GaN üvegen, 4 hüvelykes: Testreszabható üvegopciók, beleértve a JGS1, JGS2, BF33 és a hagyományos kvarcot
Jellemzők
●Széles tiltott sáv:A GaN 3,4 eV-os tiltott sávval rendelkezik, ami nagyobb hatékonyságot és tartósságot tesz lehetővé nagyfeszültségű és magas hőmérsékleti körülmények között a hagyományos félvezető anyagokhoz, például a szilíciumhoz képest.
●Testreszabható üvegfelületek:JGS1, JGS2, BF33 és közönséges kvarcüveg opciókkal kapható, hogy megfeleljen a különböző hő-, mechanikai és optikai teljesítménykövetelményeknek.
●Magas hővezető képesség:A GaN magas hővezető képessége hatékony hőelvezetést biztosít, így ezek a lapkák ideálisak nagy teljesítményű alkalmazásokhoz és nagy hőt termelő eszközökhöz.
●Magas átütési feszültség:A GaN nagyfeszültség-tartó képessége alkalmassá teszi ezeket a lapkákat teljesítménytranzisztorokhoz és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz.
● Kiváló mechanikai szilárdság:Az üvegszubsztrátok a GaN tulajdonságaival kombinálva robusztus mechanikai szilárdságot biztosítanak, növelve a lapka tartósságát igényes környezetben.
●Csökkentett gyártási költségek:A hagyományos GaN-on-Silicon vagy GaN-on-Sapphire ostyákhoz képest a GaN-on-glass költséghatékonyabb megoldást kínál a nagy teljesítményű eszközök nagyméretű gyártásához.
● Testreszabott optikai tulajdonságok:A különféle üvegopciók lehetővé teszik a lapka optikai jellemzőinek testreszabását, így alkalmassá téve az optoelektronikai és fotonikai alkalmazásokhoz.
Műszaki adatok
| Paraméter | Érték |
| Ostya mérete | 4 hüvelykes |
| Üveg hordozó opciók | JGS1, JGS2, BF33, közönséges kvarc |
| GaN rétegvastagság | 100 nm – 5000 nm (testreszabható) |
| GaN tiltott sáv | 3,4 eV (széles tiltott sáv) |
| Átütési feszültség | Akár 1200 V-ig |
| Hővezető képesség | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
| Elektronmobilitás | 2000 cm²/V·s |
| Ostya felületi érdesség | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| GaN lemez ellenállás | 437,9 Ω·cm² |
| Ellenállás | Félig szigetelő, N-típusú, P-típusú (testreszabható) |
| Optikai átvitel | >80% látható és UV hullámhosszon |
| Ostyalánc | < 25 µm (maximum) |
| Felületkezelés | SSP (egyoldalas polírozás) |
Alkalmazások
Optoelektronika:
A GaN-üveg ostyákat széles körben használjákLED-ekéslézerdiódáka GaN nagy hatásfokának és optikai teljesítményének köszönhetően. Az üvegszubsztrátok, példáulJGS1ésJGS2lehetővé teszi az optikai átlátszóság testreszabását, így ideálisak nagy teljesítményű, nagy fényerejű megjelenítéshezkék/zöld LED-ekésUV lézerek.
Fotonika:
A GaN-üveg ostyák ideálisakfotodetektorok, fotonikus integrált áramkörök (PIC-ek), ésoptikai érzékelőkKiváló fényáteresztő tulajdonságaik és nagyfrekvenciás alkalmazásokban mutatott nagy stabilitásuk alkalmassá teszi őket a következőkre:kommunikációésszenzortechnológiák.
Teljesítményelektronika:
Széles tiltott sávjuk és magas átütési feszültségük miatt a GaN-üveg ostyákat használjáknagy teljesítményű tranzisztorokésnagyfrekvenciás teljesítményátalakításA GaN nagyfeszültség-tűrő képessége és hőelvezetése tökéletessé teszi a következőkhöz:teljesítményerősítők, RF teljesítménytranzisztorok, ésteljesítményelektronikaipari és fogyasztói alkalmazásokban.
Nagyfrekvenciás alkalmazások:
A GaN-üveg ostyák kiválóan teljesítenekelektronmobilitásés nagy kapcsolási sebességgel működhetnek, így ideálisak a következőkhöz:nagyfrekvenciás teljesítményű eszközök, mikrohullámú készülékek, ésRF erősítőkEzek kulcsfontosságú összetevők a5G kommunikációs rendszerek, radarrendszerek, ésműholdas kommunikáció.
Autóipari alkalmazások:
A GaN-üveg ostyákat autóipari energiaellátó rendszerekben is használják, különösen afedélzeti töltők (OBC-k)ésDC-DC átalakítókelektromos járművekhez (EV). A lapkák magas hőmérsékletet és feszültséget is elviselnek, így elektromos járművek teljesítményelektronikájában is használhatók, nagyobb hatékonyságot és megbízhatóságot biztosítva.
Orvosi eszközök:
A GaN tulajdonságai vonzó anyaggá teszik a felhasználástorvosi képalkotásésbiomedicinális érzékelőkNagy feszültségen való működési képessége és sugárzással szembeni ellenállása ideálissá teszi a következő alkalmazásokhoz:diagnosztikai berendezésekésorvosi lézerek.
Kérdések és válaszok
1. kérdés: Miért jobb választás a GaN-on-glass a GaN-on-Silicon vagy a GaN-on-Sapphire technológiával szemben?
A1:A GaN-on-glass számos előnnyel jár, többek közöttköltséghatékonyságésjobb hőkezelésMíg a GaN-on-Silicon és a GaN-on-Sapphire kiváló teljesítményt nyújt, az üvegszubsztrátok olcsóbbak, könnyebben elérhetők és testreszabhatók optikai és mechanikai tulajdonságok tekintetében. Ezenkívül a GaN-on-glass wafers kiváló teljesítményt nyújt mindkét területen.optikaiésnagy teljesítményű elektronikus alkalmazások.
2. kérdés: Mi a különbség a JGS1, JGS2, BF33 és a hagyományos kvarcüveg opciók között?
A2:
- JGS1ésJGS2kiváló minőségű optikai üvegszubsztrátok, amelyek ismertek a következőkrőlnagy optikai átlátszóságésalacsony hőtágulás, így ideálisak fotonikus és optoelektronikai eszközökhöz.
- BF33üveg ajánlatokmagasabb törésmutatóés ideális olyan alkalmazásokhoz, amelyek fokozott optikai teljesítményt igényelnek, mint példáullézerdiódák.
- Közönséges kvarcmagashőstabilitáséssugárzással szembeni ellenállás, így alkalmassá teszi magas hőmérsékletű és zord környezeti alkalmazásokhoz.
3. kérdés: Testreszabhatom az ellenállást és a doppingolás típusát GaN-üveg ostyáknál?
A3:Igen, kínálunktestreszabható ellenállásésdopping típusok(N-típusú vagy P-típusú) GaN-üveg lapkákhoz. Ez a rugalmasság lehetővé teszi, hogy a lapkákat speciális alkalmazásokhoz, például teljesítményeszközökhöz, LED-ekhez és fotonikus rendszerekhez igazítsák.
4. kérdés: Melyek a GaN-on-glass tipikus alkalmazásai az optoelektronikában?
A4:Az optoelektronikában a GaN-üveg ostyákat általában a következőkre használják:kék és zöld LED-ek, UV lézerek, ésfotodetektorokAz üveg testreszabható optikai tulajdonságai lehetővé teszik a nagy érzékenységű eszközök használatát.fényáteresztés, így ideálisak az olyan alkalmazásokhoz, mintmegjelenítési technológiák, világítás, ésoptikai kommunikációs rendszerek.
5. kérdés: Hogyan teljesít a GaN-on-glass nagyfrekvenciás alkalmazásokban?
A5:GaN-üveg ostyák kínálnakkiváló elektronmobilitás, lehetővé téve számukra, hogy jól teljesítseneknagyfrekvenciás alkalmazásokpéldáulRF erősítők, mikrohullámú készülékek, és5G kommunikációs rendszerekMagas átütési feszültségük és alacsony kapcsolási veszteségük alkalmassá teszi őket a következőkre:nagy teljesítményű rádiófrekvenciás eszközök.
6. kérdés: Mekkora a GaN-üveg ostyák tipikus átütési feszültsége?
A6:A GaN-üveg ostyák jellemzően akár 100%-os átütési feszültséget is elviselnek.1200 V, így alkalmasak arra,nagy teljesítményűésnagyfeszültségűalkalmazások. Széles tiltott sávjuk lehetővé teszi számukra, hogy magasabb feszültségeket kezeljenek, mint a hagyományos félvezető anyagok, például a szilícium.
7. kérdés: Használhatók-e a GaN-on-glass waferek autóipari alkalmazásokban?
A7:Igen, GaN-üveg lapkákat használnakautóipari teljesítményelektronika, beleértveDC-DC átalakítókésfedélzeti töltők(OBC-k) elektromos járművekhez. Magas hőmérsékleten való működési képességük és a nagy feszültségek kezelése ideálissá teszi őket ezekhez az igényes alkalmazásokhoz.
Következtetés
GaN üvegen 4 hüvelykes waferjeink egyedi és testreszabható megoldást kínálnak az optoelektronika, a teljesítményelektronika és a fotonika számos alkalmazásához. Az olyan üvegszubsztrát opciókkal, mint a JGS1, JGS2, BF33 és a közönséges kvarc, ezek a waferek sokoldalúságot biztosítanak mind mechanikai, mind optikai tulajdonságok tekintetében, lehetővé téve a nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás eszközökhöz való testreszabott megoldásokat. Legyen szó LED-ekről, lézerdiódákról vagy RF alkalmazásokról, a GaN üvegen waferek...
Részletes ábra
