GaN on Glass 4 hüvelykes: testreszabható üvegopciók, köztük JGS1, JGS2, BF33 és hagyományos kvarc
Jellemzők
●Széles sávszélesség:A GaN 3,4 eV-os sávszélességgel rendelkezik, amely nagyobb hatékonyságot és nagyobb tartósságot tesz lehetővé nagyfeszültségű és magas hőmérsékleti körülmények között, mint a hagyományos félvezető anyagok, például a szilícium.
● Testreszabható üvegfelületek:JGS1, JGS2, BF33 és hagyományos kvarcüveg opciókkal kapható, hogy megfeleljen a különböző termikus, mechanikai és optikai teljesítménykövetelményeknek.
● Magas hővezetőképesség:A GaN magas hővezető képessége biztosítja a hatékony hőelvezetést, így ezek a lapkák ideálisak az elektromos alkalmazásokhoz és a magas hőt termelő eszközökhöz.
●Magas áttörési feszültség:A GaN magas feszültség fenntartására való képessége alkalmassá teszi ezeket a lapkákat teljesítménytranzisztorokhoz és nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz.
●Kiváló mechanikai szilárdság:Az üveghordozók a GaN tulajdonságaival kombinálva robusztus mechanikai szilárdságot biztosítanak, növelve az ostya tartósságát igényes környezetben.
●Csökkentett gyártási költségek:A hagyományos GaN-on-Silicon vagy GaN-on-Sapphire lapkákhoz képest a GaN-on-glass költséghatékonyabb megoldás a nagy teljesítményű eszközök nagyüzemi gyártásához.
● Testreszabott optikai tulajdonságok:A különféle üvegopciók lehetővé teszik az ostya optikai jellemzőinek testreszabását, így alkalmassá teszi az optoelektronikai és fotonikai alkalmazásokhoz.
Műszaki előírások
| Paraméter | Érték |
| Ostya méret | 4 hüvelykes |
| Üveg szubsztrát opciók | JGS1, JGS2, BF33, közönséges kvarc |
| GaN rétegvastagság | 100 nm – 5000 nm (testreszabható) |
| GaN Bandgap | 3,4 eV (széles sávszélesség) |
| Áttörési feszültség | 1200V-ig |
| Hővezetőképesség | 1,3 – 2,1 W/cm·K |
| Elektronmobilitás | 2000 cm²/V·s |
| Ostya felületi érdesség | RMS ~0,25 nm (AFM) |
| GaN lapellenállás | 437,9 Ω·cm² |
| Ellenállás | Félig szigetelő, N-típusú, P-típusú (testreszabható) |
| Optikai átvitel | > 80% látható és UV hullámhossz esetén |
| Wafer Warp | < 25 µm (maximum) |
| Felületi kidolgozás | SSP (egyoldalas polírozott) |
Alkalmazások
Optoelektronika:
A GaN-on-glass ostyákat széles körben használjákLED-ekéslézer diódáka GaN nagy hatékonyságának és optikai teljesítményének köszönhetően. Az üveghordozók kiválasztásának lehetősége, mint plJGS1ésJGS2lehetővé teszi az optikai átlátszóság testreszabását, így ideálisak a nagy teljesítményű, nagy fényerősséghezkék/zöld LED-ekésUV lézerek.
Fotonika:
A GaN-on-glass ostyák ideálisakfotodetektorok, fotonikus integrált áramkörök (PIC), ésoptikai érzékelők. Kiváló fényáteresztő tulajdonságaik és nagy stabilitásuk a nagyfrekvenciás alkalmazásokban alkalmassá teszik őketkommunikációésérzékelő technológiák.
Teljesítményelektronika:
Széles sávszélességük és nagy áttörési feszültségük miatt a GaN-on-glass lapkákatnagy teljesítményű tranzisztorokésnagyfrekvenciás teljesítményátalakítás. A GaN képes kezelni a magas feszültségeket és a hőelvezetést, így tökéletesteljesítmény erősítők, RF teljesítménytranzisztorok, ésteljesítmény elektronikaipari és fogyasztói alkalmazásokban.
Nagyfrekvenciás alkalmazások:
A GaN-on-glass ostyák kiválóakelektronmobilitásés nagy kapcsolási sebességgel működhetnek, így ideálisaknagyfrekvenciás teljesítményű eszközök, mikrohullámú készülékek, ésRF erősítők. Ezek kulcsfontosságú összetevők5G kommunikációs rendszerek, radarrendszerek, ésműholdas kommunikáció.
Autóipari alkalmazások:
A GaN-on-üveg ostyákat az autók energiaellátó rendszereiben is használják, különösen azokbanbeépített töltők (OBC-k)ésDC-DC átalakítókelektromos járművekhez (EV). Az ostyák magas hőmérsékletet és feszültséget tudó képessége lehetővé teszi, hogy elektromos járművek teljesítményelektronikájában használják őket, ami nagyobb hatékonyságot és megbízhatóságot kínál.
Orvosi eszközök:
A GaN tulajdonságai vonzó anyaggá is teszik a felhasználásraorvosi képalkotásésorvosbiológiai érzékelők. Nagy feszültségen való működési képessége és sugárzással szembeni ellenállása ideálissá teszi a beltéri alkalmazásokhozdiagnosztikai berendezésekésorvosi lézerek.
Kérdések és válaszok
1. kérdés: Miért jó választás a GaN-on-glass a GaN-on-Siliconhoz vagy a GaN-on-Sapphire-hez képest?
A1:A GaN-on-glass számos előnnyel rendelkezik, többek közöttköltséghatékonyságésjobb hőkezelés. Míg a GaN-on-Silicon és a GaN-on-Sapphire kiváló teljesítményt nyújt, az üveghordozók olcsóbbak, könnyebben beszerezhetők, és optikai és mechanikai tulajdonságaik tekintetében testreszabhatók. Ezenkívül a GaN-on-glass ostyák mindkét esetben kiváló teljesítményt nyújtanakoptikaiésnagy teljesítményű elektronikus alkalmazások.
2. kérdés: Mi a különbség a JGS1, JGS2, BF33 és a hagyományos kvarcüveg opciók között?
A2:
- JGS1ésJGS2kiváló minőségű optikai üveghordozók, amelyekről ismertekmagas optikai átlátszóságésalacsony hőtágulás, így ideálisak fotonikus és optoelektronikai eszközökhöz.
- BF33üveg ajánlatokmagasabb törésmutatóés ideális a fokozott optikai teljesítményt igénylő alkalmazásokhoz, mint pllézer diódák.
- Közönséges kvarcmagastermikus stabilitáséssugárzással szembeni ellenállás, így alkalmas magas hőmérsékletű és zord környezeti alkalmazásokhoz.
3. kérdés: Testreszabhatom az ellenállást és az adalékolás típusát a GaN-on-glass lapkákhoz?
A3:Igen, kínálunktestreszabható ellenállásésdoppingtípusok(N-típusú vagy P-típusú) GaN-on-üveg ostyákhoz. Ez a rugalmasság lehetővé teszi, hogy az ostyákat speciális alkalmazásokhoz, például tápegységekhez, LED-ekhez és fotonikus rendszerekhez szabják.
4. kérdés: Melyek a GaN-on-glass tipikus alkalmazásai az optoelektronikában?
A4:Az optoelektronikában a GaN-on-glass lapkákat általában használjákkék és zöld LED-ek, UV lézerek, ésfotodetektorok. Az üveg testreszabható optikai tulajdonságai lehetővé teszik a magasfényáteresztés, így ideálisak az itthoni alkalmazásokhozmegjelenítési technológiák, világítás, ésoptikai kommunikációs rendszerek.
5. kérdés: Hogyan teljesít a GaN-on-glass a nagyfrekvenciás alkalmazásokban?
A5:GaN-on-glass ostya ajánlatkiváló elektronmobilitás, lehetővé téve számukra, hogy jól teljesítseneknagyfrekvenciás alkalmazásokmint plRF erősítők, mikrohullámú készülékek, és5G kommunikációs rendszerek. Magas áttörési feszültségük és alacsony kapcsolási veszteségük alkalmassá teszi őketnagy teljesítményű RF eszközök.
6. kérdés: Mekkora a GaN-on-üveg lapkák tipikus áttörési feszültsége?
A6:A GaN-on-üveg ostyák jellemzően legfeljebb1200V, alkalmassá téve őketnagy teljesítményűésnagyfeszültségűalkalmazások. Széles sávszélességük lehetővé teszi nagyobb feszültségek kezelését, mint a hagyományos félvezető anyagok, például a szilícium.
7. kérdés: Használhatók-e a GaN-on-glass lapkák autóipari alkalmazásokban?
A7:Igen, GaN-on-glass ostyákat használnakautóipari teljesítményelektronika, beleértveDC-DC átalakítókésfedélzeti töltők(OBC) elektromos járművekhez. A magas hőmérsékleten való működésük és a magas feszültség kezelésére való képességük ideálissá teszi ezeket az igényes alkalmazásokhoz.
Következtetés
GaN on Glass 4 hüvelykes ostyáink egyedülálló és testreszabható megoldást kínálnak az optoelektronika, a teljesítményelektronika és a fotonika számos alkalmazásához. Az olyan üveghordozó opciókkal, mint a JGS1, JGS2, BF33 és az Ordinary Quartz, ezek az ostyák mechanikai és optikai tulajdonságok terén egyaránt sokoldalúságot biztosítanak, így személyre szabott megoldásokat tesznek lehetővé nagy teljesítményű és nagyfrekvenciás eszközökhöz. Legyen szó LED-ekről, lézerdiódákról vagy RF alkalmazásokról, GaN-on-glass lapkákról
Részletes diagram
