50,8 mm-es 2 hüvelykes GaN zafír Epi-réteg ostyán

50,8 mm-es 2 hüvelykes GaN zafír Epi-layer ostyán Kiemelt kép

Rövid leírás:

A harmadik generációs félvezető anyagként a gallium-nitrid előnye a magas hőmérséklet-állóság, a nagy kompatibilitás, a nagy hővezető képesség és a széles sávszélesség.A különböző hordozóanyagok szerint a gallium-nitrid epitaxiális lemezek négy kategóriába sorolhatók: gallium-nitrid alapú gallium-nitrid, szilícium-karbid alapú gallium-nitrid, zafír alapú gallium-nitrid és szilícium-alapú gallium-nitrid.A szilícium alapú gallium-nitrid epitaxiális lemez a legszélesebb körben használt termék alacsony gyártási költséggel és kiforrott gyártási technológiával.

Küldjön e-mailt nekünk

Termék leírás

Termékcímkék

Gallium-nitrid GaN epitaxiális lemez alkalmazása

A gallium-nitrid teljesítménye alapján a gallium-nitrid epitaxiális chipek elsősorban nagy teljesítményű, nagyfrekvenciás és alacsony feszültségű alkalmazásokhoz alkalmasak.

Ez tükröződik:

1) Nagy sávszélesség: A nagy sávszélesség javítja a gallium-nitrid eszközök feszültségszintjét, és nagyobb teljesítményt képes kiadni, mint a gallium-arzenid eszközök, ami különösen alkalmas 5G kommunikációs bázisállomásokhoz, katonai radarokhoz és egyéb területekhez;

2) Magas konverziós hatásfok: a gallium-nitrid kapcsolóteljesítményű elektronikai eszközök bekapcsolási ellenállása 3 nagyságrenddel kisebb, mint a szilícium eszközöké, ami jelentősen csökkentheti a bekapcsolási veszteséget;

3) Magas hővezető képesség: a gallium-nitrid magas hővezető képessége kiváló hőelvezetési teljesítményt biztosít, amely alkalmas nagy teljesítményű, magas hőmérsékletű és egyéb eszközök gyártására;

4) Áttörési elektromos térerősség: Bár a gallium-nitrid áttörési elektromos térereje közel áll a szilícium-nitridéhez, a félvezető eljárás, az anyagrács eltérése és egyéb tényezők miatt a gallium-nitrid eszközök feszültségtűrése általában körülbelül 1000 V, és a A biztonságos használat feszültsége általában 650 V alatt van.

Tétel	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Méretek	e 50,8 mm ± 0,1 mm
Vastagság	4,5±0,5 um		4,5±0,5 um
Irányultság	C-sík(0001) ±0,5°
Vezetési típus	N-típusú (adalékolatlan)	N-típusú (Si-adalékolt)	P-típus (Mg-dal adalékolt)
Ellenállás (300K)	< 0,5 Q・cm	< 0,05 Q・cm	~ 10 Q・cm
A hordozó koncentrációja	< 5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6x1016 cm^-3
Mobilitás	~ 300 cm²/Vs	~ 200 cm²/Vs	~ 10 cm²/Vs
Diszlokáció sűrűsége	Kevesebb, mint 5x10⁸cm^-2(XRD FWHM-ei alapján számítva)
Aljzat szerkezete	GaN a Sapphire-en (standard: SSP opció: DSP)
Használható felület	> 90%
Csomag	100-as osztályú tisztatéri környezetbe csomagolva, 25db-os kazettákban vagy egy ostyatartóban, nitrogén atmoszférában.