréteget nevelnek, amely megfelel a minőségi követelményeknek, majd az áramköri kialakítás és a csomagolás kombinálásával elkészítik a mikrohullámú RF készüléket.2 hüvelykes 3 hüvelykes 4 hüvelykes 6 hüvelykes 8 hüvelykes ipari, kutatási és tesztminőségű félig szigetelt szilícium-karbid egykristály hordozóként kapható.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék leírás

Termékcímkék

Termékleírás

Fokozat			Nulla MPD gyártási fokozat (Z fokozat)			Szabványos gyártási fokozat (P fokozat)		Dummy Grade (D fokozat)
Átmérő			99,5 mm ~ 100,0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
Ostya orientáció			Tengelyen kívül: 4,0° < 1120 > ±0,5° felé 4H-N esetén, Tengelyen: <0001>±0,5° 4H-SI esetén
	4H-SI		≤ 1 cm^-2			≤5 cm^-2		≤15 cm^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·cm					≥1E5 Ω·cm
Elsődleges lapos tájolás		{10-10} ±5,0°
Elsődleges lapos hossz		32,5 mm±2,0 mm
Másodlagos lapos hossz		18,0 mm±2,0 mm
Másodlagos lapos tájolás		Szilícium oldallal felfelé: 90° CW.alaplaptól ±5,0°
Élek kizárása		3 mm
LTV/TTV/Íj/Warp		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Érdesség			C arc				fényesít		Ra≤1 nm
			Si arc	CMP	Ra≤0,2 nm					Ra≤0,5 nm
Szélrepedések nagy intenzitású fény hatására		Egyik sem						Összesített hossz ≤ 10 mm, egyszeres hossza ≤2 mm
Hatlapú lemezek nagy intenzitású fénnyel		Összesített terület ≤0,05%						Összesített terület ≤0,1%
Politípus területek nagy intenzitású fénnyel		Egyik sem						Összesített terület ≤3%
Vizuális szénzárványok		Összesített terület ≤0,05%						Összesített terület ≤3%
Szilikon felületi karcolások nagy intenzitású fény hatására		Egyik sem						Összesített hossz ≤1＊lapátmérő
Edge Chips magas intenzitású fény		Egyik sem megengedett ≥0,2 mm szélesség és mélység						5 megengedett, egyenként ≤1 mm
Nagy intenzitású szilícium felületi szennyeződés		Egyik sem
Csomagolás		Több ostya kazettás vagy egy ostya tartály