8 hüvelykes 200 mm-es szilícium-karbid SiC lapkák 4H-N típusú Gyártási fokozat 500um vastagság

8 hüvelykes 200 mm-es szilícium-karbid szilícium-karbid lapkák 4H-N típusú Gyártási fokozat 500 um vastagság Kiemelt kép

Rövid leírás:

Shanghai Xinkehui Tech.Co., Ltd. kínálja a legjobb választékot és árakat kiváló minőségű szilícium-karbid lapkákhoz és hordozókhoz 8 hüvelyk átmérőig, N- és félszigetelő típusokkal.Kis és nagy félvezető eszközöket gyártó cégek és kutatólaboratóriumok világszerte használják szilikon-karbid lapkáinkat, és támaszkodnak rájuk.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék leírás

Termékcímkék

200 mm-es 8 hüvelykes SiC szubsztrát specifikáció

Méret: 8 hüvelyk;

Átmérő: 200mm±0,2;

Vastagság: 500um±25;

Felületi tájolás: 4 [11-20]±0,5° felé;

Bevágás iránya: [1-100]±1°；

Vágásmélység: 1±0,25 mm；

Mikrocső: <1cm2;

Hatlapú lemezek: Nem engedélyezett;

Ellenállás: 0,015~0,028Ω;

EPD:<8000cm2;

TED: <6000 cm2

BPD: <2000 cm2

TSD: <1000cm2

SF: terület <1%

TTV≤15um；

Warp≤40um；

Bow≤25um；

Politerületek: ≤5%;

Karc: <5 és kumulatív hossz< 1 lapátátmérő;

Forgácsok/behúzások: Egyik sem megengedett D>0,5 mm szélesség és mélység;

Repedések: Nincsenek;

Folt: Nincs

Ostya él: Letörés;

Felületkezelés: Double Side Polish, Si Face CMP;

Csomagolás: Multi-ostya kazetta vagy egy ostya tartály;

A 200 mm-es 4H-SiC kristályok elkészítésének jelenlegi nehézségei főként

1) Kiváló minőségű 200 mm-es 4H-SiC oltókristályok előállítása;

2) Nagy méretű hőmérsékleti mező egyenetlensége és gócképződési folyamat szabályozása;

3) A szállítási hatékonyság és a gáznemű komponensek fejlődése nagyméretű kristálynövekedési rendszerekben;

4) Kristályrepedés és hibaburjánzás, amelyet a nagy méretű termikus feszültségnövekedés okoz.

A kihívások leküzdésére és a kiváló minőségű 200 mm-es SiC lapkák megoldására a következőket javasoljuk:

A 200 mm-es oltókristály-előkészítés szempontjából a megfelelő hőmérsékletű terepi áramlási mezőt és a táguló szerelvényt tanulmányozták, és úgy tervezték, hogy figyelembe vegyék a kristály minőségét és a táguló méretet;Egy 150 mm-es SiC se:d kristályból kiindulva hajtsa végre az oltókristály iterációját, hogy fokozatosan terjessze ki a SiC kristályosodását, amíg el nem éri a 200 mm-t;A többszörös kristálynövekedés és feldolgozás révén fokozatosan optimalizálja a kristály minőségét a kristálytágulási területen, és javítja a 200 mm-es magkristályok minőségét.

A 200 mm-es vezetőképes kristály- és hordozó-előkészítés tekintetében a kutatások optimalizálták a hőmérsékleti terep- és áramlási teret a nagyméretű kristálynövekedéshez, a 200 mm-es vezetőképes SiC kristálynövekedéshez és az adalékolás egyenletességének szabályozásához.A kristály durva feldolgozása és formázása után egy 8 hüvelykes elektromosan vezető 4H-SiC tömböt kaptunk, amely szabványos átmérővel rendelkezik.Vágás, csiszolás, polírozás, feldolgozás után 200 mm-es SiC ostyák előállításához, amelyek vastagsága körülbelül 525 um