6 hüvelyk-8 hüvelykes LN-on-Si kompozit alaplap vastagsága 0,3-50 μm Si/SiC/zafír anyagok

Rövid leírás:

A 6-8 hüvelykes LN-on-Si kompozit szubsztrát egy nagy teljesítményű anyag, amely egykristályos lítium-niobát (LN) vékonyrétegeket integrál szilícium (Si) szubsztrátokkal, 0,3 μm és 50 μm közötti vastagságban. Fejlett félvezető és optoelektronikai eszközök gyártásához tervezték. Fejlett kötési vagy epitaxiális növekedési technikák alkalmazásával ez a szubsztrát biztosítja az LN vékonyréteg magas kristályminőségét, miközben kihasználja a szilícium szubsztrát nagy ostyaméretét (6-8 hüvelyk) a termelési hatékonyság és a költséghatékonyság növelése érdekében.
A hagyományos, tömbi LN-anyagokhoz képest a 6-8 hüvelykes LN-on-Si kompozit hordozó kiváló hőillesztést és mechanikai stabilitást kínál, így alkalmassá teszi nagyméretű wafer szintű feldolgozásra. Ezenkívül alternatív alapanyagok, például SiC vagy zafír is választhatók az adott alkalmazási követelményeknek való megfelelés érdekében, beleértve a nagyfrekvenciás RF eszközöket, az integrált fotonikát és a MEMS érzékelőket.

Küldjön nekünk e-mailt

Termék részletei

Termékcímkék

Műszaki paraméterek

0,3-50 μm LN/LT szigetelőkön
Felső réteg
Átmérő	6-8 hüvelyk
Tájolás	X, Z, Y-42 stb.
Anyagok	LT, LN
Vastagság	0,3-50 μm
Hordozó (testreszabott)
Anyag	Si, SiC, zafír, spinell, kvarc

Főbb jellemzők

A 6-8 hüvelykes LN-on-Si kompozit hordozót egyedi anyagtulajdonságai és hangolható paraméterei jellemzik, amelyek széles körű alkalmazhatóságot tesznek lehetővé a félvezető és optoelektronikai iparban:

1. Nagy ostyakompatibilitás: A 6-8 hüvelykes ostyaméret zökkenőmentes integrációt biztosít a meglévő félvezető gyártósorokkal (pl. CMOS folyamatok), csökkentve a gyártási költségeket és lehetővé téve a tömegtermelést.

2. Magas kristályminőség: Az optimalizált epitaxiális vagy kötési technikák alacsony hibasűrűséget biztosítanak az LN vékonyrétegben, így ideális nagy teljesítményű optikai modulátorokhoz, felületi akusztikus hullám (SAW) szűrőkhöz és más precíziós eszközökhöz.

3. Állítható vastagság (0,3–50 μm): Az ultravékony LN rétegek (<1 μm) integrált fotonikus chipekhez alkalmasak, míg a vastagabb rétegek (10–50 μm) nagy teljesítményű RF eszközöket vagy piezoelektromos érzékelőket támogatnak.

4. Többféle alapanyag közül lehet választani: A Si mellett SiC (nagy hővezető képesség) vagy zafír (nagy szigetelőképesség) is választható alapanyagként a nagyfrekvenciás, magas hőmérsékletű vagy nagy teljesítményű alkalmazások igényeinek kielégítésére.

5. Termikus és mechanikai stabilitás: A szilícium hordozó robusztus mechanikai támasztást biztosít, minimalizálja a vetemedést vagy repedést a feldolgozás során, és javítja az eszköz hozamát.

Ezek a tulajdonságok a 6-8 hüvelykes LN-on-Si kompozit hordozót előnyben részesítik az olyan élvonalbeli technológiákhoz, mint az 5G kommunikáció, a LiDAR és a kvantumoptika.

Fő alkalmazások

A 6-8 hüvelykes LN-on-Si kompozit hordozót széles körben alkalmazzák a high-tech iparágakban kivételes elektrooptikai, piezoelektromos és akusztikus tulajdonságai miatt:

1. Optikai kommunikáció és integrált fotonika: Lehetővé teszi a nagysebességű elektrooptikai modulátorok, hullámvezetők és fotonikus integrált áramkörök (PIC-ek) használatát, kielégítve az adatközpontok és a száloptikai hálózatok sávszélesség-igényét.

2.5G/6G RF eszközök: Az LN magas piezoelektromos együtthatója ideálissá teszi felületi akusztikus hullám (SAW) és tömeges akusztikus hullám (BAW) szűrőkhöz, javítva a jelfeldolgozást az 5G bázisállomásokon és mobileszközökben.

3. MEMS és érzékelők: Az LN-on-Si piezoelektromos hatása lehetővé teszi a nagy érzékenységű gyorsulásmérők, bioszenzorok és ultrahangos átalakítók használatát orvosi és ipari alkalmazásokhoz.

4. Kvantumtechnológiák: Nemlineáris optikai anyagként az LN vékonyrétegeket kvantumfényforrásokban (pl. összefonódott fotonpárokban) és integrált kvantumchipekben használják.

5. Lézerek és nemlineáris optika: Az ultravékony LN rétegek hatékony második harmonikus generáló (SHG) és optikai parametrikus oszcillációs (OPO) eszközöket tesznek lehetővé lézeres feldolgozáshoz és spektroszkópiai elemzéshez.

A szabványosított 6-8 hüvelykes LN-on-Si kompozit hordozó lehetővé teszi ezeknek az eszközöknek a nagyméretű wafergyárakban történő gyártását, ami jelentősen csökkenti a gyártási költségeket.

Testreszabás és szolgáltatások

Átfogó műszaki támogatást és testreszabási szolgáltatásokat nyújtunk a 6-8 hüvelykes LN-on-Si kompozit hordozókhoz, hogy megfeleljünk a változatos K+F és gyártási igényeknek:

1. Egyedi gyártás: Az LN film vastagsága (0,3–50 μm), a kristály orientációja (X-vágás/Y-vágás) és az aljzat anyaga (Si/SiC/zafír) testreszabható az eszköz teljesítményének optimalizálása érdekében.

2. Ostya szintű feldolgozás: 6 és 8 hüvelykes ostyák nagy tételben történő szállítása, beleértve a háttérszolgáltatásokat, mint például a darabolás, polírozás és bevonatolás, biztosítva, hogy az aljzatok készen álljanak az eszközintegrációra.

3. Műszaki tanácsadás és tesztelés: Anyagjellemzés (pl. XRD, AFM), elektrooptikai teljesítményvizsgálat és eszközszimulációs támogatás a tervvalidáció felgyorsítása érdekében.

Küldetésünk, hogy a 6-8 hüvelykes LN-on-Si kompozit hordozót optoelektronikai és félvezető alkalmazások maganyag-megoldásaként hozzuk létre, teljes körű támogatást nyújtva a kutatás-fejlesztéstől a tömeggyártásig.

Következtetés

A 6-8 hüvelykes LN-on-Si kompozit hordozó nagy wafer méretével, kiváló anyagminőségével és sokoldalúságával az optikai kommunikáció, az 5G RF és a kvantumtechnológiák fejlődésének motorja. Akár nagy volumenű gyártásról, akár egyedi megoldásokról van szó, megbízható hordozókat és kiegészítő szolgáltatásokat kínálunk a technológiai innováció elősegítése érdekében.